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82C87H
1997年3月
CMOS反相八路总线收发器
描述
Intersil的82C87H是一种高性能的CMOS八路
使用自对准硅栅收发器制造
CMOS工艺(缩放佐治四)。该82C87H提供了一个完整的
8位双向总线接口的20引脚封装。该
发送( T)控制决定了数据的方向。活跃
低输出使能( OE )允许简单的接口
80C86 , 80C88等微处理器。该82C87H有
选通输入,省去了上拉/下拉电阻
器并降低整个系统的操作的功耗。
该82C87H提供在输出反相数据。
特点
全八位双向总线接口
行业标准8287兼容的引脚排列
??高驱动能力
- B面我
OL
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
- 一个侧面I
OL
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12毫安
三态反相输出
传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为35ns最大。
选通输入
- 减少操作电源
- 无需上拉电阻器
单5V电源
低功耗操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ICCSB = 10μA
工作温度范围
- C82C87H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至+70
o
C
- I82C87H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
- M82C87H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
订购信息
产品编号
5MHz
CP82C87H-5
IP82C87H-5
CS82C87H-5
IS82C87H-5
CD82C87H-5
ID82C87H-5
MD82C87H-5/B
5962-
8757702RA
MR82C87H-5/B
5962-
87577022A
8MHz
PACK-
AGE
温度。
范围
0
o
C至+70
o
C
PKG 。
E20.3
CP82C87H 20 Ld的
PDIP
IP82C87H
CS82C87H 20 Ld的
PLCC
IS82C87H
CD82C87H 20 Ld的
CERDIP
ID82C87H
-
-
-
-
SMD #
20垫
CLCC
SMD #
-40
o
C至+ 85
o
E20.3
0
o
C至+70
o
C
N20.35
-40
o
C至+ 85
o
N20.35
0
o
C至+70
o
C
F20.3
-40
o
C至+ 85
o
F20.3
-55
o
C到
+125
o
C
F20.3
F20.3
-55
o
C到
+125
o
C
J20.A
J20.A
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2978.1
4-325
82C87H
引脚配置
82C87H ( PDIP , CERDIP )
顶视图
82C87H ( PLCC , CLCC )
顶视图
V
CC
A2
A1
A0
B0
真值表
T
X
H
L
OE
H
L
L
A
高阻
I
O
B
高阻
O
I
A0 1
A1 2
A2 3
A3 4
A4 5
A5 6
A6 7
A7 8
OE 9
GND 10
20 V
CC
19 B0
18 B1
17 B2
16 B3
15 B4
14 B5
13 B6
12 B7
11 T
A6 7
A7 8
A3 4
A4 5
A5 6
3
2
1
20
19
18 B1
17 B2
16 B3
15 B4
14 B5
H
L
I
O
X
高阻
=逻辑一
=逻辑零
输入模式
输出模式
= DO NOT CARE
=高阻
引脚名称
9
OE
10
GND
11
T
12
B7
13
B6
A
0
-A
7
B
0
-B
7
T
OE
描述
本地总线数据I / O引脚
系统总线数据I / O引脚
传输控制输入
低电平有效输出使能
4-326
82C87H
工作原理图
A0
B0
去耦电容
进行充电和放电所需要的瞬态电流
在82C86H / 87H数据300pF负载电容特定网络版
片由下式确定:
I
=
C
L
(
dv
dt
)
(公式4),
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
假定所有的输出的同时改变状态,并
该dv / dt的是恒定的;
(
V CC
×
80%
)
-
I
=
C
L
------------------------------------
tR
tF
(当量5)
其中, TR = 20ns的,V
CC
= 5.0V ,C
L
= 300pF每8输出
放。
I
=
(
80
×
300
×
10
=
480mA
12
) × (
5.0V
×
0.8
) (
20
×
10
9
)
(当量6)
OE
T
选通输入
中的锁存器的正常系统操作,信号
总线在设备投入将成为高阻抗或
使跃迁无关的锁存器的操作。
这些无关的输入转换开关的输入电路
并且通常会导致增加功率耗散
CMOS器件通过创建之间的低电阻通路
V
CC
和GND当信号处于或接近所述输入开关
荷兰国际集团的门槛。另外,如果驱动信号变为高
阻抗( “FL燕麦”状态) ,它可以创建一个indetermi-
在输入内特逻辑状态,并导致中断
设备的操作。
Intersil的82C8X系列公交车司机则消除了这些
通过关闭数据输入时,数据被锁存条件
机顶盒(STB =逻辑0为82C82 / 83H ),当该装置是
禁用( OE =逻辑1的82C87H / 87H ) 。这些门
输入断开V的输入电路
CC
地电源引脚通过关闭上部的P-常用信
来和低位的N-信道(参见图1和图2)。没有电流
从V溢流
CC
到GND时输入端的电压发生和
从浮动投入无效的逻辑状态不被发送。
在下一个阶段被保持到一个有效的逻辑电平的内部向
装置。
直流输入电压水平,也可以导致增加的IC卡是否
这些输入电平接近最小V
IH
或最大
V
IL
条件。这是由于在输入的操作税务局局长
cuitry在其线性工作区域(部分导电
状态) 。该82C8X系列选通输入意味着这一条件
化将在时间的装置处于反式仅发生
父模式(STB =逻辑1 ) 。 ICC仍低于
10μA的那段时间最大ICC待机特定网络阳离子
输入被禁用,从而大大降低了平均
在82C8X系列器件的功耗。
此电流尖峰可能会导致一个大的负电压尖峰
V
CC
