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CS7054
CS7054
低边FET的PWM控制器
描述
该CS7054是一款单芯片integrat-
编辑电路设计主要是为了
控制perma-的转子速度
新界东北磁铁,直流(DC )
有刷电机。它推动的门
一个N沟道功率MOSFET或
IGBT具有用户可调节的,固定
频率,占空比可调,
脉冲宽度调制(PWM)显
宇空。的CS7054还可以用来
控制其它负载,如incan-
血统灯泡和螺线管。
从电动机感应电流或
螺线管通过一再循环
外部二极管。
的CS7054接收DC电平
0输入信号为5V ,以控制
脉冲宽度的输出信号。
可以通过生成这个信号
电位器参照的是导通
芯片的5V线性稳压器,或进行过滤
篇幅中0%至100%的PWM信号,也
引用到5V稳压器。
在IC被放置在睡眠状态中由
拉CTL铅低于0.5V 。在
这种模式下所有的芯片上是
关闭除了片上
调节器和总电流
平局小于275 μA 。有
许多片上诊断
是寻找潜在的失效模式
并且可以禁用外部电源
MOSFET。
特点
s
200毫安山顶PWM门
输出驱动器
s
专利的电压
补偿电路
s
100%占空比
能力
s
5V ,± 3 %线性注册。
s
低电流睡眠模式
s
过压保护
s
过电流保护
外部MOSFET /
IGBT
s
输出禁止
应用框图
封装选项
MOT +
14引脚PDIP
V
BAT
42.5mH
R
S
51
1000mF
1000mF
产量
V
CC
GND
保护地
FLT
INH
1M
10mF
R
6
.01mF
MOT-
产量
1
GND
2
FLT
3
C
OSC
4
R
CS1
C
CS
51
.022mF
R
CS2
R
SENSE
4mW
14
13
12
V
CC
保护地
INH
C
FLT
C
OSC
R
OSC
105K
.25mF
390pF
C
OSC
R
OSC
CTL
NC
I
ADJ
I
SENSE +
I
SENSE-
11
I
ADJ
10
I
SENSE +
9
8
R
OSC
5
CTL
6
NC
7
I
SENSE-
V
REG
V
REG
51
输入
10K
10K
P1
100K
N1
10K
10mF
10K
10K
10K
16引脚SO向厂家咨询
全包。
樱桃半导体公司
2000县南径,东格林威治, RI 02818
联系电话: (401)885-3600传真: (401)885-5786
电子邮件: info@cherry-semi.com
网站: www.cherry-semi.com
牧师99年4月21日
1
A
¨
公司
CS7054
绝对最大额定值
储存温度................................................................................................................................................-65C到150C
V
CC
................................................................................................................................................................................-0.3V至30V
Supply Voltage Range (load dump = 26Vw/series 51½ resistor) V
CC
峰值瞬态电压40V .....................................
输入电压范围(任何输入) ...........................................................................................................................-0.3V至10V
最高结温..........................................................................................................................................150C
ESD能力(人体模型) ....................................................................................................................................2kV
