富士通半导体
数据表
DS06-20208-3E
半定制
CMOS
标准单元阵列
CS91系列
■
描述
在CS91系列0.11
m
CMOS标准单元是一条线的高度集成的CMOS专用集成电路具有高速
和低功耗。该系列采用了高达48万门其中有16门延迟时间
ps的，从而导致在两个积分，加快约3倍，比传统产品要高。
■
特点
技术
: 0.11
m
硅栅CMOS ， 5至8层布线（铜被用作导线材料。 ）
低K （ 2.7 ）跨层材料（即具有低介电常数的层间材料）
支持用于高速，高集成度，低泄漏内部细胞组。能够结合在同一芯片上的。
电源电压
:
+1.2
V
±
0.1 V（标准规格）
结温范围：
40 °C
to
+125 °C
门延迟时间：吨
pd
=
16 PS （ 1.2 V，逆变器，女/ O
=
1)
门功耗：钯
=
6.6净重/兆赫/ BC （ 1.2 V，逆变器，女/ O
=
1)
超高速的支持（ 622 Mbps到780 Mbps的2.5 Gbps至3.125 Gbps的， 10 Gbps）的接口宏
传输
特殊接口*：P -CML ，LVDS ，PCI SSTL ，HSTL ，T- LVTTL ，等等。
缓冲单元，致力于晶体振荡器
IP宏*
： CPU（ ARM9， ARM7TDMI ） ，DSP， PCI， IEEE 1394 ，USB ，红外，锁相环， ADC，DAC，以及其它。
编译单元（ RAM / ROM /倍频，等等。 ）
使用工业标准工具和支持的最佳工具的应用
使用物理原型工具短期发展
层次化设计环境配套的大型电路
支持信号完整性， EMI降噪
支持高分辨率RC提取基地延迟计算环境
支持电源线的优化环境
（续）
版权所有2002-2006富士通有限公司保留所有权利
CS91系列
（续）
支持静态时序签收
支持内存（ RAM / ROM ） BIST
支持边界扫描
支持逻辑BIST
多种封装选项*的： FCBGA （ 2116针最大） ， EBGA ， FBGA ，等等。
*：包括正在开发的项目。
■
宏库（正在准备含宏）
1.
逻辑单元（约400种）
加法器
与或逆变器
时钟缓冲器
LATCH
NAND
和
NOR
扫描触发触发器
ENOR
与或
解码器
非扫描。触发器
逆变器
卜FF器
OR-和变频器
OR
选择器
EOR
OTHERS
2. IP宏
CPU / DSP
超高速I / F的宏
接口宏
多媒体处理宏
混合信号宏
编译宏
PLL
ARM9 ， ARM7TDMI ，
通信DSP ， DSP对AV
622 Mbps至780 Mbps的2.5 Gbps至3.125 Gbps的， 10 Gbps的
PCI ， IEEE1394 ， USB ，红外线等。
JPEG，MPEG等。
ADC ， DAC ，运算放大器等。
RAM，ROM，乘法器，加法器，乘法器，累加器等
模拟锁相环，数字锁相环
3.特殊的I / O接口的宏
T- LVTTL
LVDS
SSTL
PCI
HSTL
USB
P- CML
2
CS91系列
■
编译细胞
编译的电池是将自动与指定的位/字配置生成宏小区。该
CS91系列拥有编译单元的以下几种类型。 （请注意，每个宏字/位范围不同
这取决于色谱柱的类型。 ）
1.时钟同步单口RAM（ 1地址： 1 RW ）
列类型
4
16
内存容量
32 128千
2176 288
字范围
16至1K的
1088为8K
位范围
2 128
2至36
单位
位
位
2.时钟同步双端口RAM （地址2 ： 2 RW ）
列类型
4
16
内存容量
32 288
128 288
字范围
16至2千
64 8K的
位范围
2 144
2至36
单位
位
位
3.时钟同步ROM
列类型
16
64
内存容量
256至1M
1024至1M
字范围
128为8K
512到32K的
位范围
2 128
2至32
单位
位
位
4.
大容量内存的时钟同步单口RAM类型
(
1地址
:
1 RW
)
列类型
32
内存容量
16 K至4米
字范围
8 K至32K的
位范围
2 128
单位
位
3
CS91系列
■
绝对最大额定值
(V
SS
=
0 V)
参数
符号
应用
V
DDI
（内部）
电源电压
V
DD
V
DDE
（ 2.5 V外部）
V
DDE
（外部3.3 V ）
1.2 V
输入电压
*1
V
I
2.5 V
3.3 V
1.2 V
输出电压
V
O
2.5 V
3.3 V
储存温度
T
ST
塑料包装
L形同步开关
噪音：最小延时：长
输出电流
*2
I
O
M型同步开关
噪音：小，延时：中
H型同步开关
噪音：中间延时：短
* 1 ：数值分别确定为LVDS，等等。
* 2：其可以不断地被提供的最大输出电流。
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
等级
民
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
55
最大
+
1.8
+
3.6
+
4.0
V
DDI
+
0.5
(
≤
1.8 V)
V
DDE
+
0.5
(
≤
3.6 V)
V
DDE
+
0.5
(
≤
4.0 V)
V
DDI
+
0.5
(
≤
1.8 V)
V
DDE
+
0.5
(
≤
3.6 V)
V
DDE
+
0.5
(
≤
4.0 V)
+125
±
25
±
25
±
25
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
mA
mA
mA
4
CS91系列
■
推荐工作条件
单电源供电
(V
DD
=
1.2 V
±
0.1 V)
参数
电源电压
“ H”电平输入电压
“ L”电平输入电压
结温
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
j
价值
民
1.1
V
DD
×
0.7
0.3
40
典型值
1.2
最大
1.3
V
DD
+
0.3
V
DD
×
0.3
+125
(V
SS
=
0 V)
单位
V
V
V
°C
双电源
(V
DDE
=
3.3 V
±
0.3 V, V
DDI
=
1.2 V
±
0.1 V)
参数
电源电压
“ H”电平输入电压
“ L”电平输入电压
结温
3.3 V电源电压
1.2 V电源电压
3.3 V CMOS电平
1.2 V CMOS电平
3.3 V CMOS电平
1.2 V CMOS电平
符号
V
DDE
V
DDI
V
IH
V
IL
T
j
价值
民
3.0
1.1
2.0
V
DDI
×
0.7
0.3
0.3
40
典型值
3.3
1.2
最大
3.6
1.3
V
DDE
+
0.3
V
DDI
+
0.3
+0.8
V
DDI
×
0.3
+125
(V
SS
=
0 V)
单位
V
V
V
V
V
V
°C
(V
SS
=
0 V)
价值
典型值
2.5
1.2
最大
2.7
1.3
V
DDE
+
0.3
V
DDI
+
0.3
+0.7
V
DDI
×
0.3
+125
单位
V
V
V
V
V
V
°C
双电源
(V
DDE
=
2.5 V
±
0.2 V, V
DDI
=
1.2 V
±
0.1 V)
参数
电源电压
“ H”电平输入电压
“ L”电平输入电压
结温
2.5 V电源电压
1.2 V电源电压
2.5 V CMOS电平
1.2 V CMOS电平
2.5 V CMOS电平
1.2 V CMOS电平
符号
V
DDE
V
DDI
V
IH
V
IL
T
j
民
2.3
1.1
1.7
V
DDI
×
0.7
0.3
0.3
40
警告：在推荐的工作条件是必需的，以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性都保证在设备
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用，应联系其
富士通的代表事前。
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