CSD17301Q5A
www.ti.com
SLPS215B - 2010年1月 - 修订2010年7月
30V ， N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD17301Q5A
1
特点
优化5V栅极驱动器
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
V
GS
= 3V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 8V
阈值电压
1.1
30
19
4.3
2.9
2.3
2
V
nC
nC
m
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD17301Q5A
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
加载笔记本点
同步降压在负载点的
网络，电信和计算机系统
优化了同步FET应用
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
(1)
(2)
价值
30
+10 / –8
100
28
118
3.2
-55到150
414
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失，
并优化了5V栅极驱动应用。
顶视图
S
1
8
D
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 91A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
E
AS
S
2
7
D
S
3
D
6
D
（ 1 ）典型
qJA
= 39 ° C / W 1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司
（ 0.071毫米厚） Cu焊盘上0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4
PCB 。
（2）脉冲持续时间
≤300ms,
占空比
≤2%
G
4
5
D
P0093-01
R
DS （ ON）
VS V
GS
10
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
10
G006
栅极电荷
8
I
D
= 25A
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
25
30
G003
I
D
= 25A
V
DS
= 15V
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 25A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 14V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 300A / MS
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 25A ，R
G
= 2
V
DS
= 14V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V ，我
D
= 25A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V
V
DS
= 0V, V
GS
= +10 / –8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 3V ，我
D
= 25A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 25A
V
GS
= 8V ，我
D
= 25A
V
DS
= 15V ，我
D
= 25A
动态特性
2660
1420
80
1.3
19
4.3
5.7
2.9
35
10.7
16.2
28
10.5
0.8
50
33
1
3480
1850
105
2.6
25
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
0.9
1.1
2.9
2.3
2
149
30
1
100
1.55
3.7
3
2.6
V
mA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
QJC
R
qJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
(1) (2)
民
典型值
最大
2.2
49
单位
° C / W
° C / W
热阻结到环境
R
QJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
QJC
由设计规定，而
qJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
qJA
= 49 ° C / W
当安装在
1inch
2
的2盎司铜。
最大
qJA
= 120 ° C / W
当安装在
2最小焊盘面积
盎司铜。
漏
M0137-01
漏
M0137-02
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
Z
qJA
- 归热阻抗
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
P
占空比= T
1
/t
2
t
1
t
2
典型
q
JA
= 96
°
C / W （分铜）
T
J
= P
Z
q
JA
R
q
JA
0.1
1
t
p
- 脉冲宽度 - S
10
100
1k
G012
0.001
0.001
0.01
图1.瞬态热阻抗
2010 ，德州仪器
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3
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
80
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
V
GS
= 8V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 2.5V
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1
G001
TEXT增加了间距
80
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
70
60
50
40
T
C
= 25°C
30
20
T
C
= -55°C
10
0
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
2.5
3
G002
70
60
50
40
V
DS
= 5V
T
C
= 125°C
V
GS
= 2V
图2.饱和特性
TEXT增加了间距
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
25
30
G003
图3.传输特性
TEXT增加了间距
7
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
I
D
= 25A
V
DS
= 15V
- 电容 - nF的
6
5
4
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
3
2
1
0
0
5
10
15
20
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
25
30
G004
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
1.4
V
GS （ TH）
- 阈值电压 - V
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-75
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 250A
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-25
25
75
T
C
- 外壳温度 -
°C
125
175
G005
图5.电容
TEXT增加了间距
I
D
= 25A
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
10
G006
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极电压
4
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2010 ，德州仪器
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
1.8
归一化通态电阻
I
SD
- 源 - 漏电流 - 一个
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
-75
I
D
= 25A
V
GS
= 4.5V
100
10
1
T
C
= 125°C
0.1
T
C
= 25°C
0.01
0.001
0.0001
-25
25
75
T
C
- 外壳温度 -
°C
125
175
G007
TEXT增加了间距
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
1
G008
图8.导通电阻与温度的关系
TEXT增加了间距
1k
I
（AV）
- 峰值雪崩电流 - 一个
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
1k
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
100
1ms
10
10ms
1
100ms
1001
区有限公司
由R
DS （ ON）
单脉冲
典型
θJA
= 96 ℃/ W（分铜）
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1s
100
T
C
= 25°C
10
T
C
= 125°C
0.1
DC
100
G009
0.01
0.01
1
0.01
0.1
1
10
t
（AV）
- 时间在雪崩 - 质谱
100
G010
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
100
80
60
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度 -
°C
150
175
G011
