大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
TO- 220塑料包装
CSB857 ， CSB858
CSD1133 ， CSD1134
CSB857 ， 858
PNP塑料功率晶体管
CSD1133 ， 1134年塑料NPN功率晶体管
低频功率放大器
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
4
1
2
3
B
H
F
C
E
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
分钟。
14.42
9.63
3.56
马克斯。
1 2
N
L
3
D
G
J
M
16.51
10.67
4.83
0.90
1.15
1.40
3.75
3.88
2.29
2.79
2.54
3.43
0.56
12.70 14.73
2.80
4.07
2.03
2.92
31.24
DEG 7
A
O
O
绝对最大额定值
857
1133
马克斯。 70
马克斯。 50
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
857
1133
马克斯。 70
马克斯。 50
马克斯。
858
1134
70 V
60 V
4.0
A
40
W
150
°C
1.0
60
320
858
1134
70 V
60 V
5.0
V
V
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
结温
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2 A;我
B
= 200毫安
直流电流增益
I
C
= 1 ; V
CE
= 4 V
在MM都diminsions 。
数据表
K
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
T
j
V
CESAT
h
FE
评级
（在T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
极限值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
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CSB857 ， CSB858
CSD1133 ， CSD1134
集电极电流
集电极电流（峰值）
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
结温
储存温度
特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
收藏家Cuto FF电流
I
E
= 0; V
CB
= 50V
击穿电压
I
C
= 50毫安;我
B
= 0
I
C
= 10 μA ;我
E
= 0
I
E
= 10 μA ;我
C
= 0
饱和电压
I
C
= 2 A;我
B
= 0.2 A
基极发射极电压
I
C
= 1 ; V
CE
= 4 V
直流电流增益
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 4 V
I
C
= 1.0 A; V
CE
= 4 V**
跃迁频率
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 4 V
I
C
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
4.0
8.0
40
150
-65到+150
A
A
W
C
C
857
1133
I
CBO
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CESAT
*
V
BE（上）
*
h
FE *
h
FE *
马克斯。
分钟。
分钟。
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
马克斯。
典型值。
典型值。
50
70
5.0
1.0
1.0
35
60
320
15
7.0
1.0
858
1134
A
60 V
V
V
V
V
PNP
NPN
f
T
兆赫
兆赫
** h
FE
分类： B： 60-120 C： 100-200 D： 160-320
*脉冲测试
大陆设备印度有限公司
数据表
分页： 1 2 3
笔记
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，从而
要确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。家具上的CDIL网站上的信息/
CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担不准确或不完整的责任
信息。此外， CDIL不承担任何责任，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品（或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ， 5141 1112传真：+ 91-11-2579 5290 ， 5141 1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
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数据表
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一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
TO- 220塑料包装
IS / ISO 9002
里克＃ QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
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CSD1133 ， CSD1134
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PNP塑料功率晶体管
CSD1133 ， 1134年塑料NPN功率晶体管
低频功率放大器
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
4
1
2
3
B
H
F
C
E
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
分钟。
14.42
9.63
3.56
马克斯。
N
L
O
1 2
3
D
G
J
M
16.51
10.67
4.83
0.90
1.15
1.40
3.75
3.88
2.29
2.79
2.54
3.43
0.56
12.70 14.73
2.80
4.07
2.03
2.92
31.24
DEG 7
A
O
绝对最大额定值
857
1133
马克斯。 70
马克斯。 50
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
857
1133
马克斯。 70
马克斯。 50
马克斯。
858
1134
70 V
60 V
4.0
A
40
W
150
°C
1.0
60
320
858
1134
70 V
60 V
5.0
V
V
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
结温
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2 A;我
B
= 200毫安
直流电流增益
I
C
= 1 ; V
CE
= 4 V
所有迪民所起到的毫米。
数据表
K
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
T
j
V
CESAT
h
FE
评级
（在T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
极限值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
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集电极电流
集电极电流（峰值）
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
结温
储存温度
特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
收藏家Cuto FF电流
I
E
= 0; V
CB
= 50V
击穿电压
I
C
= 50毫安;我
B
= 0
I
C
= 10 μA ;我
E
= 0
I
E
= 10 μA ;我
C
= 0
饱和电压
I
C
= 2 A;我
B
= 0.2 A
基极发射极电压
I
C
= 1 ; V
CE
= 4 V
直流电流增益
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 4 V
I
C
= 1.0 A; V
CE
= 4 V**
跃迁频率
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 4 V
I
C
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
4.0
8.0
40
150
-65到+150
A
A
W
C
C
857
1133
I
CBO
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CESAT
*
V
BE（上）
*
h
FE *
h
FE *
马克斯。
分钟。
分钟。
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
马克斯。
典型值。
典型值。
50
70
5.0
1.0
1.0
35
60
320
15
7.0
1.0
858
1134
A
60 V
V
V
V
V
PNP
NPN
f
T
兆赫
兆赫
** h
FE
分类： B： 60-120 C： 100-200 D： 160-320
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该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，从而
要确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。家具上的CDIL网站上的信息/
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信息。此外， CDIL不承担任何责任，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品（或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
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电话+ 91-11-579 6150传真+ 91-11-579 9569 579 5290
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