CS8183
双微200毫安
低压差跟踪
稳压器/线路驱动器
该CS8183是一款双通道低压差稳压器的跟踪设计
提供可调缓冲输出电压紧密跟踪
（ ± 10毫伏）的参考输入。输出提供高达200 mA的
同时能够被配置更高，低于或等于所述
参考电压。
输出已被设计成工作在很宽的范围（ 2.8V的
到45 V）的同时仍保持优异的直流特性。该
CS8183是从电池反接，短路和热保护
失控的状况。该设备还可以承受45 V负载突降
瞬态和
50
V反极性的输入电压瞬变。这
使得它适合于在汽车环境中使用。
在V
REF
/ ENABLE引脚一举两得。它们被用来
提供的输入电压作为输出，它们也是一个参考
可以拉低到标称的地方放置设备在休眠模式下，
功耗低于30
mA
从供给。
这两个跟踪器可以并行加倍的能力相结合
至400毫安的单一应用程序。
特点
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20
1
SO20WB
DWF后缀
CASE 751D
引脚连接和
标记图
1
V
IN1
V
OUT1
NC
NC
GND
GND
NC
NC
V
ADJ1
V
REF
/ENABLE1
8183
A
WL
YY
WW
G
20
V
OUT2
V
IN2
NC
NC
GND
GND
NC
NC
V
REF
/ENABLE2
V
ADJ2
8183
AWLYYWWG
两个稳压输出200毫安，
±10
毫伏轨道最坏情况
低压降（ 0.35 V典型值@ 200毫安）
低静态电流
独立的热关断
短路保护
宽工作范围
内部融合信息的SO- 20W封装
这些无铅器件
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
CS8183YDWF20G
包
SO20WB
（无铅）
航运
38单位/铁
CS8183YDWFR20G SO- 20WB 1000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
1
出版订单号：
CS8183/D
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年10月，
启18
CS8183
V
IN1
限流&
VSAT感
启用
V
OUT1
Adj1
+
V
REF
/ENABLE1
+
独立
热
关闭
V
IN2
限流&
VSAT感
启用
GND
2.0 V
V
OUT2
Adj2
+
V
REF
/ENABLE2
+
独立
热
关闭
2.0 V
图1.框图
封装引脚说明
封装引线＃
SO20W
1
2
3, 4, 7, 8, 13, 14, 17, 18
5, 6, 15, 16
9
10
11
12
19
20
LEAD符号
V
IN1
V
OUT1
NC
GND
V
ADJ1
V
REF
/ENABLE1
V
ADJ2
V
REF
/ENABLE2
V
IN2
V
OUT2
输入电压为V
OUT1
.
稳压输出电压1 。
无连接。
地面（ 4引线保险丝） 。
调整负责人V
OUT1
.
参考电压和ENABLE输入V
OUT1
.
调整负责人V
OUT2
.
参考电压和ENABLE输入V
OUT2
.
输入电压为V
OUT2
.
稳压输出电压2 。
功能
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2
CS8183
最大额定值
等级
储存温度
电源电压范围（连续）
电源电压范围（正常，连续）
峰值瞬态电压（V
IN
= 14 V ，负载突降瞬态= 31 V）
电压范围（形容词，V
REF
/ ENABLE ，V
OUT
)
最高结温
封装热阻
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
ESD能力
无铅焊接温度
（人体模型）
（机器型号）
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
65
150
15至45
3.4 45
45
10
45
150
18
73
2.0
200
240峰
（注2 ）
单位
°C
V
V
V
V
°C
° C / W
° C / W
kV
V
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
第二个最大以上183℃一60 。
2.