图12.最大漏极电流与温度的关系
2010 ，德州仪器
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30V ， N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD17301Q5A
1
特点
优化5V栅极驱动器
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
V
GS
= 3V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 8V
阈值电压
1.1
30
19
4.3
2.9
2.3
2
V
nC
nC
m
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD17301Q5A
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
加载笔记本点
同步降压在负载点的
网络，电信和计算机系统
优化了同步FET应用
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
(1)
(2)
价值
30
+10 / –8
100
28
118
3.2
-55到150
414
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失，
并优化了5V栅极驱动应用。
顶视图
S
1
8
D
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 91A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
E
AS
S
2
7
D
S
3
D
6
D
（ 1 ）典型
qJA
= 39 ° C / W 1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司
（ 0.071毫米厚） Cu焊盘上0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4
PCB 。
（2）脉冲持续时间
≤300ms,
占空比
≤2%
G
4
5
D
P0093-01
R
DS （ ON）
VS V
GS
10
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
10
G006
栅极电荷
8
I
D
= 25A
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
25
30
G003
I
D
= 25A
V
DS
= 15V
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 25A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 14V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 300A / MS
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 25A ，R
G
= 2
V
DS
= 14V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V ，我
D
= 25A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V
V
DS
= 0V, V
GS
= +10 / –8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 3V ，我
D
= 25A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 25A
V
GS
= 8V ，我
D
= 25A
V
DS
= 15V ，我
D
= 25A
动态特性
2660
1420
80
1.3
19
4.3
5.7
2.9
35
10.7
16.2
28
10.5
0.8
50
33
1
3480
1850
105
2.6
25
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
0.9
1.1
2.9
2.3
2
149
30
1
100
1.55
3.7
3
2.6
V
mA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
QJC
R
qJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
(1) (2)
民
典型值
最大
2.2
49
单位
° C / W
° C / W
热阻结到环境
R
QJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
QJC
由设计规定，而
qJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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2010 ，德州仪器
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门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
qJA
= 49 ° C / W
当安装在
1inch
2
的2盎司铜。
最大
qJA
= 120 ° C / W
当安装在
2最小焊盘面积
盎司铜。
漏
M0137-01
漏
M0137-02
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
Z
qJA
- 归热阻抗
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
P
占空比= T
1
/t
2
t
1
t
2
典型
q
JA
= 96
°
C / W （分铜）
T
J
= P
Z
q
JA
R
q
JA
0.1
1
t
p
- 脉冲宽度 - S
10
100
1k
G012
0.001
0.001
0.01
图1.瞬态热阻抗
2010 ，德州仪器
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3
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
80
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
V
GS
= 8V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 2.5V
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1
G001
TEXT增加了间距
80
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
70
60
50
40
T
C
= 25°C
30
20
T
C
= -55°C
10
0
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
2.5
3
G002
70
60
50
40
V
DS
= 5V
T
C
= 125°C
V
GS
= 2V
图2.饱和特性
TEXT增加了间距
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
25
30
G003
图3.传输特性
TEXT增加了间距
7
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
I
D
= 25A
V
DS
= 15V
- 电容 - nF的
6
5
4
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
3
2
1
0
0
5
10
15
20
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
25
30
G004
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
1.4
V
GS （ TH）
- 阈值电压 - V
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-75
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 250A
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-25
25
75
T
C
- 外壳温度 -
°C
125
175
G005
图5.电容
TEXT增加了间距
I
D
= 25A
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
10
G006
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
1.8
归一化通态电阻
I
SD
- 源 - 漏电流 - 一个
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
-75
I
D
= 25A
V
GS
= 4.5V
100
10
1
T
C
= 125°C
0.1
T
C
= 25°C
0.01
0.001
0.0001
-25
25
75
T
C
- 外壳温度 -
°C
125
175
G007
TEXT增加了间距
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
1
G008
图8.导通电阻与温度的关系
TEXT增加了间距
1k
I
（AV）
- 峰值雪崩电流 - 一个
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
1k
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
100
1ms
10
10ms
1
100ms
1001
区有限公司
由R
DS （ ON）
单脉冲
典型
θJA
= 96 ℃/ W（分铜）
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1s
100
T
C
= 25°C
10
T
C
= 125°C
0.1
DC
100
G009
0.01
0.01
1
0.01
0.1
1
10
t
（AV）
- 时间在雪崩 - 质谱
100
G010
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
100
80
60
