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CS8128
CS8128
5V线性控制器/驱动器
描述
的CS8128包含所有必需的
控制电路来实现一个5V线性
耳器。外部调整装置
用于生产优异的性能
相比于常规的叠层
监管机构。用TIP42的CS8128
PNP晶体管典型地提供一
100mV的压差电压输出电流500mA ,
提高到350mV的在3A 。静
电流500mA时仅5毫安。
单一监管机构不能接近
这些数字,因为他们的权力转录
电阻取值不提供高贝塔和
在优秀的饱和特性
大电流。该CS8128兼容
与多种外部晶体管的
器,并可灵活地热,
空间和成本管理。
该CS8128包括热关断
和外部可编程的电流
限制和过压关断, mak-
这使它适合用在汽车和
开关稳压器后置稳压器应用程序
阳离子。一个可选的外接RC滤波器
加到CS8128供应引线亲
志愿组织的EMC硬化除
片上EMC硬化。该SENSE
铅允许输出遥感
电压调节改善。
一个活跃的微处理器复位功能
化包括芯片与外部
可编程的延迟时间。中
电时,或者检测到任何错误的后
在稳压输出,复位引
将保持在低状态的持续时间
化的延迟。错误的类型包括
短路,低输入电压时,过
压关断,过热关断,
或其他人造成输出
成为不受管制。这个功能是
独立于输入电压的和
将正常与输出
电压低至1V 。滞后是
同时包括在复位和延迟
比较器的抗噪性和
防止振荡。一个锁存显示
充电电路被用来排出
延迟电容器,即使当由触发
一个相对短的故障状态。这
在常用的电路改进
使用SCR结构提供
增强抗干扰性和全
电容放电(典型值0.2V ) 。
特点
s
外部设定延迟时间
RESET
s
60V的抛负载
保护
s
内部热
过载保护
s
3 %的输出精度
s
有效复位
s
噪声抗扰度
s
片上EMC硬化
保护股份有限公司
s
外部流
极限
s
外部设定
过压关断
封装选项
8L SO & 8L PDIP
框图
PWR GND
IC
动力
GND
IC
参考
GND
PRE-
调节器
过度
电压
关闭
关闭
V
OUT
REF GND
V
IN
V
IN
1
SENSE
2
8
7
6
5
V
OUT
PWR GND
关闭
REF GND
SENSE
关闭
错误
AMP
延迟
3
RESET
4
稳压电源
用于电路偏置
10A
延迟
当前
-
带隙
参考1.25V
延迟
锁定
放电
Q S
R
-
+
+
-
RESET
比较
+
RESET
延迟
比较
-
+
V
DIS
樱桃半导体公司
2000县南径,东格林威治, RI 02818
联系电话: (401)885-3600传真: (401)885-5786
电子邮件: info@cherry-semi.com
网站: www.cherry-semi.com
牧师99年2月5日
1
A
公司
CS8128
绝对最大额定值
动力Dissipation.............................................................................................................................................Internally有限
输入电压..................................................................................................................................................................–0.3V, 26V
瞬态输入电压............................................................................................................................................................60V
输出电流...............................................................................................................................................Externally有限
ESD敏感性(人体Model)..............................................................................................................................2kV
结温............................................................................................................................................–45°C至150℃下
存储Temperature..............................................................................................................................................–55°C至150℃下
无铅焊接温度
波峰焊(只通过孔样式) .......................................... ........................................... 10秒。最大260 ° C峰值
回流焊(仅限SMD样式) ............................................ .......................................... 60秒。上面最大183 ° C, 230 ° C峰值
电气特性:
T
A
