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CSD16408Q5
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SLPS228 - 2009年10月
N通道NexFET 功率MOSFET
1
特点
超低Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
25
6.7
1.9
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
1.8
5.4
3.6
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
应用
同步降压在负载点的
网络，电信和计算机系统
优化控制FET应用
设备
CSD16408Q5
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
(1)
(2)
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
顶视图
S
1
8
D
价值
25
+16 / –12
113
22
141
3.1
-55到150
126
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
P
D
T
J
,
T
英镑
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 23A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
S
2
7
D
E
AS
S
3
D
6
D
(1)
(2)
G
4
5
D
P0094-01
典型
θJA
= 41 ° C / W 1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司
（ 0.071毫米厚） Cu焊盘上0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4
PCB 。
脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤2%
放在这里休息的力量音符拉近桌子
放在这里休息的力量音符拉近桌子
R
DS （ ON）
VS V
GS
16
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
G006
栅极电荷
12
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
I
D
= 25A
10
8
6
4
2
0
0
5
10
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
15
20
G003
I
D
= 25A
V
DS
= 12.5V
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有 2009年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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SLPS228 - 2009年10月
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电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏
门源漏
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷 - 栅漏
栅极电荷 - 门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
S
= 25A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 13V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 300A / μs的
V
DD
= 13V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 12.5V, V
GS
= 4.5V,
I
D
= 20A ，R
G
= 2
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V
V
DS
= 12.5V ，我
D
= 25A
V
GS
= 0V, V
DS
= 12.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 20V
V
DS
= 0V, V
GS
= +16/-12V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 25A
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
V
DS
= 15V ，我
D
= 25A
1.4
1.8
5.4
3.6
60
990
760
75
0.8
6.7
1.9
3.1
1.8
15.7
11.3
25
11
10.8
0.8
17
21
1
1300
1000
100
1.6
8.9
25
1
100
2.1
6.8
4.5
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
(2)
民
典型值
最大
1.9
51
单位
° C / W
° C / W
热阻结到环境
(1)
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
θJC
由设计规定，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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SLPS228 - 2009年10月
门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
θJA
= 51C / W
当安装在
1英寸
2
（ 6.45厘米
2
）的
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
最大
θJA
= 125°C / W
当安装在
最小焊盘面积
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
漏
M0137-01
漏
M0137-02
休息
休息
休息
休息
典型MOSFET的特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
10
Z
θJA
- 归热阻抗
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.001
t
1
t
2
P
占空比= T
1
/t
2
典型
q
JA
= 100℃ / W （分铜）
T
J
= P X Z
q
JA
个R
q
JA
0.1
1
t
P
- 脉冲宽度 - S
10
100
1k
G012
o
0.01
图1.瞬态热阻抗
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3
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SLPS228 - 2009年10月
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典型MOSFET的特性（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
休息
60
I
DS
- 漏极至源极电流 - 一个
50
40
30
20
10
0
0.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 3V
V
GS
= 3.5V
I
DS
- 漏极至源极电流 - 一个
60
V
DS
= 5V
50
40
30
20
10
0
1.5
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
T
C
= 55°C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
G001
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
G002
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图2.饱和特性
图3.传输特性
12
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
10
8
6
4
2
0
0
5
10
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
15
20
G003
3.0
I
D
= 25A
V
DS
= 12.5V
- 电容 - nF的
2.5
2.0
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
1.5
1.0
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
G004
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
国际空间站
= C
GD
+ C
GS
C
RSS
= C
GD
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
图4.栅极电荷
图5.电容
2.25
V
GS （ TH）
- 阈值电压 - V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
75
25
25
75
125
175
G005
16
I
D
= 250A
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
G006
I
D
= 25A
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极至源极电压
4
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SLPS228 - 2009年10月
典型MOSFET的特性（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
75
I
SD
- 源极到漏极电流 - 一个
归一化通态电阻
I
D
= 20A
V
GS
= 10V
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0.0001
25
25
75
125
175
G007
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
G008
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
1k
1k
I
（AV）
- 峰值雪崩电流 - 一个
I
DS
- 漏极至源极电流 - 一个
100
1ms
100
10
10ms
100ms
1s
T
C
= 25°C
1
区有限公司
由R
DS （ ON）
单脉冲
o
典型
qJA
= 100℃ / W （分铜）
10
T
C
= 125°C
0.1
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
G009
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
G010
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
（AV）
- 时间在雪崩 - 质谱
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
120
I
DS
- 漏极至源极电流 - 一个
100
80
60
40
20
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
G011
T
C
- 外壳温度 -
°C
图12.最大漏极电流与温度的关系
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CS126
CM6560-184
CDV30FH132J03
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CY37256VP400-125BGXC
C-5265Z
CDA3W20-G
C165
CS5012A-BL12
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