CSD16342Q5A
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SLPS369A - 2012年2月 - 修订2012年3月
N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD16342Q5A
1
特点
优化5V栅极驱动器
电阻额定电压为V
GS
= 2.5V
超低的Qg和Qgd特性
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米x 6mm的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
th
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
25
6.8
1.2
V
GS
= 2.5V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 8V
阈值电压
0.85
6.1
4.3
3.8
V
nC
nC
m
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD16342Q5A
包
SON 5 × 6塑料
包
媒体
13-inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
负载点的同步降压转换器
在网络，电信及应用
计算系统
优化的控制和同步FET
应用
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
价值
25
+10 / –8
100
21
131
3
-55到150
80
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少功率转换损耗和优化
针对5V栅极驱动应用。
顶视图
S
1
8
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
(2)
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 40A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
S
2
7
D
（ 1 ）典型
θJA
在1英寸= 40 ° C / W
2
在0.060"厚的FR4铜（2盎司）。
PCB 。
（2 ）脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤2%
S
3
D
6
D
G
4
5
D
P0095-01
R
DS （ ON）
VS V
GS
20
R
DS
(
on
)
- 导通状态电阻 - mΩ的
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
T
C
= 25°C
T
C
= 125C
2
3
4
5
6
7
8
9
10
G001
栅极电荷
10
I
D
= 20A
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
G001
I
D
=20A
V
DD
= 12.5V
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
Q
g
- 栅极电荷 - 数控（ NC ）
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
QG （日）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
S
= 20A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 13V ，我
F
= 20A ，的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 12.5V, V
GS
= 4.5V我
D
= 20A
R
G
= 2
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V
V
DS
= 12.5V ，我
D
= 20A
V
GS
= 0V, V
DS
= 12.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
DS
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 20V
V
DS
= 0V, V
GS
= +10/-8V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250μA
V
GS
= 2.5V ，我
DS
= 20A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
= 20A
V
GS
= 8V ，我
DS
= 20A
V
DS
= 15V ，我
DS
= 20A
动态特性
1050
730
53
1.5
6.8
0.9
1.9
1.2
13.7
5.2
16.6
13.4
3.1
0.8
14.5
20
1
1350
950
69
3
7.1
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
0.6
0.85
6.1
4.3
3.8
91
25
1
100
1.1
7.8
5.5
4.7
V
μA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
(1) (2)
民
典型值
最大
1.2
50
单位
° C / W
° C / W
热阻结到环境
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
θJC
由设计规定，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
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门
来源
门
来源
最大
θJA
= 50℃ / W的
安装在1时
寸
2
的2盎司铜。
最大
θJA
= 123 ° C / W
当安装在
2最小焊盘面积
盎司铜。
漏
M0161-01
漏
M0161-02
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图1.瞬态热阻抗
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
60
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
50
40
30
20
10
0
V
GS
=8.0V
V
GS
=4.5V
V
GS
=3.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=2.0V
0
0.5
1
1.5
2
G001
80
V
DS
= 5V
70
60
50
40
30
20
10
0
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
2.2
2.4
G001
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
图2.饱和特性
图3.传输特性
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
G001
I
D
=20A
V
DD
= 12.5V
- 电容 - nF的
2.0
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
1.5
1.0
0.5
0
5
10
15
20
25
G001
Q
g
- 栅极电荷 - 数控（ NC ）
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
图4.栅极电荷
图5.电容
1.5
R
DS
(
on
)
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 20A
V
GS
(
th
)
- 阈值电压 - V
1.2
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
T
C
= 25°C
T
C
= 125C
2
3
4
5
6
7
8
9
10
G001
I
D
= 20A
0.9
0.6
0.3
0
75
25
25
75
125
175
G001
T
C
- 外壳温度 - 摄氏度
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
75
25
25
75
125
175
G001
100
I
SD
- 源 - 漏电流 - 一个
I
D
= 20A
V
GS
= 4.5V
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
归一化通态电阻
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
G001
T
C
- 外壳温度 - 摄氏度
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
图8.归通电阻与温度的关系
图9.典型的二极管正向电压
100
I
(
AV
)
- 峰值雪崩电流 - 一个
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
10
1
0.01
0.1
1
10
G001
t
(
AV
)
- 时间在雪崩 - 质谱
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
120.0
I
DS
- 漏极 - - 源电流 - 一个
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
G001
T
C
- 外壳温度 - 摄氏度
图12.最大漏极电流与温度的关系
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