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度 -
°C
150
175
G011
图12.最大漏极电流与温度的关系
2010 ，德州仪器
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30V ， N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
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1
特点
优化5V栅极驱动器
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
V
GS
= 3V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 8V
阈值电压
1.1
30
19
4.3
2.9
2.3
2
V
nC
nC
m
m
m
V
2
应用
加载笔记本点
同步降压在负载点的
网络，电信和计算机系统
优化了同步FET应用
文本和BR增加了间距
订购信息
设备
CSD17301Q5A
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
文本和BR增加了间距
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
(2)
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失，
并优化了5V栅极驱动应用。
顶视图
S
1
8
D
价值
30
+10 / –8
100
28
118
3.2
-55到150
414
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 91A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
S
2
7
D
S
3
D
6
D
G
4
5
D
P0093-01
(1)
(2)
典型
qJA
在1英寸= 39 ° C / W
2
铜（2盎司）上0.060"厚的FR4
PCB 。
脉冲宽度
≤300ms,
占空比
≤2%
R
DS （ ON）
VS V
GS
10
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
10
G006
栅极电荷
8
I
D
= 25A
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
25
30
G003
I
D
= 25A
V
DS
= 15V
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 25A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 14V ，我
F
= 25A,
的di / dt = 300A / MS
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 25A
R
G
= 2
V
DS
= 14V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V,
I
D
= 25A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V
V
DS
= 0V, V
GS
= +10/-8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 3V ，我
D
= 25A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 25A
V
GS
= 8V ，我
D
= 25A
V
DS
= 15V ，我
D
= 25A
动态特性
2660
1420
80
1.3
19
4.3
5.7
2.9
35
10.7
16.2
28
10.5
0.8
50
33
1
3480
1850
105
2.6
25
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
0.9
1.1
2.9
2.3
2
149
30
1
100
1.55
3.7
3
2.6
V
mA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
QJC
R
qJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
热阻结到环境
(1) (2)
民
典型值
最大
2.2
49
单位
° C / W
° C / W
R
QJC
与安装在一个1平方英寸2盎司的装置来确定。 Cu焊盘上的1.5 × 1.5 0.060英寸厚的FR4板。
QJC
is
按设计规定，同时
qJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
的2盎司铜。
2
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门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
qJA
= 49 ° C / W
当安装在
1inch
2
的2盎司铜。
最大
qJA
= 120 ° C / W
当安装在
2最小焊盘面积
盎司铜。
漏
M0137-01
漏
M0137-02
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
Z
qJA
- 归热阻抗
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
P
占空比= T
1
/t
2
t
1
t
2
典型
q
JA
= 96
°
C / W （分铜）
T
J
= P
Z
q
JA
R
q
JA
0.1
1
t
p
- 脉冲宽度 - S
10
100
1k
G012
0.001
0.001
0.01
图1.瞬态热阻抗
2010 ，德州仪器
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
80
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
V
GS
= 8V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 2.5V
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1
G001
TEXT增加了间距
80
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
70
60
50
40
T
C
= 25°C
30
20
T
C
= -55°C
10
0
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
2.5
3
G002
70
60
50
40
V
DS
= 5V
T
C
= 125°C
V
GS
= 2V
图2.饱和特性
TEXT增加了间距
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
25
30
G003
图3.传输特性
TEXT增加了间距
7
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
I
D
= 25A
V
DS
= 15V
- 电容 - nF的
6
5
4
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
3
2
1
0
0
5
10
15
20
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
25
30
G004
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
1.4
V
GS （ TH）
- 阈值电压 - V
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-75
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 250A
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-25
25
75
T
C
- 外壳温度 -
°C
125
175
G005
图5.电容
TEXT增加了间距
I
D
= 25A
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
10
G006
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
1.8
归一化通态电阻
I
SD
- 源 - 漏电流 - 一个
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
-75
I
D
= 25A
V
GS
= 4.5V
100
10
1
T
C
= 125°C
0.1
T
C
= 25°C
0.01
0.001
0.0001
-25
25
75
T
C
- 外壳温度 -
°C
125
175
G007
TEXT增加了间距
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
1
G008
图8.导通电阻与温度的关系
TEXT增加了间距
1k
I
（AV）
- 峰值雪崩电流 - 一个
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
1k
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
100
1ms
10
10ms
1
100ms
1001
区有限公司
由R
DS （ ON）
单脉冲
典型
θJA
= 96 ℃/ W（分铜）
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1s
100
T
C
= 25°C
10
T
C
= 125°C
0.1
DC
100
G009
0.01
0.01
1
0.01
0.1
1
10
t
（AV）
- 时间在雪崩 - 质谱
100
G010
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
100
80
60
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度 -
°C
150
175
G011
图12.最大漏极电流与温度的关系
2010 ，德州仪器
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