【CSD16412Q5Awww.ti.comSLPS207A–2009年8月–修订2010年9月N通道】,IC型号CSD16412Q5A,CSD16412Q5A PDF资料,CSD16412Q5A经销商,ic,电子元器件-51电子网

CSD16412Q5A

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SLPS207A

–

2009年8月

–

修订2010年9月

N通道NexFET 功率MOSFET

检查样品：

CSD16412Q5A

1

特点

超低的Qg和Qgd特性

低热阻

额定雪崩

无铅端子电镀

符合RoHS

无卤

SON 5毫米x 6mm的塑料包装

产品概述

V

DS

Q

g

Q

gd

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

漏源极电压

栅极电荷总数（ 4.5V ）

栅极电荷栅漏

漏极至源极导通电阻

阈值电压

25

2.9

0.7

V

GS

= 4.5V

V

GS

= 10V

2

13

9

V

nC

m

V

2

订购信息

设备

CSD16412Q5A

包

SON 5

×

6塑料

包

媒体

13-inch

REEL

数量

2500

船

磁带和

REEL

应用

负载点的同步降压转换器

在网络，电信及应用

计算系统

优化控制FET应用

绝对最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

V

DS

漏源极电压

栅极至源极电压

连续漏电流，T

C

= 25°C

连续漏电流

功耗

(1)

工作结存储

温度范围

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 17A ，L = 0.1mH ，R

G

= 25

(1)

(2)

价值

25

+16 /

–12

52

14

91

3

–55

150

14

单位

V

A

W

°C

mJ

描述

该NexFET功率MOSFET的设计

最大限度地减少电源转换应用的损失。

顶视图

S

1

8

D

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

,

T

英镑

E

AS

漏电流脉冲，T

A

= 25°C

S

2

7

D

S

3

D

6

D

(1) R

θJA

在1英寸= 42 ° C / W

2

铜（2盎司）上0.060"厚的FR4 PCB 。

（2 ）脉冲宽度

≤300μs,

占空比

≤2%

G

4

5

D

P0093-01

R

DS （ ON）

VS V

GS

50

R

DS （ ON）

- 导通状态电阻 - mΩ的

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

2

4

6

8

10

12

G006

栅极电荷

12

I

D

= 10A

10

V

G

- 栅极电压 - V

8

6

4

2

I

D

= 10A

V

DS

= 12.5V

T

C

= 125°C

T

C

= 25°C

0

1

2

3

4

5

6

7

G003

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

Q

g

- 栅极电荷 - 数控

1

2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

的NexFET是德州仪器的商标。

版权

2009-2010年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

静态特性

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

Q

g

Q

gd

Q

gs

QG （日）

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

Q

rr

t

rr

漏源极电压

漏极至源极漏电流

门源漏电流

门源阈值电压

漏极至源极导通电阻

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

串联门极电阻

栅极电荷总数（ 4.5V ）

栅极电荷栅漏

栅极电荷门源

栅极电荷在Vth的

输出充电

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

反向恢复电荷

反向恢复时间

I

S

= 10A ，V

GS

= 0V

V

dd

= 13V ，我

F

= 10A ，的di / dt = 300A / μs的

V

dd

= 13V ，我

F

= 10A ，的di / dt = 300A / μs的

V

DS

= 12.5V, V

GS

= 4.5V ，我

D

= 10A

R

G

= 2

V

DS

= 13V, V

GS

= 0V

V

DS

= 12.5V ，我

D

= 10A

V

GS

= 0V, V

DS

= 12.5V ， F = 1MHz的

V

GS

= 0V时，我

D

= 250μA

V

GS

= 0V, V

DS

= 20V

V

DS

= 0V, V

GS

= +16/-12V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250μA

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 10A

V

GS

= 10V ，我

D

= 10A

V

DS

= 15V ，我

D

= 10A

1.7

2.0

13

9

33

410

350

32

0.7

2.9

0.7

1.4

0.9

7

5.5

7.1

5.7

3.3

0.85

12

16

1.0

530

450

42

1.4

3.8

25

1

100

2.3

16

11

V

μA

nA

V

m

S

pF

nC

ns

V

nC

ns

测试条件

民

典型值

最大

单位

动态特性

二极管的特性

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

R

θJC

R

θJA

(1)

