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CS8126 , -1,-2
CS8126,-1,-2
5V , 750毫安低压差线性稳压器
与延时复归
描述
该CS8126是一款低压差,高电流
租5V线性稳压器。它是一个
改良替代CS8156 。
改进包括更高的精度,
更严格的饱和度控制,更好的供应
排斥反应,并增强
RESET
CIRCUIT-
RY 。熟悉PNP稳压器的特点
如电池反接保护,过
压关断,过热关断,
和电流限制使CS8126 suit-
可用于汽车和电池的使用
供电设备。额外的导通
芯片筛选已被列入
增强抑制高频的
瞬变所有外部引线。
一个活跃的微处理器
RESET
功能
化包括芯片与外部
可编程的延迟时间。中
电时,或者检测到任何后
在稳压输出错误,
RESET
引线将保持在低
状态的延迟的持续时间。
错误类型包括短路,
低输入电压,过压关断模式
下,热关断,或其他人
导致输出成为unregulat-
ED 。这个功能是独立的
输入电压和将起作用正确─
LY的输出电压低至1V 。
滞后被包括在所述复位
和延迟比较,可增强
抗干扰能力。一排锁
电路用于放电延迟
电容器中,即使当由一个rel-触发
atively短路故障状态。该电路
改进后的常用
SCR结构,通过提供完整的电容
器放电( 0.2V型) 。
注: CS8126是无铅兼容
与LM2925 , TLE4260 , L4947 ,
LM2927 , LM2926和。
特点
s
低压差
(在0.6V 0.5A )
s
3 %的输出精度
s
有效复位
s
外部复位延迟
复位
s
保护电路
电池反接
保护
+ 60V , -50V峰
瞬态电压
短路保护
内部热
过载保护
封装选项
16引脚SOIC宽
V
IN
NC
NC
NC
1
框图
V
OUT
NC
V
OUT ( SENSE )
NC
NC
GND
NC
NC
V
IN
过电压
关闭
NC
RESET
NC
V
OUT
PRE-
调节器
稳压电源
用于电路偏置
-
带隙
参考
收费
当前
发电机
错误
AMP
抗饱和
电流限制
延迟
7升
2
PAK
标签(GND)
+
5升TO- 220
标签(GND)
关闭
1
延迟
Q
-
锁定
放电
S
R
+
-
+
RESET
比较
延迟
比较
V
放电
+
-
RESET
1
2
3
4
5
6
7
V
IN
V
OUT
V
OUT ( SENSE )
GND
延迟
RESET
NC
1
CS8126-1
1 V
IN
2 V
OUT
3 GND
4延迟
5 RESET
CS8126-2
1 V
IN
2 RESET
3 GND
4延迟
5 V
OUT
GND
樱桃半导体公司
2000县南径,东格林威治, RI 02818
联系电话: (401)885-3600传真: (401)885-5786
电子邮件: info@cherry-semi.com
网站: www.cherry-semi.com
牧师99年5月4日
1
A
¨
公司
CS8126 , -1,-2
绝对最大额定值
动力Dissipation.............................................................................................................................................Internally有限
峰值瞬态电压( 46V的抛负载) .................................................................................................................-50V, 60V
输出电流.................................................................................................................................................Internally有限
ESD敏感性(人体Model)..............................................................................................................................4kV
结温.............................................................................................................................................-40C到150C
存储Temperature...............................................................................................................................................-55C到150C
焊接温度焊接波峰焊(只通过孔样式) ....................................... ... 10秒。最大, 260C高峰
回流焊( SMD风格只) .......................................... 60秒。最大上面183C , 230C高峰
电气特性:T已
A
= -40 ° C至+ 125 ° C,T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C,V
IN
= 6 26V ,我
O
= 5 500mA的电流,
R
RESET
= 4.7k½ to V
CC,
除非另有说明。
参数
测试条件
典型值
最大
单位
s
输出级( V
OUT
)
输出电压
输入输出电压差
电源电流
I
OUT
= 500毫安
I
OUT
2 10毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
2 500毫安
V
IN
= 6 26V ,我
OUT
= 50毫安
I
OUT
50 = 500mA的电流,V
IN
= 14V
F = 120Hz时, V
IN
= 7 17V ,
I
OUT
= 250毫安
54
0.75
32
V
OUT
5.5V
V
OUT
-0.6V, 10½ Load
1 %占空比,T <为100ms ,
10½ Load
通过设计保证
150
-15
95
-30
-80
180
210
4.85
5.00
0.35
2
6
55
5
10
75
1.20
40
5.15
0.60
7
12
100
50
50
V
V
mA
线路调整
负载调整率
纹波抑制
电流限制
过压关断
最大的线路瞬态
反接输入
电压DC
反接输入
瞬态电压
热关断
s
RESET和延时功能
DELAY充电电流
复位门限
复位迟滞
延迟阈值
延迟滞后
RESET输出电压低
RESET输出泄漏
当前
延迟电容
放电电压
延迟时间
mV
mV
dB
A
V
V
V
V
C
V
延迟
= 2V
V
OUT
增加,V
室温(ON)的
V
OUT
减少,V
室温(OFF)的
V
RH
= V
室温(ON)的
- V
室温(OFF)的
充电,V
DC ( HI )
放电,V
DC ( LO )
1V < V
OUT
& LT ; V
RTL
, 3k½ to V
OUT
V
OUT
& GT ; V
室温(ON)的
放电锁定“ ON” ,
V
OUT
& GT ; V
RT
C
延迟
= 0.1μF * (注1 )
5
4.65
4.50
150
3.25
2.85
200
10
4.90
4.70
200
3.50
3.10
400
0.1
0
0.2
15
V
OUT
- 0.01
V
OUT
- 0.15
250
3.75
3.35
800
0.4
10
0.5
48
A
V
V
mV
V
V
mV
V
A
V
ms
16
32
延迟时间=
C
延迟
V
延迟
门槛费
= C
延迟
x 3.2 x 10
5
(典型值)
I
收费
注1 :假定理想电容器
2
CS8126 , -1,-2
封装引线说明
封装引线#
LEAD符号
功能
5引脚TO -220
8126-1 8126-2
1
2
3
4
5
1
5
3
4
2
7Lead
D
2
PAK
1
2
