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CS8240
CS8240
500毫安高端( PNP )驱动程序
带有片上续流二极管
描述
该CS8240是一款快速, PNP偏高
驾驶员能够提供高达
500毫安成电阻或电感的
负载在严苛的汽车和工业
环境。内部反激
二极管钳位装置供电感
略去负荷。输入(V
IN
)是TTL和
CMOS兼容,具有迟滞特性,
最小化噪声的影响。当
输入为高电平时,输出为ON 。当
的输入为低时,输出关闭和
电源电压静态电流
非常低( <1.0μA ,典型值) 。对于设备亲
tection的CS8240集成了热敏
发作关断,短路电流
限流,过压关断,并
电池反接保护。该CS8240
可承受电压转录
60V (最小值)和-50V的sients 。
的CS8240处于overmold-可用
ED 5引脚TO - 220封装,是一个COM
petitive更换为LM- 1921
LM- 1951 , LM- 1952 , MC- 3399和L- 9350 。
特点
s
低输出饱和
电压
在0.22V我
OUT
= 125毫安
0.33V的我
OUT
= 225毫安
s
包覆成型封装
s
片续流二极管
s
故障保护
过电压
关机( 32V ,典型值)
热关断
( 165C ,典型值)
短路LIMITING
( 1.1A典型值)
-50V反向瞬态
保护
60V的抛负载
保护
电池反接
s
低静态电流
(关断状态)
s
ESD保护
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..................................... 6V至26V +
过压保护................................................ .................................... 60V
反向电压................................................ ........................................- 16V DC
.................................................. .......................................- 50V瞬态
内部功耗............................................... ......内部限制
逻辑输入电压............................................... ...........................- 0.3V至7.0V
结温范围............................................... ......- 40C至+ 150C
存储温度范围............................................... .......- 55C至+ 165C
无铅焊接温度
波峰焊(只通过孔样式) ............. 10秒。最大260 ° C峰值
静电放电(人体模型) ........................................... .2kV
框图
封装选项
5引脚TO -220
包覆成型
V
CC
当前
极限
过压
关闭
控制
电路
OUT
V
IN
关闭
1
2
3
4
5
1
V
CC
OUT
NC
GND
V
IN
GND
樱桃半导体公司
2000县南径,东格林威治, RI 02818
联系电话: (401)885-3600传真: (401)885-5786
电子邮件: info@cherry-semi.com
网站: www.cherry-semi.com
牧师98年1月27日
1
A
¨
公司
CS8240
电气特性:
-40 ° C≤牛逼
A
125℃ , -40C 2 T
J
150C ,除非另有说明。
参数
测试条件
典型值
最大
单位
s
一般特性
工作电源电压
静态电流
6.0
V
CC
= 12V, V
IN
V
IN( LOW )
V
IN
V
IN( HI )
, R
负载
= 50½,
6 V
CC
20V
20V V
CC
24V
1
16
25
100
30
50
V
A
mA
mA
s
输出级
输出饱和电压
V
IN
V
IN( HI )
, V
CC
= 6.0V,
I
负载
= 125毫安
V
CC
= 14V ,我
负载
= 225毫安
输出漏电流
负输出钳位
打开延迟时间
关闭延迟时间
s
输入级
输入电压
输入电流
逻辑=高,V
CC
= 12V接通
逻辑=低,V
CC
= 12V关掉
V
IN
= 5.5V
V
IN
= 0.8V
0.8
1.45
1.2