(2)

热阻结到外壳

(1)

热阻结到环境

(1) (2)

民

典型值

最大

3.7

53

单位

° C / W

R

θJC

与安装在一个1平方英寸2盎司的装置来确定。在1.5 Cu焊盘

×

1.5在0.060英寸厚的FR4板。

θJC

is

按设计规定，同时

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

设备安装在FR4材料1英寸

2

的2盎司铜。

2

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门

N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型

来源

N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型

门

来源

最大

θJA

= 53_C / W

当安装在

1inch

2

的2盎司铜。

最大

θJA

= 119 ° C / W

当安装在

2最小焊盘面积

盎司铜。

漏

M0137-01

漏

M0137-02

典型MOSFET的特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

10

Z

q

JA

- 归热阻抗

1

0.5

0.3

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

占空比= T

1

/t

2

P

t

1

t

2

R

q

JA

= 95

°

C / W （分铜）

T

J

= P

Z

q

JA

R

q

JA

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1k

t

p

- 脉冲宽度 - S

G012

图1.瞬态热阻抗

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典型MOSFET的特性（续）

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

30

25

I

D

- 漏电流 - 一个

20

15

10

5

0

0.0

30

V

DS

= 5V

V

GS

= 3.5V

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

= 10V

V

GS

= 4.5V

V

GS

= 4V

25

20

15

T

C

= 25°C

10

5

0

2.0

T

C

= 55°C

TEXT增加了间距

T

C

= 125°C

V

GS

= 3V

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

G001

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

G002

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

图2.饱和特性

TEXT增加了间距

12

10

V

G

- 栅极电压 - V

8

6

4

2

0

1

2

3

4

5

6

7

G003

图3.传输特性

TEXT增加了间距

1200

F = 1MHz的

V

GS

= 0V

I

D

= 10A

V

DS

= 12.5V

- 电容 - pF的

1000

800

600

400

200

0

5

10

15

C

RSS

= C

GD

C

OSS

= C

DS

+ C

GD

C

国际空间站

= C

GD

+ C

GS

20

25

G004

Q

g

- 栅极电荷 - 数控

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

图4.栅极电荷

TEXT增加了间距

2.75

V

GS （ TH）

- 阈值电压 - V

2.50

2.25

2.00

1.75

1.50

1.25

1.00

0.75

75

25

75

125

175

G005

图5.电容

TEXT增加了间距

50

R

DS （ ON）

- 导通状态电阻 - mΩ的

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

2

4

6

8

10

12

G006

I

D

= 250A

I

D

= 10A

T

C

= 125°C

T

C

= 25°C

T

C

- 外壳温度 -

°C

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

图6.阈值电压随温度的变化

图7.导通电阻与栅极电压

4

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2009年8月

–

修订2010年9月

典型MOSFET的特性（续）

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

TEXT增加了间距

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

75

I

SD

- 源极到漏极电流 - 一个

归一化通态电阻

I

D

= 17A

V

GS

= 10V

100

10

1

0.1

0.01

0.001

T

C

= 25°C

TEXT增加了间距

T

C

= 125°C

25

75

125

175

G007

0.0001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

G008

T

C

- 外壳温度 -

°C

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

图8.导通电阻与温度的关系

TEXT增加了间距

1k

图9.典型的二极管正向电压

TEXT增加了间距

100

I

（AV）

- 峰值雪崩电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

100

10

T

C

= 25°C

10

1ms

10ms

1

区有限公司

由R

DS （ ON）

单脉冲

R

qJA

= 95

°

C / W （分铜）

0.1

1

10

100ms

1s

0.1

DC

T

C

= 125°C

1

0.01

0.1

1

10

100

G010

0.01

100

G009

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

t

（AV）

- 时间在雪崩 - 质谱

图10.最大安全工作区

图11.单脉冲松开电感开关

TEXT增加了间距

70

60

I

D

- 漏电流 - 一个

50

40

30

20

10

0

50

25

0

25

50

75

100

125

150

G011

T

C

- 外壳温度 -

°C

图12.最大漏极电流与温度的关系

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