焊接温度焊接:波峰焊(通孔样式只) ...................................... .... 10秒。最大, 260C高峰
电气特性:
8V < V
CC
< 16V , -40C <牛逼
A
< 125℃ , (除非另有规定)
参数
测试条件
典型值
最大
单位
s
V
CC
供应
工作电流供应
静态电流
过压关断
过电压滞后
V
CC
= 12V
18
150
5
170
19.5
325
10
275
21
500
mA
A
V
mV
s
控制( CTL )
控制输入电流
睡眠模式阈值
睡眠模式滞后
CTL = 0V至5V
-2
8%
50
0.1
10%
100
2
12%
150
A
V
REG
mV
s
电流检测
差分电压检测
I
ADJ
输入电流
I
ADJ
=51.2% V
REG
和R
CS1
= 51½
I
ADJ
= 0V至5V
60.5
-5
0.3
79.5
2
mV
A
s
线性稳压器V
REG
输出电压
V
CC
= 13.2V
4.85
5.00
5.15
V
s
抑制
抑制阈值
禁止迟滞
s
外置驱动器(输出)
输出频率
电压占空比
转变
输出上升时间
输出下降时间
输出灌电流
输出源电流
输出高电压
输出低电压
R
OSC
= 105k½, C
OSC
= 390pF
V
CC
= 13V , CTL = 30 %V
REG
V
CC
= 13V , CTL = 70 %V
REG
V
CC
= 13V ,R
= 6½, C
= 5NF
V
CC
= 13V ,R
= 6½, C
= 5NF
V
CC
= 13V ,R
= 6½, C
= 5NF
V
CC
= 13V ,R
= 6½, C
= 5NF
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= -1mA
2
V
CC
- 1.7
1.3
17
26.3
69.5
.25
.30
400
400
20
23
38.5
81.5
1
1
千赫
%
%
s
s
mA
mA
V
V
40%
150
50%
325
60%
500
V
REG
mV
封装引线说明
封装引线#
LEAD符号
功能
CS7054
14引脚PDIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
产量
GND
FLT
C
OSC
R
OSC
CTL
NC
V
REG
I
SENSE-
I
SENSE +
I
ADJ
INH
保护地
V
CC
MOSFET栅极驱动器
故障超时电容
振荡器电容
振荡器电阻
脉冲宽度控制输入
无连接
5V线性稳压器
电流检测减号
电流检测加
电流限制调节
输出禁止
电源地的片上夹
正电源输入
应用信息
工作原理
振荡器
该集成电路设置了一个恒定频率的三角波在
C
OSC
引线,其频率是由外部确定
分量R
OSC
和C
OSC
通过下面的等式:
0.83
R
OSC
C
OSC
T = 2C
OSC
(V
PEAK
- V
)
I
COSC
I
COSC
= ±
V
CC
R
OSC
I
ROSC
是由两个(2)乘以内部,并转移到
了C
OSC
导致。因此:
所述振荡器的周期是:
频率=
峰值与三角波的谷成正比
到V
CC
通过执行以下操作:
V
= 0.2
V
CC
V
PEAK
= 0.8
V
CC
这是必需的,以使所述电压补偿功能
放好。为了保持该振荡器的频率
器的恒定电流对C充电
OSC
必须也各不相同
与供应。
OSC
设立这对C充电电流
OSC
.
R两端的电压
OSC
为V的50%
CC
因此:
V
CC
R
OSC
第r
OSC
和C
OSC
组件可以变化以创建频
quencies超过15Hz的至25kHz的范围内。随着伊赛格
gested values of 105k½ and 390pF for R
OSC
和C
OSC
分别标称频率将大约
20千赫。我
ROSC
在V
CC
= 14V ,将66.7 μA 。我
ROSC
1的比例,因此C:不超过2个以上改变
OSC
应改变以调整振荡器频率。
电压占空比转换
该转换IC的输入电压在CTL领先进入
占空比输出引线。的传递函数
采用樱桃Semiconductors专利的电压
补偿的方法,以保持平均电压和
负载两端的恒定电流无关的波动
3
I
ROSC
= 0.5
CS7054
应用信息:继续
在电源电压。占空比是根据向变
在输入电压和电源电压由下面的
公式:
2.8
V
CTL
V
CC
跨越这两个线索TiAl基电压在内部放大
并且相比于在I上的电压
ADJ
导致。增益的
V
,
在内部和外部设置的由下面的等式:
V
我( ADJ )
I
SENSE +
- I
SENSE-
占空比= 100 %
A
V
=
=
37000
1000 + R
CS
内部直流电压等于:
V
DC
= (1.683
V
CTL
) + (V
)
是相对于振荡器的电压以产生所述的COM
补偿的占空比。转移设置,使得在V