5°C/+0°C
允许条件。
电气特性
(V
IN
= 14 V; V
REF
/ ENABLE > 2.75 V ;
40°C
≤
T
J
≤
+125°C; C
OUT
≥
10
μF的;
0.1
W
<
OUT
ESR
＆ LT ; 1.0
W
@ 10 kHz的;除非另有说明）。
参数
常规输出1 ， 2
V
REF
V
OUT
V
OUT
追踪误差
输入输出电压差（V
IN
V
OUT
)
线路调整
负载调整率
ADJ引脚电流
电流限制
静态电流（我
IN
I
OUT
)
4.5 V
≤
V
IN
≤
26 V, 100
mA
≤
I
OUT
≤
200毫安， （注3 ）
I
OUT
= 100
mA
I
OUT
= 200毫安
4.5 V
≤
V
IN
≤
26 V ， （注3 ）
100
mA
≤
I
OUT
≤
200毫安， （注3 ）
回路调节
V
IN
= 14 V, V
REF
= 5.0 V, V
OUT
= 90 ％的V
REF
（注3 ）
V
IN
= 12 V，I
OUT
= 200毫安
V
IN
= 12 V，I
OUT
= 100
mA
V
IN
= 12 V, V
REF
/ ENABLE = 0 V
V
OUT
= 5.0 V, V
IN
= 0 V
F = 120赫兹， IOUT = 200毫安， 4.5伏
≤
V
IN
≤
26 V
10
225
60
150
100
350
0.2
15
75
30
0.2
180
10
150
600
10
10
1.0
700
25
150
55
1.5
210
mV
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
mA
mA
mA
dB
°C
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向电流
纹波抑制
热关断
V
REF
/ ENABLE 1 ， 2
开启电压
输入偏置电流
3. V
OUT
连接到调领先。
V
REF
/ ENABLE 1,2 > 2.0 V
0.80
2.00
0.2
2.75
1.0
V
mA
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3
CS8183
电路描述
使能功能
通过拉动V
REF
/ ENABLE 1 ， 2领先低于2.0 V
典型地， （参见图10或图11）中，IC被禁用，并且
进入其中，该器件消耗小于30睡眠状态
mA
从供给。当V
REF
/ ENABLE铅大于
2.75 V, V
OUT
跟踪V
REF
/ ENABLE铅正常。
输出电压
的输出能够供给200毫安到负载
而构成为一个类似的（图7） ，低级（图9） ，
或更高（图8）的电压作为参考引线。该调
铅作为运算放大器的反相端和所述
V
REF
导致的非反相。
该设备还可以被配置为一个高边驱动器作为
显示在图12中。
图7到图12仅显示了一个信道
装置的简单性。所示的配置适用
两个通道。
V
OUT
， 200毫安
负载
V
OUT
C2**
GND
10
mF
GND
ADJ
V
OUT
， 200毫安
负载
V
OUT
C2**
GND
10
mF
R
F
GND
ADJ
R
A
V
IN
CS8183
GND
GND
C3***
10 nF的
V
REF
B+
C1*
1.0
mF
V
IN
CS8183
GND
GND
C3***
10 nF的
B+
C1*
1.0
mF
V
REF
/
启用
5.0 V
V
REF
/
启用
VOUT
+
VREF
R
VOUT
+
VREF(1
)
E)
RA
图7.跟踪调节器在相同的电压
V
OUT
， 200毫安
负载
V
OUT
C2**
GND
10
mF
GND
ADJ
图8.跟踪调节器在更高的电压
V
OUT
， 200毫安
C2**
10
mF
V
OUT
CS8183
GND
GND
V
IN
GND
GND
C3***
10 nF的
B+
C1*
1.0
mF
R
V
IN
GND
GND
C3***
10 nF的
B+
C1*
1.0
mF
R1
R2
CS8183
V
REF
/
启用
V
REF
从MCU
ADJ
V
REF
/
启用
V
REF
VOUT
+
VREF （ R2）的
R1
)
R2
图9.跟踪调节器在较低的电压
6.0 V40 V
100 nF的
5.0 V
加载10
mF
（如传感器）
V
OUT
CS8183
GND
GND
ADJ
V
IN
GND
GND
I / O
C3***
10 nF的
mC
V
IN
NCV8501
V
REF
(5.0 V)
图10.跟踪稳压器，带有使能电路
200毫安
V
OUT
CS8183
GND
V
IN
GND
GND
C3***
10 nF的
B+
C1*
1.0
mF
GND
ADJ
V
REF
/
启用
MCU
V
REF
/
启用
VOUT
+
B
) *
VSAT
图11.替代使能电路
*如果所述调节器是远离电源滤波器C1被需要
** C2的所需稳定性
*** C3推荐EMC易感性
图12.高边驱动器
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5
QQ：2880707522 复制
