CSD13202Q2
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SLPS313 - 2013年9月
12V N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD13202Q2
1
特点
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 2毫米×2毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
12
5.1
0.76
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
0.8
9.1
7.5
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD13202Q2
包
SON 2毫米×2毫米
塑料包装
媒体
7-Inch
REEL
数量
3000
船
磁带和
REEL
应用
优化负载开关应用
存储，平板电脑和手持设备
优化控制FET应用
负载同步降压转换器的点
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流（套餐限制）
连续漏电流
功耗
(1)
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 20A， L = 0.1mH ，R
G
= 25
(1)
(2)
价值
12
±8
22
14.4
76
2.7
-55到150
20
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
这12V ， 7.5mΩ NexFET功率MOSFET具有
旨在最大限度地减少功率损耗
转化率和负载管理应用。该
SON 2× 2提供了出色的散热性能
包的大小。
顶视图
D
1
D
6
D
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
(1) R
θJA
= 45 ° C /上1in铜瓦（ 2盎司）上0.060"厚的FR4 PCB 。
（2）脉冲持续时间为10μs ，占空比
≤2%
D
2
5
D
G
3
S
4
S
P0108-01
18
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
R
DS （ ON）
VS V
GS
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 25 ° C，I
D
= 5A
T
C
≤ 125 ° C，I
D
= 5A
栅极电荷
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3 3.5 4
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
4.5
5
5.5
G001
I
D
= 5A
V
DS
=6V
2
3
4
5
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
7
8
G001
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷 - 栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
DS
= 5A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 6V ，我
F
= 5A ，的di / dt = 200A / μs的
V
DS
= 6V, V
GS
= 4.5V ，我
DS
= 5A
R
G
= 2
V
DS
= 6V, V
GS
= 0V
V
DS
= 6V ，我
DS
= 5A
V
GS
= 0V, V
DS
= 6V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 9.6V
V
DS
= 0V, V
GS
= 8V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250μA
V
GS
= 2.5V ，我
DS
= 5A
V
GS
= 3V ，我
DS
= 5A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
= 5A
V
DS
= 6V ，我
DS
= 5A
动态特性
767
506
43
0.7
5.1
0.76
0.98
0.57
5.7
4.5
28
11.0
13.6
0.75
13
28
1
997
657
56
1.4
6.6
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
0.58
0.80
9.1
8.4
7.5
44
12
1
100
1.10
11.6
10.4
9.3
V
μA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
TYP MAX
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
热阻结到环境
(1) (2)
民
典型值
最大
6.4
60
单位
° C / W
° C / W
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
θJC
由设计规定，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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版权所有 2013年，德州仪器
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
1000
I
AV
- 峰值雪崩电流（ A）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
1ms
10ms
100
100ms
1s
DC
100
T
C
= 25C
T
C
= 125C
TEXT增加了间距
10
10
1
1
0.1
单脉冲
典型
ThetaJA
= 165C / W （分铜）
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
50
G001
0.1
0.01
0.1
1
T
AV
- 在雪崩时间（ms ）
10
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
30.0
I
DS
- 漏极 - - 源电流（A ）
27.0
24.0
21.0
18.0
15.0
12.0
9.0
6.0
3.0
0.0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
A
- AmbientTemperature （ C ）
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
版权所有 2013年，德州仪器
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12V N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD13202Q2
1
特点
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 2毫米×2毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
12
5.1
0.76
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
0.8
9.1
7.5
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD13202Q2
包
SON 2毫米×2毫米
塑料包装
媒体
7-Inch
REEL
数量
3000
船
磁带和
REEL
应用
优化负载开关应用
存储，平板电脑和手持设备
优化控制FET应用
负载同步降压转换器的点
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流（套餐限制）
连续漏电流
功耗
(1)
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 20A， L = 0.1mH ，R
G
= 25
(1)
(2)
价值
12
±8
22
14.4
76
2.7
-55到150
20
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
这12V ， 7.5mΩ NexFET功率MOSFET具有
旨在最大限度地减少功率损耗
转化率和负载管理应用。该
SON 2× 2提供了出色的散热性能
包的大小。
顶视图
D
1
D
6
D
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
(1) R
θJA
= 45 ° C /上1in铜瓦（ 2盎司）上0.060"厚的FR4 PCB 。
（2）脉冲持续时间为10μs ，占空比
≤2%
D
2
5
D
G
3
S
4
S
P0108-01
18
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
R
DS （ ON）
VS V
GS
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 25 ° C，I
D
= 5A
T
C
≤ 125 ° C，I
D
= 5A
栅极电荷
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3 3.5 4
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
4.5
5
5.5
G001
I
D
= 5A
V
DS
=6V
2
3
4
5
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
7
8
G001
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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SLPS313 - 2013年9月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷 - 栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
DS
= 5A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 6V ，我
F
= 5A ，的di / dt = 200A / μs的
V
DS
= 6V, V
GS
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DS
= 5A
R
G
= 2
V
DS
= 6V, V
GS
= 0V
V
DS
= 6V ，我
DS
= 5A
V
GS
= 0V, V
DS
= 6V ， F = 1MHz的
V
GS
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D
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 9.6V
V
DS
= 0V, V
GS
= 8V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250μA
V
GS
= 2.5V ，我
DS
= 5A
V
GS
= 3V ，我
DS
= 5A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
= 5A
V
DS
= 6V ，我
DS
= 5A
动态特性
767
506
43
0.7
5.1
0.76
0.98
0.57
5.7
4.5
28
11.0
13.6
0.75
13
28
1
997
657
56
1.4
6.6
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
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nC
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0.58
0.80
9.1
8.4
7.5
44
12
1
100
1.10
11.6
10.4
9.3
V
μA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
TYP MAX
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
热阻结到环境
(1) (2)
民
典型值
最大
6.4
60
单位
° C / W
° C / W
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
θJC
由设计规定，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
1000
I
AV
- 峰值雪崩电流（ A）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
1ms
10ms
100
100ms
1s
DC
100
T
C
= 25C
T
C
= 125C
TEXT增加了间距
10
10
1
1
0.1
单脉冲
典型
ThetaJA
= 165C / W （分铜）
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
50
G001
0.1
0.01
0.1
1
T
AV
- 在雪崩时间（ms ）
10
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
30.0
I
DS
- 漏极 - - 源电流（A ）
27.0
24.0
21.0
18.0
15.0
12.0
9.0
6.0
3.0
0.0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
A
- AmbientTemperature （ C ）
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
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