大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克＃ QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
NPN硅外延功率晶体管
CSC2688
（BPL）
TO-126
绝对最大额定值（Ta = 25deg C）
描述
符号
价值
VCBO
300
集电极基极电压
VCEO
300
集电极发射极电压
VEBO
5
发射极电压
IC
200
连续集电极电流
PC
1.25
集电极耗散功率@ TA = 25℃
PC
10
集电极耗散功率@ TC = 25℃
Tj
150
结温
TSTG
-55到+150
存储温度范围
电气特性（TA = 25℃除非指定）
描述
符号
测试条件
VCEO
IC = 5毫安， IB = 0
集电极 - 发射极电压
VCBO
IC = 0.1毫安， IE = 0
集电极 - 基极电压
VEBO
IE=0.1mA,IC=0
发射极电压
ICBO
VCB = 200V ， IE = 0
收藏家切断电流
IEBO
VEB=4V,IC=0
发射器切断电流
VCE （星期六） * IC = 50mA时IB = 5毫安
集电极 - 发射极饱和电压
的hFE *
IC = 10毫安， VCE = 10V
直流电流增益
动态特性
ft
VCE=30V,IC=10mA,
跃迁频率
CRE
VCB = 30V ， IE = 0
反馈电容
f=1MHz
*分类的hFE
R: 40-80
O : 60-120
Y :100-200
*脉冲测试： PW = 350uS ，占空比= 2 ％
单位
V
V
V
mA
W
W
摄氏度
摄氏度
民
300
300
5
-
-
-
40
50
-
G :160-250
最大
-
-
-
0.1
0.1
1.5
250
-
3
单位
V
V
V
uA
uA
V
兆赫
pF
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页2
TO- 126 （ SOT- 32 ）塑料包装
C
N
P
B
1
2
3
A
IM
A
B
C
D
E
F
G
L
M
N
P
S
M IN 。
M AX 。
S
D
M
F
E
G
包装细节
包
TO-126
标准包装
详细
净重量/数量
500个/塑料袋340克/ 500个
内箱箱
SIZE
数量
3" X 7.5" X 7.5"
2.0K
SIZE
外箱BOX
数量
克重量
32.0K
31公斤
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，从而
要确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。提供的CDIL网络上的信息
网站/ CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担不准确或不完整的责任
信息。此外， CDIL不承担任何责任，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品（或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话+ 91-11-579 6150传真+ 91-11-579 9569 579 5290
电子邮件sales@cdil.com
www.cdil.com
大陆设备印度有限公司
数据表
第2页2
尺寸：mm 。
1
2
3
L
P IN C O 4 N图ú ATIO
1.电子M ITTE
2 C 0 LLEC至R
3， B为E
7.4
7.8
10.5
10.8
2.4
2.7
0.7
0.9
2.25 TY P.
0.49
0.75
4.5 TY P.
15.7 TY P.
1.27 TY P.
3.75 TY P.
3.0
3.2
2.5 TY P.
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通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
NPN硅外延功率晶体管
CSC2688
TO-126
EC
B
绝对最大额定值（Ta = 25deg C）
描述
符号
价值
VCBO
300
集电极基极电压
VCEO
300
集电极发射极电压
VEBO
5
发射极电压
IC
200
连续集电极电流
PC
1.25
集电极耗散功率@ TA = 25℃
PC
10
集电极耗散功率@ TC = 25℃
Tj
150
结温
TSTG
-55到+150
存储温度范围
电气特性（TA = 25℃除非指定）
描述
符号
测试条件
VCEO
IC = 5毫安， IB = 0
集电极 - 发射极电压
VCBO
IC = 0.1毫安， IE = 0
集电极 - 基极电压
VEBO
IE=0.1mA,IC=0
发射极电压
ICBO
VCB = 200V ， IE = 0
收藏家切断电流
IEBO
VEB=4V,IC=0
发射器切断电流
VCE （星期六） * IC = 50mA时IB = 5毫安
集电极 - 发射极饱和电压
的hFE *
IC = 10毫安， VCE = 10V
直流电流增益
动态特性
ft
VCE=30V,IC=10mA,
跃迁频率
CRE
VCB = 30V ， IE = 0
反馈电容
f=1MHz
*分类的hFE
R: 40-80
O : 60-120
Y :100-200
*脉冲测试： PW = 350uS ，占空比= 2 ％
单位
V
V
V
mA
W
W
摄氏度
摄氏度
民
300
300
5
-
-
-
40
50
-
G :160-250
最大
-
-
-
0.1
0.1
1.5
250
-
3
单位
V
V
V
uA
uA
V
兆赫
pF
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数据表
第1页2
TO- 126 （ SOT- 32 ）塑料包装
C
N
P
B
1
2
3
A
IM
A
B
C
D
E
F
G
L
M
N
P
S
M IN 。
M AX 。
S
D
M
F
E
G
包装细节
包
TO-126
标准包装
详细
净重量/数量
500个/塑料袋340克/ 500个
内箱箱
SIZE
数量
3" X 7.5" X 7.5"
2.0K
SIZE
外箱BOX
数量
克重量
32.0K
31公斤
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，从而
要确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。提供的CDIL网络上的信息
网站/ CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担不准确或不完整的责任
信息。此外， CDIL不承担任何责任，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品（或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ， 5141 1112传真：+ 91-11-2579 5290 ， 5141 1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
大陆设备印度有限公司
数据表
第2页2
尺寸：mm 。
1
2
3
L
P IN C O 4 N图ú ATIO
1.电子M ITTE
2 C 0 LLEC至R
3， B为E
7.4
7.8
10.5
10.8
2.4
2.7
0.7
0.9
2.25 TY P.
0.49
0.75
4.5 TY P.
15.7 TY P.
1.27 TY P.
3.75 TY P.
3.0
3.2
2.5 TY P.
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