= -40 ° C至+ 125 ° C,T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C,V
IN
= 6 26V ,我
OUT
= 5 500mA的电流,每测试电路
(除非另有说明)
参数
测试条件
典型值
最大
单位
s
输出级( V
OUT
)
输出电压
输入输出电压差
供应电流I
Q
4.85
I
OUT
= 500毫安,注1
I
OUT
10mA
I
OUT
500mA
I
OUT
3A ,注意1
6V
V
IN
26V ,我
OUT
= 5毫安
5V
I
OUT
500毫安,V
IN
= 14V
F = 120Hz时, 7V
V
IN
17V,
I
OUT
= 350毫安
V
SENSE
= 0V
60
32
25
5.00
0.1
4
5
30
12
2
70
40
250
5.15
0.6
8
15
50
50
V
V
mA
线路调整
负载调整率
纹波抑制
V
IN
过压关断
驱动电流
s
RESET和延时功能
延时充电电流,I
收费
复位门限V
RTH
V
RTL
复位迟滞V
RH
延迟阈值V
DTC
V
DTD
延时滞后,V
DH
RESET输出电压低
复位输出
漏电流
延迟电容(V
DIS
)
放电电压
延迟时间
mV
mV
dB
V
mA
V
延迟
= 2V
V
OUT
增加
V
OUT
减少
收费
放电
V
DTC
- V
DTD
1V < V
OUT
& LT ; V
RTL
,的3kΩ到V
OUT
V
D
& GT ; V
DTC
, V
OUT
& GT ; V
RTH
放电锁存"ON" ,
V
OUT
& GT ; V
RTH
C
延迟
= 0.1μF ,注意2
5
4.65
4.50
150
3.25
2.80
200
10
4.90
4.70
200
3.50
3.00
400
15
V
OUT
-0.10
V
OUT
-0.15
250
3.75
3.40
800
0.4
10
A
V
V
mV
V
V
mV
V
A
V
ms
0.2
16
32
0.5
48
注1 :依赖于外部晶体管的特性。
注2 :延迟时间=
C
延迟
x
V
DTC
I
收费
= C
延迟
x
3.5
x
10
5
(典型值)
2
CS8128
封装引线说明
封装引线#
LEAD符号
功能
8L SO & PDIP
1
2
3
4
5
6
7
8
V
IN
SENSE
延迟
RESET
REF GND
关闭
PWR GND
V
OUT
未经稳压的电源电压的IC 。
Kelvin连接,允许输出电压遥感
年龄提高监管。
CAP定时复位功能
CMOS / TTL兼容集电极开路输出。 RESET变低
每当V
OUT
下面滴这6 %的典型值。
接地连接
过压关断控制输入。
接地连接
以PNP旁路晶体管或门限电压供给基极电流
年龄FET导通晶体管。
典型性能特性(每个测试电路)
V的温度性能
OUT
5.02
5.01
5
V
OUT
(V)
4.99
4.98
4.97
4.96
4.95
-40 -20 0 20 40 60 80 100120 140150
结温( ° C)
复位电压与输出电流
2000
1800
RESET输出电压(MV )
压差 - 我
OUT
400
350
漏失电压(MV )
300
250
200
150
100
50
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
OUT
(安培)
2.5
3.0
ROUT = 47Ω
I
OUT
=500mA
5.00V @ 25℃
VIN = 5V
25°C
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
RESET输出电流(mA )
V
OUT
与V
IN
5.50
5.00
4.50
4.00
V
OUT
(V)
3.50
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
0
1
2
3
4
5
6
V
IN
(V)
7
8
9
10
I
Q
与V
IN
100.00
90.00
80.00
70.00
智商(毫安)
智商(毫安)
40
25°C
I
Q
与我
OUT
35
30
VIN=14V
25
20
15
10
5
I
OUT
= 3A
R
OUT
= 47
I
OUT=0.5A
I
OUT
= 3A
60.00
50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
0.00
0
1
2
3
4
I
OUT
= 0.5A
R
OUT
= 330
5
6
输入电压( V)
7
8
9
10
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
IOUT (安培)
线路调整与我
OUT
20
线路调整(MV )
15
10
20
负载调整率(MV )
负载稳定度 - 我
OUT
80
25°C
VIN=14V
18
16
14
12
10
8
6
4
2
纹波抑制
25°C
70
VIN / VOUT( dB)的
60
50
40
30
20
10
IOUT=250mA
25°C
6V≤V
IN
≤-
26V
5
0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
OUT
(安培)
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
IOUT (安培)
2.0
2.5
3.0
0
10
100
1K
10K
100K
1M
10M
100M
频率(Hz)
3
CS8128
复位电路的波形
1 =无延迟电容
( 2 ) =有延迟电容
( 3 ) =最大:复位电压( 1.0V )
V
OUT
V
RTH
V
RT
L
V
RH
RESET
(3)
V
RL
(1)
(2)
延迟
V
DH
V
DTC
V
DTD
T
D
(2)
V
DIS
复位电路功能描述
该CS8128复位功能非常精确的,具有滞后
同时在RESET和延迟比较器,锁存
延迟电容器放电电路,以及操作向下
1V.
