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SLPS219 - 2009年8月
N通道NexFET 功率MOSFET
1
特点
优化5V栅极驱动器
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
产品概述
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
V
GS
= 3V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 8V
阈值电压
1.1
25
6.8
1.3
5.4
4.6
3.9
V
nC
nC
m
m
m
V
2
文本和BR增加了间距
订购信息
设备
CSD16322Q5
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
同步降压在负载点的
网络，电信和计算机系统
同步或控制用FET应用
文本和BR增加了间距
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失
并优化了5V栅极驱动应用。
顶视图
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
价值
25
+10 / –8
97
21
136
3.1
-55到150
125
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
(2)
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 50A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
S
1
8
D
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
S
2
7
D
S
3
D
6
D
G
4
5
D
P0094-01
(1)
(2)
R
θJA
= 39 ° C / W 1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）
Cu焊盘上0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
脉冲持续时间
≤300s,
占空比
≤2%
R
DS （ ON）
VS V
GS
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - 毫瓦
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
G006
栅极电荷
10
I
D
= 20A
9
8
I
D
= 20A
V
DS
= 12.5V
V
G
- 栅极电压 - V
T
C
= 125
°
C
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
G003
T
C
= 25
°
C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
1
QG - 栅极电荷 - 数控
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有 2009年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
QG （日）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
S
= 20A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 13V ，我
F
= 20A ，的di / dt = 300A / μs的
V
DD
= 13V ，我
F
= 20A ，的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 12.5V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 20A
R
G
=2
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V
V
DS
= 12.5V ，我
D
= 20A
V
GS
= 0V, V
DS
= 12.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V, V
DS
= 20V
V
DS
= 0V, V
GS
= +10/–8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 3V ，我
D
= 20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 20A
V
GS
= 8V ，我
D
= 20A
V
DS
= 15V ，我
D
= 20A
动态特性
1050 1365
740
55
1.1
6.8
1.3
2.4
1.3
17
6.1
10.7
12.3
3.7
0.8
19
21
1
950
70
2.2
9.7
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
0.9
1.1
5.4
4.6
3.9
106
25
1
100
1.4
7
5.8
5
V
A
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
TYP MAX
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
热阻结到环境
(1) (2)
民
典型值
最大
2.4
50
单位
° C / W
° C / W
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
θJC
由设计规定，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
θJA
= 50℃ / W的
当安装在
1英寸
2
（ 6.45厘米
2
）的
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
最大
θJA
= 123 ° C / W
当安装在
最小焊盘面积
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
漏
M0137-01
漏
M0137-02
间距
间距
起搏
起搏
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
Z
qJA
- 归热阻抗 -
°
C / W
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
占空比= T
1
/t
2
P
t
1
t
2
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.001
0.01
0.1
1
t
p
- 脉冲宽度 - S
10
R
thJA
= 99
°
C / W （分铜）
T
J
= P
Z
q
JA
R
q
JA
100
1k
G012
图1.瞬态热阻抗
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3
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
文本
牛逼SPACING
50
45
V
GS
= 8V
V
GS
= 4.5V
50
45
V
DS
= 5V
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
40
35
30
25
20
15
10
5
0
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
T
C
= 125°C
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 2V
1
1.5
2
G001
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
2.75
3
G002
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图2.饱和特性
间距
TSPACING
图3.传输特性
间距
间距
10
9
8
I
D
= 20A
V
DS
= 12.5V
3
2.5
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
V
G
- 栅极电压 - V
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
G003
- 电容 - nF的
2
1.5
1
0.5
0
0
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
= C
GD
+ C
GS
C
RSS
= C
GD
5
10
15
20
25
G004
QG - 栅极电荷 - 数控
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
图4.栅极电荷
间距
间距
图5.电容
间距
间距
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
I
D
= 250
m
A
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
75
25
25
75
125
175
G005
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - 毫瓦
1.6
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
T
C
= 25
°
C
I
D
= 20A
T
C
= 125
°
C
7
8
9
10
G006
T
C
- 外壳温度 -
°
C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极至源极电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
间距
vs
间距
vs
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
75
I
SD
- 源极到漏极电流 - 一个
100
归一化通态电阻
I
D
= 20A
V
GS
= 4.5V
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
0.0001
25
25
75
125
175
G007
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
G008
T
C
- 外壳温度 -
°
C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
图8.归通态电阻与温度
间距
间距
图9.典型的二极管正向电压
间距
间距
1k
1k
100
I
（AV）
- 峰值雪崩电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
1ms
100
T
C
= 25
°
C
10
10ms
100ms
1s
1
区有限公司
由R
DS （ ON）
单脉冲
R
thJA
= 99
o
C / W （分铜）
0.1
1
V
D
- 漏极电压 - V
10
10
T
C
= 125
°
C
0.1
DC
0.01
0.01
100
G009
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
G010
t
（AV）
- 时间在雪崩 - 质谱
图10.最大安全工作区
间距
间距
图11.单脉冲松开电感开关
120
100
I
D
- 漏电流 - 一个
80
60
40
20
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
G011
T
C
- 外壳温度 -
°
C
图12.最大漏极电流与温度的关系
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5
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