CSD16407Q5
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SLPS203A - 2009年8月 - 修订2010年9月
N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD16407Q5
1
特点
超低的Qg和Qgd特性
低热阻
额定雪崩
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
漏to0source电压
栅极电荷，总（ 4.5 V ）
栅极电荷，栅极 - 漏极
漏极 - 源极导通电阻
阈值电压
25
13.3
3.5
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
1.6
2.5
1.8
V
nC
nC
m
m
V
2
应用
负载点的同步降压转换器
在网络，电信及应用
计算系统
优化了同步FET应用
V
GS （ TH）
订购信息
设备
CSD16407Q5
包
SON 5 × 6塑料
包
媒体
13-inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
顶视图
S
1
8
D
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
价值
25
+16 / –12
100
31
200
3.1
-55到150
218
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
(2)
功耗
工作结温和存储温度
范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 66A ，L = 0.1毫亨，R
G
= 25
S
2
7
D
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
S
3
D
6
D
G
4
5
D
(1)
P0094-01
(2)
R
qJA
= 40 ℃/ 1个W中
2
（ 6.45厘米
2
）铜[ 2盎司（ 0.071毫米
厚） ]在0.060英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
脉冲持续时间
≤300
女士，
占空比
≤2%
r
DS （ ON）
VS V
GS
6
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 25A
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
G006
栅极电荷
12
10
V
G
- 栅极电压 - V
I
D
= 25A
V
DS
= 12.5V
T
C
= 125°C
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
G003
T
C
= 25°C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
QG （日）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏极至源极电压
漏极至源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5 V ）
栅极电荷，栅极 - 漏极
栅极电荷，栅极 - 源极
栅极电荷在Vth的
输出充电
TURNON DELAY TIME
上升时间
关断延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
S
= 25 A，V
GS
= 0 V
V
DD
= 13.5 V，I
F
= 25 A， di / dt的= 300 A / MS
V
DD
= 13.5 V，I
F
= 25 A， di / dt的= 300 A / MS
V
DS
= 12.5 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 25 A
R
G
= 2
V
DS
= 13.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 12.5 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 12.5 V，F = 1兆赫
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V, V
DS
= 20 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= 16 V至-12 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 25 A
1.3
1.6
2.5
1.8
111
2040
1600
115
1.2
13.3
3.5
5.3
3.1
33
11.9
18.4
16
9
0.8
41
34
1
2660
2080
160
2.4
18
25
1
100
1.9
3.3
2.4
V
mA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
QJC
R
qJA
(1)
(2)
热阻，结到外壳
(1)
热阻，结到环境
(1) (2)
民
典型值
最大
1.1
51
单位
° C / W
° C / W
R
QJC
与安装在一个1英寸（2.54厘米）见方2盎司（ 0.071毫米厚）的装置来确定。上一个1.5英寸（ 3.81 -CN） × Cu焊盘
1.5英寸（ 3.81厘米）× 0.060英寸（ 1.52毫米）厚的FR4板。
QJC
由设计规定，而
qJA
由用户的董事会决定
设计。
设备安装在FR4材料1英寸
2
（ 6.45厘米
2
） 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
qJA
= 50℃ / W的
安装在1时
寸
2
（ 6.45厘米
2
）的
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
最大
qJA
= 121 ° C / W
当安装在
最小焊盘面积
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
漏
M0137-01
漏
M0137-02
文本
和
文本
和
文本
和
文本
和
文本和BR增加了间距
br
br
br
br
额外
额外
额外
额外
为
为
为
为
间距
间距
间距
间距
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
Z
q
JA
- 归热阻抗
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
占空比= T
1
/t
2
P
t
1
t
2
0.01
R
q
JA
= 94
°
C / W （分铜）
T
J
= P
Z
q
JA
R
q
JA
0.001
0.001
0.01
0.1
1
t
p
- 脉冲宽度 - S
10
100
1k
G012
图1.瞬态热阻抗
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
80
70
I
D
- 漏电流 - 一个
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
G001
80
V
GS
= 3V
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
- 漏电流 - 一个
70
60
50
40
30
20
10
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
G002
V
DS
= 5V
T
C
= 125°C
V
GS
= 3.5V
T
C
= 25°C
V
GS
= 2.5V
T
C
= 55°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图2.饱和特性
TEXT增加了间距
vs
TEXT增加了间距
12
10
V
G
- 栅极电压 - V
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
G003
图3.传输特性
TEXT增加了间距
vs
TEXT增加了间距
6
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
I
D
= 25A
V
DS
= 12.5V
- 电容 - nF的
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
= C
GD
+ C
GS
20
25
G004
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
vs
TEXT增加了间距
2.00
V
GS （ TH）
- 阈值电压 - V
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
75
25
25
75
125
175
G005
图5.电容
TEXT增加了间距
vs
TEXT增加了间距
6
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 25A
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
G006
I
D
= 250A
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
- 外壳温度 - °C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
75
I
SD
- 源极到漏极电流 - 一个
归一化通态电阻
I
D
= 25A
V
GS
= 10V
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0.0001
25
25
75
125
175
G007
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
G008
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
图8.导通电阻与温度的关系
TEXT增加了间距
vs
TEXT增加了间距
1k
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
vs
TEXT增加了间距
1k
I
（AV）
- 峰值雪崩电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
100
1ms
T
C
= 25°C
100
T
C
= 125°C
10
10ms
100ms
1
区有限公司
由R
DS （ ON）
单脉冲
o
R
qJA
= 94℃ / W （分铜）
1s
10
0.1
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
G009
1
0.01
0.1
1
10
100
G010
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
（AV）
- 时间在雪崩 - 质谱
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
vs
TEXT增加了间距
120
100
I
D
- 漏电流 - 一个
80
60
40
20
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
G011
T
C
- 外壳温度 -
°C
图12.最大漏极电流与温度的关系
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