CSD16323Q3C
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SLPS248 - 2010年8月
N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD16323Q3C
1
特点
DualCool 封装
优化5V栅极驱动器
超低Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 3.3毫米× 3.3毫米塑料包装
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
th
产品概述
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
V
GS
= 3V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 8V
阈值电压
1.1
25
6.2
1.1
5.4
4.4
3.8
V
nC
nC
m
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD16323Q3C
包
SON 3.3毫米× 3.3毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
负载点的同步降压转换器
在网络，电信及应用
计算系统
优化的控制和同步FET
应用
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
价值
25
+10 / –8
60
21
112
3
-55到150
125
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少功率转换损耗和优化
针对5V栅极驱动应用。
额外
为
间距
文本
额外
为
间距
文本
额外
为
间距
文本
额外
为
间距
文本
额外
为
间距
文本
额外
为
间距
文本
额外
为
间距
文本
额外
为
间距
R
DS （ ON）
VS V
GS
16
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
(2)
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 50A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
（ 1 ）典型
qJA
= 43 ° C /安装在1英寸的当W
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在0.06英寸（ 0.071毫米厚）的Cu垫
（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
（2）脉冲持续时间
≤300ms,
占空比
≤2%
文本增加了
间距
文本
额外
为
间距
栅极电荷
10
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - 毫瓦
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
I
D
= 24A
9
V
G
- 栅极电压 - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
I
D
= 24A
V
DS
= 12.5V
8
9
10
G006
0
2
4
6
8
10
12
14
G003
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
QG - 栅极电荷 - 数控
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
DualCool ，的NexFET是德州仪器的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
QG （日）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
S
= 24A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 12.5V ，我
F
= 24A ，的di / dt = 300A / MS
V
DD
= 12.5V ，我
F
= 24A ，的di / dt = 300A / MS
V
DS
= 12.5V, V
GS
= 4.5V我
D
= 24A
R
G
= 2
V
DS
= 12.5V, V
GS
= 0V
V
DS
= 12.5V ，我
D
= 24A
V
GS
= 0V, V
DS
= 12.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 20V
V
DS
= 0V, V
GS
= +10/-8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 3V ，我
D
= 24A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 24A
V
GS
= 8V ，我
D
= 24A
V
DS
= 12.5V ，我
D
= 24A
动态特性
1020
740
50
1.4
6.2
1.1
1.8
1
14
5.3
15
13
6.3
0.85
21
16
1
1300
960
65
2.8
8.4
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
0.9
1.1
5.4
4.4
3.8
108
25
1
100
1.4
7.2
5.5
4.5
V
mA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
q
JC （顶部）
q
JC （ BOT ）
q
JA
(1)
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至外壳（底部）热阻
结到环境的热阻
(1) (2)
(1)
民
典型值
最大
3.5
2.7
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
R
QJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
QJC
由设计规定，而
qJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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2010 ，德州仪器
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