100
15
2.0
200
50
V
V
A
A
输入= V
IN(L )
, V
CC
= 12V, V
OUT
= 0V
I
= 100mA时V
CC
= 12V
V
CC
= 12V,我
负载
= 150毫安
V
CC
= 12V,我
负载
= 150毫安
-18
0.22
0.33
1
-15.5
5
5
0.5
0.7
150
-12
20
20
V
V
A
V
us
us
s
保护电路
过压关断
V
IN
V
IN( HI )
输出短路电流V
IN
V
IN( HI )
, V
CC
= 12V, V
OUT
= 0V
热关断
26
0.55
150
32
1.1
165
2.5
V
A
C
封装引线说明
封装引线#
LEAD符号
功能
5引脚TO -220
1
2
3
4
5
V
CC
OUT
NC
GND
V
IN
电源电压为IC 。供应负载电流通过
输出PNP 。
输出PNP的集电极电流负载了源代码
从这个领先优势。
无连接。
地面上。
输入电压来控制输出。逻辑高电平变为输出
穿。逻辑低电平将输出关闭。
2
CS8240
典型性能特性
静态电流与我
OUT
40
+125°C
35
30
1.20
1.10
1.00
输出饱和电压与我
OUT
V
CC
= 12V
V
IN
2.0V
+25°C
0.90
0.80
V
CC
= 12V
V
IN
2.0V
+125°C
I
Q
(MA )
V
SAT
(V)
25
20
15
10
5
0
0
100
200
300
400
500
-40°C
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
+25°C
-40°C
600
0
100
200
300
400
500
600
I
OUT
(MA )
IOUT (MA )
导通延迟时间
反激钳位特性
5V
5V
VIN
负载= 80W , 50mH
V
IN
0V
12V
0V
12V
0V
VOUT
V
OUT
0V
-15V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
(女士)
(女士)
关闭延迟时间
60
5V
I
IN
与V
IN
50
V
IN
ON
输入电流(mA )
0V
40
30
20
10
0
关闭
12V
V
OUT
-15V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
(女士)
输入电压( V)
3
CS8240
电路描述
输入级
输入级是一个自偏压带隙基电路与
1.45V (典型值)和负向的正向跳变点
的1.20V (典型值)跳变点(滞后为250mV ) 。当输入
电压低于正跳变点,静态电流
电源电压线的小于1μA (典型值)。当
输入电压超过正跳变点( 1.45V典型值)时,
输入级wakes UPO的CS8240电路的其余部分,
接通输出级。
把电流。对PNP的基极驱动为主导的COM
该CS8240和静态电流的分量是依赖新生
凹痕在输出电流的电平。
短路保护( 1.1A ,典型值)的内容也纳入
输出级。
保护电路
除了上面提到的短路保护,
该CS8240还采用了热关断电路
( 165C ,典型值)和高电压关断电路( 33V ,典型值) ,
这两者切断驱动的PNP输出晶体管
当电流过大时绘制的。固有的设计
CS8240是短暂的保护, + 60V和-50V的电源
线。该CS8240是ESD保护超过2kV的(人
人体模型) 。
输出级
输出级是围绕一个大电流PNP输出
晶体管。控制放大器监控饱和电压
的输出PNP和保持低饱和度的平衡
电压和最小基极驱动的PNP对于给定的输出
典型应用电路
电磁驱动器
V
CC
*
0.1mF
CS8240
5V
0V
1
2
5
3
灯驱动器
V
CC
0.1mF
CS8240
GE194
5
3
1
2
V
CC
= 6.0V至26.0V
控制高端开关
V
BAT
V
点火
CS8240
负载
15kW
4
CS8240
包装规格
单位:mm包装尺寸(英寸)
封装热性能数据
热数据
R
Q
JC
典型值
R
Q
JA
典型值
5引脚TO - 220 (超模压)
4.0
° C / W
50
° C / W
5铅超模压TO- 220 ( TFVA )垂直
10.3 (.405)
10.0 (.395)
.761 (.030)
.508 (.020)
3.30 (.130)
2.89 (.114)
15.6 (.614)
15.3 (.604)
3.17 (.125)
2.92 (.115)
7.18 (.283)
6.94 (.273)
2.79 (.110)
2.54 (.100)
3.30 (.130)
迪亚
3.05 (.120)
4.70 (.185)
4.44 (.175)
3.10 (.122)
10.4 (.409)
注意:
信息维护
直角
关于
身体内
±
.015.
