CS8126
5.0 V 750 mA低
差线性稳压器
与延时复归
该CS8126是一款低压差，高电流5.0 V线性稳压器。它
是一种改进的替代CS8156 。这些改进包括
精度更高，更严格的饱和度控制，更好的电源抑制和
增强型的复位电路。熟悉PNP稳压器的功能，如
电池反接保护，过压关断，过热关断，
和电流限制使CS8126适用于汽车用和
电池供电设备。附加的片上滤波已
为了增强排斥所有的高频瞬变
外部引线。
一个活跃的微处理器复位功能包含在芯片上具有
外部可编程的延迟时间。在上电期间或之后
在稳压输出检测到任何错误， RESET铅会
保持在低电平状态的延迟的持续时间。错误类型
包括短路，低输入电压，过压关断，
热关断，或其他人造成输出成为
不受管制。这个功能是独立于输入电压的和将
功能正常的输出电压可低至1.0 V.滞后是
包含在这两个复位和延迟比较，增强的噪音
免疫力。甲锁存放电电路用于放电延迟
电容器中，即使当由一个相对短的故障条件触发。
在常用的SCR结构由该电路改进
提供完整的电容放电（ 0.2 V型） 。
注： CS8126是领先的LM2927和兼容
LM2926.
特点
http://onsemi.com
TO2205
牛逼SUF科幻X
CASE 314D
1
5
TO2205
TVA后缀
CASE 314K
引脚1 V
IN
2. V
OUT
3. GND
4.延迟
5.复位
1
TO2205
THA后缀
CASE 314A
1
5
TO2205
后缀
CASE 314J
1
5
低压差电压（ 0.6 V ，0.5 A）
3.0 ％的输出精度
有效复位
外部复位延时复位
保护电路
反向电池保护
+60 V， -50 V峰值瞬态电压
短路保护
内部过热保护
无铅包可用
1
7
引脚1 V
IN
2. V
OUT
DPS后缀
3. V
OUT （ SENSE ）
CASE 936AB
4. GND
5.延迟
6. RESET
7. NC
D
2
PAK7
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第9页。
器件标识信息
查看该设备一般标识信息标识
节本数据手册第9页。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月， - 16牧师
出版订单号：
CS8126/D
CS8126
最大额定值*
等级
功耗
峰值瞬态电压（ 46 V负载突降）
输出电流
ESD敏感性（人体模型）
封装热阻， TO- 220-5 ：
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
封装热阻，D
2
PAK - 7 ：
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
结温范围
存储温度范围
焊接温度焊接：
波峰焊（通孔样式只） （注1 ）
回流焊（仅限SMD样式） （注2 ）
价值
内部限制
50, 60
内部限制
4.0
2.1
50
2.1
1050**
-40到+150
-55到+150
260峰
230峰
单位
V
kV
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1。10第二最大值。
第二个最大以上183℃ 2。 60 。
*最大包装功耗必须遵守。
**根据基板的热性能。
qJA
= R
QJC
+ R
QCA
.
电气特性
(T
A
= -40 ° C至+ 125 ° C，T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
IN
= 6.0 26 V ，
I
O
= 5.0 500 mA的电流，R
RESET
= 4.7千瓦到V
CC
除非另有说明）。
特征
输出级（ V
OUT
)
输出电压
输入输出电压差
电源电流
I
OUT1
= 500毫安
I
OUT
≤
10毫安
I
OUT
≤
百毫安
I
OUT
≤
500毫安
V
IN
= 6.0 26 V，I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 50 500 mA的电流，V
IN
= 14 V
F = 120赫兹，V
IN
= 7.0 17 V，I
OUT
= 250毫安
V
OUT
≤
5.5 V
V
OUT
≥
0.6 V, 10
W
负载
1.0％的占空比，T < 100毫秒， 10
W
负载
注3
4.85
54
0.75
32
15
150
5.00
0.35
2.0
6.0
55
5.0
10
75
1.20
95
30
80
180
5.15
0.60
7.0
12
100
50
50
40
210
V
V
mA
mA
mA
mV
mV
dB
A
V
V
V
V
°C
测试条件
民
典型值
最大
单位
线路调整
负载调整率
纹波抑制
电流限制
过压关断
最大的线路瞬态
反接输入电压DC
反接输入电压瞬态
热关断
3.设计保证
http://onsemi.com
3
CS8126
电气特性（续）
(T
A
= -40 ° C至+ 125 ° C，T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
IN
= 6.0 26 V ，
I
O
= 5.0 500 mA的电流，R
RESET
= 4.7千瓦到V
CC
除非另有说明）。
特征
RESET和延时功能
DELAY充电电流
复位门限
复位迟滞
延迟阈值
延迟滞后
RESET输出电压低
RESET输出漏电流
延迟电容放电电压
延迟时间
*延迟时间
+
CDELAY
ICHARGE