复位电路的输出是一个开放式集电极
和OFF参数指定。复位输出NPN
晶体管是由低电压抑制控制和
复位延时电路(见框图) 。
低电压抑制电路
复位延时电路
该电路监视输出电压,并且当输出
电压低于V
RTL
,使得复位输出晶体管,以
处于ON (饱和度)的状态。当输出电压为
上述V
RTH
时,该电路允许复位输出晶体管
进入OFF状态,如果允许的复位延迟税务局局长
CUIT 。
该电路提供了一个可编程的(由外部电容
TOR)延迟上的RESET输出引线。延迟铅亲
外部延迟电容志愿组织来源目前只
当低电压抑制电路指示输出
电压高于V
RTH
。否则,延迟导致汇
电流到地(用于排出延迟电容器) 。
放电电流被锁存,当输出电压
年龄低于V
RTL
。延时电容完全放电
随时充电,输出电压降至稳压范围,
即使很短的时间周期。此功能可以确保一个反面
以下的检测受控复位脉冲产生
的一个错误条件。该电路允许的RESET输出
把晶体管转到OFF (断开)状态,只有当
电压延时引线比V高
DTC
.
4
CS8128
测试电路
V
IN
R
BIAS
560
TIP42B
V
OUT
(5V)
R
IN
220
C
O
10F
R
OUT
220
C
IN
0.022F
V
IN
V
OUT
SENSE
PWR GND
CS8128
延迟
C
延迟
0.022F
R
RST
4.7 k
RESET
REF GND
GND
关闭
RESET
应用信息
过压关断
该CS8128包括过电压保护电路
它是由关断引线连接到激活
的输入。关闭通常发生在36V 。接地
在SHUTDOWN铅禁用此功能。与
禁用过压关断时, CS8128将继续
在过压条件来调节。
热关断
“泄漏” 。这也加速了关断通装置的
在过压瞬变。对于正确的操作过
温度,推荐值为560Ω ,尽管它
可以增加或减少用于特定应用。
R
OUT
电阻器
- 这个电阻控制驱动电流
提供给传输晶体管。这也决定了法规
器的启动电流和短路电流限制。为
双极传输晶体管,它可以通过使用跟着的被选择
降脂公式:
V
IN(分钟)
– 1V
x
Q1
***
R
OUT
=
I
输出(最大)
***β
Q1
=导通晶体管的最小
β
@最大输出
电流。
典型的启动电流和电流限制可calculat-
编如下:
4V
+ 5毫安
I
开始
R
OUT
I
极限
V
IN
– 1V
x
Q1
@电流限制
R
OUT
该CS8128包括显示热关断电路
禁止进入输出时,结温超过
约180℃。这是一种自保护功能
旨在保护CS8128 。热关断税务局局长
CUIT不监视通晶体管的温度
器,这可能会更热。为了优化热敏
发作停止,电路板设计应尽量减少存在差
ENCE在CS8128和传输器件的温度。
外部元件的选择
外部通路器件
- 选择一个合格的设备,将deliv-
器所需的输出电流,承受最大
期望的输入电压,并耗散所产生的功率。
的CS8128是与各种双极性的兼容
和场效应管导通晶体管。
输出电容
- 一个输出电容器所需的台站
相容性在大多数应用中。虽然一个10μF的电容应
是足够的,调节器的稳定性依赖于
传输晶体管的特性。电容有效
串联电阻( ESR )也因子系统的稳定性。一些
钳工工作可能需要确定电容器
需要在一个特定的应用特性。
偏置电阻
- 该电阻提供偏置电流为
CS8128输出级,并防止导通器件从
5
例如,如果最小输入电压为6V,马克西
妈妈的输出电流是1Amp和最小晶体管
β
@ 1Amp是60 ,则R
OUT
可以计算如下:
R
OUT
I
开始
6V – 1V
x 60 = 300
1Amp
4V
300
+ 5毫安= 18.3毫安
随着V
IN
= 14V ,和一个通过晶体管
β
40 @电流
限制:
14V – 1V
×40 = 1.7安培
I
极限
300
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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