5.89 (.232)
4.01
(.158)
8.05 (.317)
3.18 (.125)
2.92 (.115)
.94 (.037)
.69 (.027)
1.70 (.067)
6.80 (.268)
1.68 ( 0.066 ) TYP
.56 (.022)
.36 (.014)
订购信息
产品型号
CS8240YTFVA5
牧师98年1月27日
描述
5铅超模压TO- 220
垂直
5
樱桃半导体公司保留
有权更改规格不
通知。请联系樱桃半导体
公司最新的可用信息。
1999樱桃半导体公司
CS8240
500毫安高端
( PNP )驱动器
片续流二极管
该CS8240是一款快速, PNP高侧驱动器能够提供高达的
500毫安到在恶劣的汽车或电阻性或电感性负载
工业环境。内部续流二极管钳位
成立于感性负载。输入(V
IN
)是TTL和CMOS
兼容,并且具有滞后尽量减少噪音的效果。当
的输入为高电平时,输出为ON 。当输入为低时,输出为
断和电源电压的静态电流非常低( < 1.0
A,
典型值)。
对于设备保障, CS8240采用热关断,
短路电流限制,过压关断,以及反
电池保护。该CS8240可承受电压
60 V(分钟)和-50 V.瞬变
该CS8240可在包覆成型5引脚TO -220封装
并且是有竞争力的替代LM- 1921 LM -1951 ,
LM- 1952 , MC- 3399和L- 9350 。
特点
低输出饱和电压
0.22 V ,在我
OUT
= 125毫安
0.33 V ,在我
OUT
= 225毫安
包覆成型封装
片续流二极管
故障保护
过压关断( 32 V ,典型值)
热关断( 165℃ ,典型值)
短路限制( 1.1典型值)
-50 V反向瞬态保护
60 V负载突降保护
电池反接
低静态电流( OFF状态)
ESD保护
V
CC
当前
极限
过压
关闭
V
IN
关闭
http://onsemi.com
TO–220
五LEAD
TQ后缀
CASE 314D
引脚1 V
CC
2. OUT
3.数控
4. GND
5. V
IN
TO–220
五LEAD
TQVA后缀
CASE 314N
1
5
1
5
标记图
CS8240
AWLYWW
1
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
控制
电路
OUT
订购信息
设备
CS8240YTQ5
TO–220
五LEAD
TO–220
五LEAD
垂直
航运
50单位/铁
GND
CS8240YTQVA5
50单位/铁
图1.框图
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年4月 - 第4版
出版订单号:
CS8240/D
CS8240
最大额定值*
等级
电源电压
过压保护
反向电压:
内部功耗
逻辑输入电压
结温范围,T
J
存储温度范围,T
S
焊接温度焊接:
静电放电(人体模型)
1。10第二最大值。
*最大包装功耗必须遵守。
波峰焊(通孔样式只) (注1 )
DC
短暂
价值
6.0 26
60
–16
–50
国内
有限
-0.3到+7.0
-40至150
-55 + 165
260峰
2.0
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
电气特性
(–40°C
T
A
125°C; –40°C
T
J
150℃ ,除非另有说明)。
特征
一般特性
工作电源电压
静态电流
V
CC
= 12V, V
IN
V
IN( LOW )
V
IN
≥V
IN( HI )
, R
负载
= 50
,
6.0 V
V
CC
20 V
20 V
V
CC
24 V
6.0
1.0
16
25
100
30
50
V
A
mA
mA
测试条件
典型值
最大
单位
输出级
输出饱和电压
输出漏电流
负输出钳位
打开延迟时间
关闭延迟时间
输入级
输入电压
输入电流
保护电路
过压关断
输出短路电流
热关断
V
IN
V
IN( HI )
V
IN
V
IN( HI )
, V
CC
= 12 V, V
OUT
= 0 V
26
0.55
150
32
1.1
165
2.5
V
A
°C
逻辑=高,V
CC
= 12 V接通
逻辑=低,V
CC
= 12 v关闭
V
IN
= 5.5 V
V
IN
= 0.8 V
0.8
1.45
1.2
100
15
2.0
200
50
V
V
A
A
V
IN
V
IN( HI )
, V
CC
= 6.0 V,I
负载
= 125毫安
V
CC
= 14 V,I
负载
= 225毫安
输入
V
IN (L)
V
CC
= 12 V, V
OUT
= 0 V
I
= 100毫安, V
CC
= 12 V
V
CC
= 12 V,I
负载
= 150毫安
V
CC
= 12 V,I
负载
= 150毫安
–18
0.22