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
延迟
= 2.0 V
V
OUT
增加，V
室温（ON）的
V
OUT
减少，V
室温（OFF）的
V
RH
= V
室温（ON）的
V
室温（OFF）的
充电，V
DC （ HI ）
放电，V
DC （ LO ）
1.0 V < V
OUT
＆ LT ; V
RTL
， 3.0千瓦到V
OUT
V
OUT
＆ GT ; V
室温（ON）的
放电锁定“ ON” ，V
OUT
＆ GT ; V
RT
C
延迟
= 0.1
μF的* 。
注4
VDelayThreshold充电
+
CDELAY
3.2
5.0
4.65
4.50
150
3.25
2.85
200
16
10
4.90
4.70
200
3.50
3.10
400
0.1
0
0.2
32
15
V
OUT
0.01
V
OUT
0.15
250
3.75
3.35
800
0.4
10
0.5
48
mA
V
V
mV
V
V
mV
V
mA
V
ms
4.假设理想电容器
封装引线说明
封装引线＃
TO2205
1
2
3
4
5
D
2
PAK7
1
2
4
5
6
3
7
LEAD符号
V
IN
V
OUT
GND
延迟
RESET
V
OUT （ SENSE ）
NC
未经稳压的电源电压IC 。
调节5.0 V输出。
接地连接。
定时电容的复位功能。
CMOS / TTL兼容的输出导线。 RESET在检测到任何错误之后变低
该稳压输出或上电。
输出电压遥感。
无连接。
功能
http://onsemi.com
4
CS8126 ， -1，-2
CS8126,-1,-2
5V ， 750毫安低压差线性稳压器
与延时复归
描述
该CS8126是一款低压差，高电流
租5V线性稳压器。它是一个
改良替代CS8156 。
改进包括更高的精度，
更严格的饱和度控制，更好的供应
排斥反应，并增强
RESET
CIRCUIT-
RY 。熟悉PNP稳压器的特点
如电池反接保护，过
压关断，过热关断，
和电流限制使CS8126 suit-
可用于汽车和电池的使用
供电设备。额外的导通
芯片筛选已被列入
增强抑制高频的
瞬变所有外部引线。
一个活跃的微处理器
RESET
功能
化包括芯片与外部
可编程的延迟时间。中
电时，或者检测到任何后
在稳压输出错误，
该
RESET
引线将保持在低
状态的延迟的持续时间。
错误类型包括短路，
低输入电压，过压关断模式
下，热关断，或其他人
导致输出成为unregulat-
ED 。这个功能是独立的
输入电压和将起作用正确─
LY的输出电压低至1V 。
滞后被包括在所述复位
和延迟比较，可增强
抗干扰能力。一排锁
电路用于放电延迟
电容器中，即使当由一个rel-触发
atively短路故障状态。该电路
改进后的常用
SCR结构，通过提供完整的电容
器放电（ 0.2V型） 。
注： CS8126是无铅兼容
与LM2925 ， TLE4260 ， L4947 ，
LM2927 ， LM2926和。
特点
s
低压差
（在0.6V 0.5A ）
s
3 ％的输出精度
s
有效复位
s
外部复位延迟
复位
s
保护电路
电池反接
保护
+ 60V ， -50V峰
瞬态电压
短路保护
内部热
过载保护
封装选项
16引脚SOIC宽
V
IN
NC
NC
NC
1
框图
V
OUT
NC
V
OUT （ SENSE ）
NC
NC
GND
NC
NC
V
IN
过电压
关闭
NC
RESET
NC
V
OUT
PRE-
调节器
稳压电源
用于电路偏置
-
带隙
参考
收费
当前
发电机
错误
AMP
抗饱和
和
电流限制
延迟
7升
2
PAK
标签（GND）
+
5升TO- 220
标签（GND）
热
关闭
1
延迟
Q
-
锁定
放电
S
R
+
-
+
RESET
比较
延迟
比较
V
放电
+
-
RESET
1
2
3
4
5
6
7
V
IN
V
OUT
V
OUT （ SENSE ）
GND
延迟
RESET
NC
1
CS8126-1
1 V
IN
2 V
OUT
3 GND
4延迟
5 RESET
CS8126-2
1 V
IN
2 RESET
3 GND
4延迟
5 V
OUT
GND
樱桃半导体公司
2000县南径，东格林威治， RI 02818
联系电话： (401)885-3600传真： (401)885-5786
电子邮件： info@cherry-semi.com
网站： www.cherry-semi.com
牧师99年5月4日
1
A
¨
公司
CS8126 ， -1，-2
绝对最大额定值
动力Dissipation.............................................................................................................................................Internally有限
峰值瞬态电压（ 46V的抛负载） .................................................................................................................-50V, 60V
输出电流.................................................................................................................................................Internally有限