4
5
6
16引脚
SOIC宽
1
16
11
8
6
V
IN
V
OUT
GND
延迟
RESET
未经稳压的电源电压IC 。
5V稳压输出。
接地连接。
定时电容的复位功能。
CMOS / TTL兼容的输出导线。 RESET变低
在稳压输出检测到任何错误或后
在上电期间。
输出电压遥感。
无连接。
3
7
14
2, 3, 4, 5, 7, 9,
10, 12, 13, 15
V
OUT ( SENSE )
NC
典型性能特性
I
CQ
与V
IN
过温
R
负载
= 25W
I
CQ
与V
IN
R上
负载
房间温度。
55.0
50.0
45.0
40.0
ICQ (毫安)
30.0
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
125C
25C
ICQ (毫安)
35.0
-40C
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
V
IN
(V)
120.0
110.0
100.0
90.0
80.0
70.0
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
0.0
V
IN
(V)
R
负载
= 6.67
R
负载
= 10
R
负载
= 25
R
负载
=空载
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
V
OUT
VS V
IN
过温
R
负载
= 25W
V
OUT
与V
IN
R上
负载
房间温度。
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
V
OUT
(V)
V
OUT
(V)
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
125C
RLOAD = 6.67
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
RLOAD =
空载
RLOAD = 10
25C
-40C
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
V
IN
(V)
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
V
IN
(V)
3
CS8126 , -1,-2
典型性能特征:持续
线路调整与输出电流过温
100
80
60
负载调整率(MV )
线路调整(MV )
V
IN
6-26V
负载稳定度输出电流过温
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
V
IN
= 14V
TEMP = 125°C
TEMP = 25°C
TEMP = -40°C
40
20
0
-20
-40
-60
-80
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
输出电流(mA )
TEMP = 125°C
TEMP = 25°C
TEMP = 40℃
0
100
200
300
400
500
600
700
800
输出电流(mA )
漏失电压与输出电流过温
900
800
静态电流(mA )
漏失电压(MV )
静态电流与输出电流过温
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
IN
= 14V
25C
125C
700
600
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
输出电流(mA )
-40C
125C
25C
-40C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
输出电流(mA )
纹波抑制
I
OUT
= 250毫安
输出电容的ESR
10
3
10
2
90
80
70
抑制(分贝)
C
OUT
= 10MF , ESR = 1 & 0.1μF的,
ESR = 0
10
1
ESR(欧姆)
C
OUT
= 47 / 68mF
稳定区
60
50
40
30
20
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
频率。 (赫兹)
C
OUT
= 10MF , ESR = 10W
C
OUT
= 10MF , ESR = 1W
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
C
OUT
= 47mF
C
OUT
= 68mF
10
5
10
6
10
7
10
8
10
-4
10
0
10
1
10
2
10
3
输出电流(mA )
4
CS8126 , -1,-2
复位电路的波形
1 =无延迟电容
( 2 ) =有延迟电容
( 3 ) =最大:复位电压( 1.0V )
V
OUT
V
室温(ON)的
V
室温(OFF)的
V
RH
RESET
(1)
(2)
V
RL
(3)
t
延迟
延迟
V
DH
V
DC ( HI )
V
DC ( LO )
(2)
V
DIS
电路描述
该CS8126复位功能,具有滞后双方的
复位和延迟比较器,锁存延时电容
放电电路,以及工作在低至1V 。
复位电路的输出是集电极开路型
ON和OFF参数指定。 RESET输出
NPN型晶体管是由所述的两个电路控制
(见框图) 。
低电压抑制电路
该电路监视输出电压,并且当输出
电压下降到低于V
室温(OFF)的
,使RESET输出转录
体管是在ON (饱和度)的状态。当输出
电压升至大于V
室温(ON)的
时,该电路允许复位
输出晶体管进入截止状态,如果允许通过
复位延时电路。
复位延时电路
该电路提供了一个可编程的(由外部电容
TOR)延迟上的RESET输出引线。延迟铅亲
外部延迟电容志愿组织来源目前只
当"Low电压Inhibit"电路指示输出
放电压高于V
室温(ON)的
。否则,延迟导致
下沉到地面的电流(用于放电延迟
电容) 。放电电流被锁开启时
输出电压下降到低于V
室温(OFF)的
。延迟电容器
随时随地完全放电,输出电压下降超出
调节,即使时间很短。此功能
保证了控制的复位脉冲产生如下
检测到错误条件。该电路可
复位输出晶体管转到OFF (开)状态
仅当在延时引线的电压高于
V
DC(H1)
.
延迟时间的复位功能的计算
下式:
C
延迟
V
延迟
门槛
延迟时间=
I
收费
延迟时间= C
延迟
3.2
10
5
如果C
延迟
= 0.1μF ,延迟时间(ms )= 32ms的± 50% :即16ms的
到过48ms 。电容器的容差也必须考虑
考虑到计算的延迟时间的总和的变化。
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CS8126-2GT5
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CS8126-2GT5
onsemi
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10000
-
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

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CS8126-2GT5
onsemi
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6000
-
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:小邹
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CS8126-2GT5
ON
22+
9802
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
CS8126-2GT5
ON Semiconductor
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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CS8126-2GT5
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