这可能导致设备的操作不当。以1-科幻
之三出这种噪音,建议一个0.1μF的陶瓷盘
电容放置V之间
CC
和GND在每个装置中,
与被安置在靠近该设备成为可能。
V
CC
P
P
N
机顶盒
DATA IN
N
P
国内
数据
V
CC
N
图3: 82C82 / 83H
V
CC
P
OE
P
DATA IN
V
CC
P
N
N
N
国内
数据
图4. 82C86H / 87H选通输入
4-327
82C87H
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 8.0V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.5V到V
CC
+0.5V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
16
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
20
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
PLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温密封包装。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最高结温塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
( PLCC - 只会提示)
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围
C82C87H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至+70
o
C
I82C87H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
M82C87H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265 ·盖茨
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
直流电特定网络阳离子
V
CC
= 5.0V
±
10%; T
A
= 0
o
C至+70
o
C( C82C87H ) ;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C( I82C87H ) ;
T
A
= -55
o
C至+ 125
o
C( M82C87H )
2.0
2.2
-
最大
-
-
0.8
单位
V
V
V
测试条件
C82C87H , I82C87H
M82C87H (注1 )
符号
V
IH
参数
合乎逻辑的
输入电压
V
IL
V
OH
逻辑零输入电压
合乎逻辑的输出电压
B输出
A输出
A或B输出
3.0
3.0
V
CC
-0.4
-
-
-
V
V
V
I
OH
= -8mA
I
OH
= -4mA
I
OH
= -100A
V
OL
逻辑零的输出电压
B输出
A输出
-
-
-10.0
-10.0
-
-
0.45
0.45
10.0
10.0
10
1
V
V
A
A
A
毫安/ MHz的
I
OL
= 20mA下
I
OL
= 12毫安
V
IN
= GND或V
CC
拨销9,11
VO = GND或V
CC
, OE
V
CC
-0.5V
DIP引脚1 - 8 , 12 - 19
V
IN
= V
CC
或GND ,V
CC
= 5.5V ,输出打开
T
A
= +25
o
C,典型(见注2 )
I
I
IO
ICCSB
ICCOP
注意事项:
输入漏电流
输出漏电流
备用电源
当前
工作电源
当前
1. V
IH
通过施加幅值的脉冲= V测
IH(分钟)
到一个数据输入的时间,并检查相应的设备输出
一个有效的逻辑“1”时有效输入高电平时间。控制引脚(T , OE )与所有设备数据输入引脚在V分别测试
CC
-0.4.
2.典型ICCOP =读/周期时间1毫安/ MHz的。 (实施例:是1.0μs的读/写周期时间= 1毫安) 。
电容
符号
CIN
T
A
= +25
o
C
参数
输入电容
B输入
A输入
18
14
pF
pF
FREQ = 1MHz时,所有的测量都
引用到设备GND
典型
单位
测试条件
4-328
82C87H
AC电气特定网络阳离子
V
CC
= 5.0V
±
10%;
T
A
= 0
o
C至+70
o
C( C82C87H ) ;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C( I82C87H ) ;
T
A
= -55
o
C至+ 125
o
C( M82C87H )
注4
82C87H
最大
82C87H-5
最大
FREQ = 1MHz的
符号
(1)
TIVOV
参数
输入到输出的延迟
反相
非反相
单位
测试条件
注意事项1, 2
5
5
5
10
5
10
-
30
32
-
-
30
50
20
35
35
-
-
35
65
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项1, 2
注意事项1, 2
注意事项1, 2
注意事项1, 2
注意事项1, 2
注3
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
TEHTV
TTVEL
TEHOZ
TELOV
TR , TF
tEHEL
发送/接收保持时间
发送/接收设置时间
输出禁止时间
输出使能时间
输入上升/下降时间
最小输出使能高电平时间
82C87H
82C87H-5
30
35
-
-
-
-
ns
ns
注意事项:
1.所有AC参数的时序波形和测试负载电路测试,按照测试电路和去连接nitions 。输入上升和下降时间驱动
在为1ns / V 。
2.输入测试信号必须V之间切换
IL
- 0.4V和V
IH
+0.4V.
只有3系统的限制改变方向的时候。没有一个测得的参数。
4. 82C87H在商用和工业温度仅适用范围。 82C87H - 5是在商业,工业和军事用
温度范围。
时序波形
TR , TF ( 6 )
输入
2.0V
0.8V
TEHEL (7)
OE
(1)
TIVOV
输出
(4)
TEHOZ
V
OH
-0.1V
V
OL
+0.1V
TEHTV (2)
T
TELOV (5)
3.0V
0.45V
TTVEL (3)
4-329
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