ESD敏感性（人体Model)..............................................................................................................................4kV
结温.............................................................................................................................................-40C到150C
存储Temperature...............................................................................................................................................-55C到150C
焊接温度焊接波峰焊（只通过孔样式） ....................................... ... 10秒。最大， 260C高峰
回流焊（ SMD风格只） .......................................... 60秒。最大上面183C ， 230C高峰
电气特性：T已
A
= -40 ° C至+ 125 ° C，T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
IN
= 6 26V ，我
O
= 5 500mA的电流，
R
RESET
= 4.7k½ to V
CC,
除非另有说明。
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
s
输出级（ V
OUT
)
输出电压
输入输出电压差
电源电流
I
OUT
= 500毫安
I
OUT
2 10毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
2 500毫安
V
IN
= 6 26V ，我
OUT
= 50毫安
I
OUT
50 = 500mA的电流，V
IN
= 14V
F = 120Hz时， V
IN
= 7 17V ，
I
OUT
= 250毫安
54
0.75
32
V
OUT
5.5V
V
OUT
-0.6V, 10½ Load
1 ％占空比，T <为100ms ，
10½ Load
通过设计保证
150
-15
95
-30
-80
180
210
4.85
5.00
0.35
2
6
55
5
10
75
1.20
40
5.15
0.60
7
12
100
50
50
V
V
mA
线路调整
负载调整率
纹波抑制
电流限制
过压关断
最大的线路瞬态
反接输入
电压DC
反接输入
瞬态电压
热关断
s
RESET和延时功能
DELAY充电电流
复位门限
复位迟滞
延迟阈值
延迟滞后
RESET输出电压低
RESET输出泄漏
当前
延迟电容
放电电压
延迟时间
mV
mV
dB
A
V
V
V
V
C
V
延迟
= 2V
V
OUT
增加，V
室温（ON）的
V
OUT
减少，V
室温（OFF）的
V
RH
= V
室温（ON）的
- V
室温（OFF）的
充电，V
DC （ HI ）
放电，V
DC （ LO ）
1V < V
OUT
＆ LT ; V
RTL
, 3k½ to V
OUT
V
OUT
＆ GT ; V
室温（ON）的
放电锁定“ ON” ，
V
OUT
＆ GT ; V
RT
C
延迟
= 0.1μF * （注1 ）
5
4.65
4.50
150
3.25
2.85
200
10
4.90
4.70
200
3.50
3.10
400
0.1
0
0.2
15
V
OUT
- 0.01
V
OUT
- 0.15
250
3.75
3.35
800
0.4
10
0.5
48
A
V
V
mV
V
V
mV
V
A
V
ms
16
32
延迟时间=
C
延迟
V
延迟
门槛费
= C
延迟
x 3.2 x 10
5
（典型值）
I
收费
注1 ：假定理想电容器
2
CS8126 ， -1，-2
封装引线说明
封装引线＃
LEAD符号
功能
5引脚TO -220
8126-1 8126-2
1
2
3
4
5
1
5
3
4
2
7Lead
D
2
PAK
1
2
4
5
6
16引脚
SOIC宽
1
16
11
8
6
V
IN
V
OUT
GND
延迟
RESET
未经稳压的电源电压IC 。
5V稳压输出。
接地连接。
定时电容的复位功能。
CMOS / TTL兼容的输出导线。 RESET变低
在稳压输出检测到任何错误或后
在上电期间。
输出电压遥感。
无连接。
3
7
14
2, 3, 4, 5, 7, 9,
10, 12, 13, 15
V
OUT （ SENSE ）
NC
典型性能特性
I
CQ
与V
IN
过温
R
负载
= 25W
I
CQ
与V
IN
R上
负载
房间温度。
55.0
50.0
45.0
40.0
ICQ （毫安）
30.0
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
125C
25C
ICQ （毫安）
35.0
-40C
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
V
IN
(V)
120.0
110.0
100.0
90.0
80.0
70.0
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
