CSD-4M
CSD-4N
4.0 AMP SCR
600 THRU 800伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中环半导体CSD- 4M
串联式是环氧模塑可控硅
整流器设计的传感电路的应用
和控制系统。
标识代码：全型号
DPAK晶闸管案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 85°C ）
峰值一个周期浪涌（ T = 10毫秒）
I
2
为融合吨值（T = 10毫秒）
峰值功率门控（ TP = 20μS ）
平均门功耗
栅极峰值电流（ TP = 20μS ）
通态电流临界上升率
储存温度
结温
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
IGM
的di / dt
TSTG
TJ
惩教署
-4M
600
4.0
30
4.5
3.0
0.2
1.2
50
-40到+150
-40到+125
惩教署
-4N
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
A / μs的
°C
°C
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM ， IRRM
IDRM ， IRRM
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
额定VDRM ， VRRM ， RGK = 1KΩ
额定VDRM ， VRRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
VD = 12V ，RL = 10Ω
IT = 50mA时RGK = 1KΩ
VD = 12V ，RL = 10Ω
ITM = 8.0A ， TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
10
典型值
最大
10
200
单位
A
A
A
mA
V
V
V / μs的
20
38
0.25
0.55
1.6
200
2.0
0.8
1.8
R0 （ 2004年20月）
CSD-4M
CSD-4N
表面贴装
可控硅整流器
4安培， 600 THRU 800伏
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中环半导体CSD- 4M系列
类型是环氧模塑可控硅
设计用于检测电路的应用和控制
系统。
标记：全部型号
DPAK晶闸管案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 85°C ）
峰值一个周期浪涌电流， T = 10毫秒
I
2
t
对于熔断值， T = 10毫秒
峰值功率门控， TP = 20μS
平均门功耗
栅极峰值电流， TP = 20μS
通态电流临界上升率
工作结温
储存温度
符号
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
IGM
的di / dt
TJ
TSTG
CSD-4M
600
4.0
30
4.5
3.0
0.2
1.2
50
CSD-4N
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
A / μs的
°C
°C
-40到+125
-40到+150
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM ，
IDRM ，
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
IRRM
IRRM
额定VDRM ，
额定VDRM ，
VRRM ， RGK = 1KΩ
VRRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
20
典型值
最大
10
200
单位
μA
μA
μA
mA
V
V
V / μs的
VD = 12V ，RL = 10Ω
IT = 50mA时RGK = 1KΩ
VD = 12V ，RL = 10Ω
ITM = 8.0A ， TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
38
0.25
0.55
1.6
200
2.0
0.8
1.8
10
R1 （ 2010年12月）
CSD-4M
CSD-4N
表面贴装
可控硅整流器
4安培， 600 THRU 800伏
DPAK晶闸管案例 - 机械外形
前导码：
1 ）阴极
2 ）阳极
3 ）门
4 ）阳极
标记：
全部型号
R1 （ 2010年12月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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