CSD16411Q3
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SLPS206A - 2009年8月 - 修订2010年9月
N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD16411Q3
1
特点
超低的Qg和Qgd特性
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 3.3毫米X 3.3毫米塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
25
2.9
0.7
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
2
12
8
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD16411Q3
包
SON 3.3 × 3.3
塑料包装
媒体
13英寸卷轴
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
负载点的同步降压转换器
在网络，电信及应用
计算系统
优化控制FET应用
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
价值
25
+16 / –12
56
14
138
2.7
-55到150
16
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
顶视图
S
8
D
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
(2)
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 18A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
S
7
D
S
D
G
6
D
(1) R
qJA
在1英寸= 47 ° C / W
2
铜（2盎司）对0.060"厚的FR4 PCB 。
（2 ）脉冲宽度
≤300ms,
占空比
≤2%
5
D
P0095-01
R
DS （ ON）
VS V
GS
30
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 10A
25
20
T
C
= 125°C
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
G006
栅极电荷
12
10
V
G
- 栅极电压 - V
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
G003
I
D
= 10A
V
DS
= 12.5V
T
C
= 25°C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
QG - 栅极电荷 - 数控
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
QG （日）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
S
= 10A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 12.5V ，我
F
= 10A ，的di / dt = 300A / MS
V
DD
= 12.5V ，我
F
= 10A ，的di / dt = 300A / MS
V
DS
= 12.5V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
R
G
= 2
V
DS
= 12.5V, V
GS
= 0V
V
DS
= 12.5V ，我
D
= 10A
V
GS
= 0V, V
DS
= 12.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 20V
V
DS
= 0V, V
GS
= +16 / –12
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
DS
= 15V ，我
D
= 10A
1.7
2
12
8
30
440
330
33
0.8
2.9
0.7
1.5
0.9
6.5
5.3
7.8
6
3.1
0.85
11.7
15.5
1
570
430
43
1.6
3.8
25
1
100
2.3
15
10
V
mA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
QJC
R
qJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
热阻结到环境
(1) (2)
民
典型值
最大
3.5
59
单位
° C / W
° C / W
R
QJC
与安装在一个1平方英寸2盎司的装置来确定。 Cu焊盘上的1.5 × 1.5 0.060英寸厚的FR4板。
QJC
is
按设计规定，同时
qJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
的2盎司铜。
2
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门
来源
门
来源
最大
qJA
= 59 ° C / W
当安装在
1inch
2
的2盎司铜。
最大
qJA
= 165 ° C / W
当安装在
2最小焊盘面积
盎司铜。
漏
M0161-01
漏
M0161-02
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
Z
qJA
- NormalizedThermal阻抗 -
°
C / W
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
占空比= T
1
/t
2
P
t
1
t
2
0.01
0.001
单脉冲
0.0001
0.0001
R
thJA
= 133 ℃/ W（分铜）
T
J
= P X Z
q
JA个R
q
JA
0.01
0.1
1
t
P
- 脉冲持续时间-S
G012
o
0.001
10
100
1k
10k
图1.瞬态热阻抗
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
30
25
I
D
- 漏电流 - 一个
20
15
10
5
0
0.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
I
D
- 漏电流 - 一个
30
V
DS
= 5V
25
20
15
T
C
= 25°C
10
T
C
= 55°C
5
0
1.5
T
C
= 125°C
V
GS
= 4V
V
GS
= 3V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
G001
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
G002
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图2.饱和特性
图3.传输特性
12
10
V
G
- 栅极电压 - V
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
G003
1.2
I
D
= 10A
V
DS
= 12.5V
- 电容 - nF的
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
25
G004
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
= C
GD
+ C
GS
C
RSS
= C
GD
QG - 栅极电荷 - 数控
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
图4.栅极电荷
图5.电容
2.50
V
GS （ TH）
- 阈值电压 - V
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
75
25
25
75
125
175
G005
30
I
D
= 250A
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 10A
25
20
T
C
= 125°C
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
G006
T
C
= 25°C
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极电压
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
75
I
SD
- 源极到漏极电流 - 一个
归一化通态电阻
I
D
= 10A
V
GS
= 10V
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0.0001
25
25
75
125
175
G007
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
G008
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
图8.导通电阻与温度的关系
图9.典型的二极管正向电压
1k
100
I
（AV）
- 峰值雪崩电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
100
1ms
10ms
T
C
= 25°C
10
10
T
C
= 125°C
1
区有限公司
由R
DS （ ON）
0.1
单脉冲
R
qJA
= 133
°
C / W （分铜）
0.1
1
10
100ms
1s
DC
0.01
0.01
100
G009
1
0.01
0.1
1
10
100
G010
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
（AV）
- 时间在雪崩 - 质谱
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
80
70
I
D
- 漏电流 - 一个
60
50
40
30
20
10
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
G011
T
C
- 外壳温度 -
°C
图12.最大漏极电流与温度的关系
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