CSD16415Q5
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SLPS259
–
2011年12月
N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD16415Q5
1
特点
超低的Qg和Qgd特性
非常低的导通电阻
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
r
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏极至源极电压
栅极电荷，总（ 4.5 V ）
栅极电荷，栅极 - 漏极
漏极 - 源极导通电阻
阈值电压
25
21
5.2
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
1.5
1.5
0.99
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD16415Q5
包
SON 5毫米
×
6毫米的塑料
包
媒体
13-inch
(33-cm)
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
负载点的同步降压转换器
在网络，电信及应用
计算系统
优化了同步FET应用
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
(2)
价值
25
+16/-12
100
38
200
3.2
–55
150
500
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
顶视图
S
1
8
D
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
工作结温和存储温度
范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 100 A，L = 0.1 mH的，R
G
= 25
S
2
7
D
S
3
D
6
D
G
4
5
D
P0094-01
(1)
(2)
R
θJA
= 40 ° C / W的1英寸
2
(6.45-cm
2
）铜[ 2盎司（ 0.071毫米
厚） ]在0.060英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
脉冲持续时间
≤300 μs,
占空比
≤2%
r
DS （ ON）
VS V
GS
5
R
DS
(
on
)
- 导通状态电阻 - mΩ的
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
1
T
C
= 25°C
T
C
= 125C
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
= 40A
10
V
G
- 栅极电压 - V
8
6
4
2
0
0
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
10
12
I
D
= 40A
V
DS
= 12.5V
栅极电荷
20
30
40
50
60
G003
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权
2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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2011年12月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
QG （日）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏极至源极电压
漏极至源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5 V ）
栅极电荷，栅极 - 漏极
栅极电荷，栅极 - 源极
栅极电荷在Vth的
输出充电
TURNON DELAY TIME
上升时间
关断延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
S
= 40 A，V
GS
= 0 V
V
DD
= 15 V，I
F
= 40 A， di / dt的= 300 A / μs的
V
DD
= 15 V，I
F
= 40 A， di / dt的= 300 A / μs的
V
DS
= 12.5 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 40 A
R
G
= 2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 12.5 V， ID = 40 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 12.5 V，F = 1兆赫
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
GS
= 0 V, V
DS
= 20 V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
–12
V到16V的
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 40 A
1.2
1.5
1.5
0.99
168
3150 4100
2530 3300
175
1.2
21
5.2
8.3
4.8
55
16.6
30
20
12.7
0.85
72
45
1
230
2.4
29
25
1
100
1.9
1.8
1.15
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
TYP MAX
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻，结到外壳
(1)
热阻，结到环境
(1) (2)
民
典型值
最大
1.1
50
单位
° C / W
° C / W
R
θJC
与安装在一个1英寸（2.54厘米）见方， 2盎司的装置来确定。上一个1.5英寸（ 0.071毫米厚）的Cu垫
×
1.5-inch
(3.81-cm
×
3.81厘米） ， 0.060英寸（ 1.52毫米）厚的FR4板。
θJC
由设计规定，而
θJA
是通过用户的判断
电路板设计。
设备安装在FR4材料1英寸
2
（ 6.45厘米
2
） 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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版权
2011年，德州仪器
QQ：2881677436 复制