0.33
1.0
–15.5
5.0
5.0
0.5
0.7
150
–12
20
20
V
V
A
V
s
s
http://onsemi.com
2
CS8240
封装引脚说明
封装引脚#
5引脚TO -220
1
2
3
4
5
引脚符号
V
CC
OUT
NC
GND
V
IN
功能
电源电压的集成电路。供应负载电流通过PNP 。
PNP输出,电流负载的收集器从该铅来源。
无连接。
地面上。
输入电压来控制输出。逻辑高电平变为输出上。逻辑低转
输出关闭。
典型性能特性
40
35
30
25
I
Q
(MA )
–40°C
20
V
OUT
(V)
0
0
100
200
300
I
OUT
(MA )
400
500
600
0
1
2
3
4
(s)
5
6
7
8
15
10
5
0
0
12
V
CC
= 12 V
V
IN
2.0 V
+125°C
+25°C
5
V
IN
(V)
图2.静态电流与我
OUT
图3.开启延迟时间
1.2
5
V
IN
(V)
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
–40°C
V
CC
= 12 V
V
IN
2.0 V
+125°C
+25°C
0
V
SAT
(V)
0
2
4
6
8
10
(s)
12
14
16
18
20
12
V
OUT
(V)
–15
0
100
200
300
I
OUT
(MA )
400
500
600
图4.关闭延迟时间
图5.输出饱和电压与我
OUT
http://onsemi.com
3
CS8240
60
5
V
IN
(V)
输入电流( μA )
负载= 80
,
50毫亨
0
12
V
OUT
(V)
0
50
40
30
关闭
20
10
0
ON
–15
0
1
2
3
4
5
(女士)
6
7
8
9
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1.0 1.2 1.4
输入电压( V)
1.6
1.8
2.0
图6.反激钳位特性
图7.我
IN
与V
IN
电路描述
输入级
输入级是一个自偏压带隙基电路与
1.45 V(典型值)和负一正准备跳变点
将1.20 V(典型值) (迟滞的250毫伏)跳变点。
当输入电压低于正跳变点时,所述
电源电压线的静态电流小于
1.0
A,
(典型值) 。当输入电压超过正
触发点( 1.45 V,典型值) ,输入级“唤醒”休息
的CS8240电路和接通输出级。
输出级
给定的输出电流。对PNP的基极驱动为
在CS8240的静态电流的主要成分
并依赖于输出电流的电平。
短路保护( 1.1 A,典型值)也被纳入中
输出级。
保护电路
输出级是围绕一个大电流PNP输出
晶体管。控制放大器监控饱和
输出PNP和电压保持较低的平衡
饱和电压和最小基极驱动的PNP的
除了提到的短路保护
上述情况, CS8240还内置了过热关机
电路( 165℃ ,典型值)和高电压关断电路
( 33 V ,典型值) ,这两者切断驱动的PNP输出
当电流过大时绘制的晶体管。中固有的
在CS8240的设计是+ 60V的瞬态保护,
在供给线-50伏。该CS8240是ESD保护的
超过2.0千伏(人体模型) 。
http://onsemi.com
4
CS8240
典型应用电路
V
CC*
0.1
F
1
2
CS8240
5.0 V
0V
5
3
图8.电磁驱动器
V
CC*
0.1
F
1
2
CS8240
GE194
5
3
* V
CC
= 6.0 V至26 V
图9.灯驱动器
V
BATT
V
点火
0.1
F
CS8240
15 k
负载
图10.控制高端开关
http://onsemi.com
5
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数量
封装
单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CS8240
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885643124 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885643117 复制

电话:13530983348
联系人:朱小姐
地址:深圳市华强北赛格广场4709B
CS8240
ONSEMI
21+
32600
原封装
百分百公司原装现货,假一赔十!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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联系人:刘先生
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