富士通半导体
数据表
DS06-20206-5E
半定制
CMOS
标准电池
CS81系列
■
描述
在CS81系列0.18
m
CMOS标准单元是一条线的高度集成的CMOS专用集成电路具有高速
和低功耗。
此系列采用高达4000万门，它们具有11皮秒门延迟时间，从而导致这两个积分
和速度比常规产品高出约三倍。
此外， CS81可以在向下的电源电压进行操作，以1.1伏，基本上降低了功率消耗
化。
■
特点
技术
: 0.18
m
硅栅CMOS ， 36层布线能够整合高的混合物的
在单个芯片上的速度的过程和小区（正在开发）
电源电压
:
+1.8
V
±
0.15 V（正常）到
+1.1
V
±
0.1 V
结温范围：
40
to
+125 °C
门延迟时间：吨
pd
=
11 PS （ 1.8 V ，逆变器，女/ O
=
1)
门功耗：P
d
=
5净重/兆赫/ BC （ 1.1 V， 2 - NAND ，女/ O
=
1)
高速的支持（ 62.2 Mbps到780 Mbps的2.5 Gbps至3.125 Gbps）的接口宏传输
输出缓冲单元与降噪电路
具有片上输入上拉/下拉电阻输入（ 33 kΩ的典型值）和双向缓冲单元
致力于晶体振荡器缓冲单元
特殊接口（P- CML ，LVDS， PCI ，AGP， USB， SDRAM -I / F ，SSTL ，等等。包括根据
发展）
IP宏（ CPU（ FR， ARM7，ARM9 ） ，DSP， PCI， IEEE 1394 ，USB ，红外，锁相环， ADC，DAC，以及其他。包括
这些开发中）
能掺入编译单元（ RAM / ROM /倍频，等等。 ）
可配置的内部总线电路
先进的硬件/软件协同设计环境
采用时序驱动布局工具短期发展
支持静态时序签核
显着减少的时间，用于产生测试向量的时序验证和模拟时间
（续）
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CS81系列
（续）
分层的设计环境，配套的大型电路
考虑模拟输入压摆率和详细的RC延迟计算（布局后） （布局前）
试制后，支持发展以最小时间的麻烦
支持内存（ RAM / ROM ）扫描
支持内存（ RAM ）， BIST
支持边界扫描
支持路径延迟测试
多种封装选项（ TQFP ， HQFP ， EBGA ， FBGA ， TAB -BGA ， FCBGA ， LQFP ）
■
宏库（正在准备含宏）
1.
逻辑单元（约400种）
加法器
与或逆变器
时钟缓冲器
LATCH
NAND
和
NOR
扫描触发触发器
ENOR
与或
解码器
非扫描。触发器
逆变器
卜FF器
OR -AND
OR-和变频器
OR
选择器
公交车司机
EOR
OTHERS
2. IP宏
CPU / DSP
高速接口的宏
接口宏
多媒体处理宏
混合信号宏
编译宏
PLL
FR ， SPARClite ， ARM7 ， ARM9 ， DSP通信，DSP用于AV
和其他人
622 Mbps至780 Mbps的2.5 Gbps至3.125 Gbps的
PCI， IEEE 1394 ，USB ，红外，和其它
JPEG，MPEG和其他
ADC，DAC，运算放大器，以及其他
RAM，ROM，乘法器，加法器，乘法器 - 累加器，以及其他
模拟锁相环，数字锁相环
3.特殊的I / O接口的宏
T- LVTTL
LVDS
IEEE1394
SSTL
PCI
SDRAM - I / F
HSTL
AGP
P- CML
USB
2
CS81系列
■
编译细胞
编译的电池是将自动与指定的位/字配置生成宏小区。该
CS81系列拥有编译单元的以下几种类型。 （请注意，每个宏字/位范围不同
这取决于色谱柱的类型。 ）
1.时钟同步单口RAM（ 1地址： 1 RW ）
高密度型/部分写类型
列类型
内存容量
4
16
高速型
列类型
8
16至72
64至72
字范围
16至1K的
64 4K的
位范围
1至72
1至18个
单位
位
位
内存容量
256到144
字范围
64至2千
位范围
4 72
单位
位
大规模的部分写入型
列类型
内存容量
16
24.5 K至1179
字范围
4 K至16K的
位范围
6到72
单位
位
2.时钟同步双端口RAM （地址2 ： 1 RW ， 1 R ）
高密度型/部分写类型
列类型
内存容量
4
16
16至72
64至72
字范围
16至1K的
64 4K的
位范围
1至72
1至18个
单位
位
位
3.时钟同步寄存器文件（ 3地址： 1 W， 2 R ）
列类型
1
内存容量
4608
字范围
4至64
位范围
1至72
单位
位
4.时钟同步寄存器文件（地址4 ： 2 W ， 2 R ）
列类型
1
内存容量
4608
字范围
4至64
位范围
1至72
单位
位
5.时钟同步的ROM（ 1地址， 1R）
列类型
16
内存容量
256 512K的
字范围
128 4K的
位范围
2 128
单位
位
6.时钟同步延迟行存储器（2地址： 1W， 1 r）
列类型
8
16
32
内存容量
256到32K的
384到32K的
512到32K的
字范围
32至1K的
64至2千
128 4K的
位范围
8至32
6 16个
4至8
单位
位
位
位
3
CS81系列
■
绝对最大额定值
等级
民
0.5
0.5
0.5
55
40
最大
+2.5*
2
+4.0*
3
V
DD
+0.5
(
≤
2.5 V) *
2
V
DD
+0.5
(
≤
4.0 V) *
3
V
DD
+0.5
(
≤
2.5 V) *
2
V
DD
+0.5
(
≤
4.0 V) *
3
+125
+125
±4
时钟输入*
5
: 200
正常输入： 100
100
3000/R
O
*7
参数
电源电压*
输入电压*
1
1
符号
V
DD
V
I
单位
V
V
V
°C
°C
mA
Mbps的*
6
Mbps的*
6
pF
mA
输出电压*
1
V
O
TST
T
j
I
O
R
I
R
O
C
O
I
D
储存温度
结温
输出电流*
4
输入信号传输速率
输出信号发射率
输出负载电容
电源引脚电流
*1 : V
SS
=
0 V
* 2 ：如遇单电源或双电源内部门的一部分
* 3 ：I / O的情况下，部分3.3 VI / F或2.5 VI / F用于通过双电源供电。
* 4：直流电流的持续时间超过10毫秒，或平均直流电流
* 5：如果I / O元件的时钟输入
* 6个基点
=
每秒位
* 7 ：电源引脚电流为1 V
DD
/ GND引脚
FRAME
来源类型
V
DDE
, V
DDI
, V
DD
, V
SS
YS ，易
B
V
DDE
V
DDI
, V
DD
, V
SS
V
DDE
, V
DDI
, V
DD
, V
SS
最大电流[mA ]
标准源的其他来源
68
39
68
43
68
39
68
30
数
层
4, 5
3
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
4
QQ：2880707522 复制