0.0
V
IN
(V)
R
负载
= 6.67
R
负载
= 10
R
负载
= 25
R
负载
=空载
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
V
OUT
VS V
IN
过温
R
负载
= 25W
V
OUT
与V
IN
R上
负载
房间温度。
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
V
OUT
(V)
V
OUT
(V)
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
125C
RLOAD = 6.67
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
RLOAD =
空载
RLOAD = 10
25C
-40C
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
V
IN
(V)
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
V
IN
(V)
3
CS8126 ， -1，-2
典型性能特征：持续
线路调整与输出电流过温
100
80
60
负载调整率（MV ）
线路调整（MV ）
V
IN
6-26V
负载稳定度输出电流过温
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
V
IN
= 14V
TEMP = 125°C
TEMP = 25°C
TEMP = -40°C
40
20
0
-20
-40
-60
-80
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
输出电流（mA ）
TEMP = 125°C
TEMP = 25°C
TEMP = 40℃
0
100
200
300
400
500
600
700
800
输出电流（mA ）
漏失电压与输出电流过温
900
800
静态电流（mA ）
漏失电压（MV ）
静态电流与输出电流过温
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
IN
= 14V
25C
125C
700
600
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
输出电流（mA ）
-40C
125C
25C
-40C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
输出电流（mA ）
纹波抑制
I
OUT
= 250毫安
输出电容的ESR
10
3
10
2
90
80
70
抑制（分贝）
C
OUT
= 10MF ， ESR = 1 & 0.1μF的，
ESR = 0
10
1
ESR（欧姆）
C
OUT
= 47 / 68mF
稳定区
60
50
40
30
20
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
频率。 （赫兹）
C
OUT
= 10MF ， ESR = 10W
C
OUT
= 10MF ， ESR = 1W
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
C
OUT
= 47mF
C
OUT
= 68mF
10
5
10
6
10
7
10
8
10
-4
10
0
10
1
10
2
10
3
输出电流（mA ）
4
CS8126 ， -1，-2
复位电路的波形
1 =无延迟电容
（ 2 ） =有延迟电容
（ 3 ） =最大：复位电压（ 1.0V ）
V
OUT
V
室温（ON）的
V
室温（OFF）的
V
RH
RESET
(1)
(2)
V
RL
(3)
t
延迟
延迟
V
DH
V
DC （ HI ）
V
DC （ LO ）
(2)
V
DIS
电路描述
该CS8126复位功能，具有滞后双方的
复位和延迟比较器，锁存延时电容
放电电路，以及工作在低至1V 。
复位电路的输出是集电极开路型
ON和OFF参数指定。 RESET输出
NPN型晶体管是由所述的两个电路控制
（见框图） 。
低电压抑制电路
该电路监视输出电压，并且当输出
电压下降到低于V
室温（OFF）的
，使RESET输出转录
体管是在ON （饱和度）的状态。当输出
电压升至大于V
室温（ON）的
时，该电路允许复位
输出晶体管进入截止状态，如果允许通过
复位延时电路。
复位延时电路
该电路提供了一个可编程的（由外部电容
TOR）延迟上的RESET输出引线。延迟铅亲
外部延迟电容志愿组织来源目前只
当"Low电压Inhibit"电路指示输出
放电压高于V
室温（ON）的
。否则，延迟导致
下沉到地面的电流（用于放电延迟
电容） 。放电电流被锁开启时
输出电压下降到低于V
室温（OFF）的
。延迟电容器
随时随地完全放电，输出电压下降超出
调节，即使时间很短。此功能
保证了控制的复位脉冲产生如下
检测到错误条件。该电路可
复位输出晶体管转到OFF （开）状态
仅当在延时引线的电压高于
V
DC(H1)
.
延迟时间的复位功能的计算
下式：
C
延迟
V
延迟
门槛
延迟时间=
I
收费
延迟时间= C
延迟
3.2
10
5
如果C
延迟
= 0.1μF ，延迟时间（ms ）= 32ms的± 50％ ：即16ms的
到过48ms 。电容器的容差也必须考虑
考虑到计算的延迟时间的总和的变化。
5
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