CC
=
14V税将等于V
CTL
用V划分
REG
。对于应试
PLE在V
CC
= 14V, V
REG
= 5V和V
CTL
= 2.5V ,占空比
周期为50 %的输出。这将放置一个7V
负载两端的平均电压。如果V
CC
然后下降到10V,
该IC将改变占空比70% ,从而保持
在7V的平均负载电压。
电流限制(我
LIM
)由外部电流检测设
电阻器(R
SENSE
)跨接在我
SENSE +
SENSE-
之三
minals并在I上的电压
ADJ
导致。
(1000 + R
CS
)
37000
V
我( ADJ )
R
SENSE
I
LIM
=
120%
V
CC
= 8V
100%
80%
占空比( % )
V
CC
= 14V
60%
V
CC
= 16V
40%
第r
CS
电阻器和C
CS
部件构成差动
低通滤波器,该滤波器滤除高频噪声gen-
通过外部MOSFET和所述的开关erated
有关铅的噪音。
CS
也形成了一个误差项
在我的增益
LIM
方程,因为我
SENSE +
SENSE-
导线是低阻抗输入,从而创造一个良好的
电流检测放大器。这两个导致源50μA ,而
该芯片在运行模式。
CS
应该比1000小得多
½ to minimize error in the I
LIM
方程。我
ADJ
1V和4V之间的偏差。
当电流通过外部MOSFET超过
I
LIM
,内部锁存器设置,输出拉的门
在MOSFET低的振荡周期的剩余时间
(故障模式) 。在下一循环的开始,锁存器被复位
和IC恢复到运行模式,直到另一个错误
发生。如果发生在给定的周期数的故障
时,在IC times out和禁止MOSFET的
时间久了,让它冷静下来。这是通过
收取了C
FLT
每次在过电流的电容器
情况发生。如果一个周期的推移,无过流
故障发生,甚至更小的量的电荷会
从C中删除
FLT
。如果出现足够的故障在一起,偶
tually
FLT
将充电至2.4V ,故障锁存器
进行设置。故障锁存器不会被重置,直至C
FLT
解散
收费为0.6V 。这一行动将无限期地继续下去,如果
故障依旧。
关断时间和时间由以下设置:
2.4V - 0.6V
4.5A
20%
0%
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
CTL电压V ( %
REG
)
图1 :电压补偿
5V线性稳压器
有可在V为5V , 5毫安线性稳压器
REG
导致外用药。这个电压可充当参考
许多内部和外部的功能。它有一个砸出来的
在室温下大约为1.5V ,并且不
需要一个外部电容即可稳定工作。
电流检测和定时器
在IC差分监视上一个周期的负载电流
通过在I周期的基础
SENSE +
SENSE-
导致。该differen-
4
关闭时间= C
FLT
CS7054
应用信息:继续
过压关断
在时间= C
FLT
2.4V - 0.6V
I
AVG
IC将过压时禁止输出
事件。这是一个实时的故障事件,并没有设置
内部锁存器,因此是独立的振荡器的
定时(即,异步) 。没有欠压锁定
出。优雅一旦用完,设备将关闭
的空间。
其中:
I
AVG
= (295.5A
直流) - [ 4.5μA
( 1 - DC ) ]
I
AVG
= (300A
DC ) - 4.5μA
DC = PWM占空比
睡眠状态
该设备将进入一个低电流模式( <275μA )
当CTL铅被带到小于0.5V 。所有功能
被禁止在该模式下,除了调节器。
电池反接
该CS7054将无法生存反向电池状况。
因此,需要在电池之间的串联二极管
和V
CC
导致。
负载突降
V
CC
在内部钳位到30V 。所以建议一
51½ resistor, (R
S
)被放置在一系列V
CC
限制本
电流流进了集成电路的40V峰值的情况下转录
过性条件。
抑制
当禁止电压大于2.5V的内部
锁存器置和外部MOSFET将被关闭的
该振荡器周期的剩余时间。闩锁,然后复位
在下一循环的开始。
5
CS7054
低边FET的PWM
调节器
的CS7054是主要设计成一个单片集成电路
控制永久磁铁的转子速度,直流(DC )
有刷电机。它驱动一个N沟道功率MOSFET的门或
IGBT具有用户可调节的,固定频率,占空比可变,
脉冲宽度调制(PWM)信号。的CS7054还可以用来
控制其它负载,如白炽灯泡和螺线管。
从电动机或螺线管的感应电流通过一个循环
外部二极管。
的CS7054接受0 5.0 V ,以控制的DC电平输入信号
的脉冲宽度的输出信号。可以通过生成这个信号
电位器参照的是片上5.0 V的线性稳压器,或一个
过滤0 %至100%的PWM信号,也参照的是5.0 V的
调节器。
在IC被放置在睡眠状态中通过拉动的CTL铅小于0.5 V.
在这种模式下所有的芯片上被关闭除
片上稳压器和整体电流消耗小于275
A.
有若干片上诊断该寻找潜在
故障模式,并且可以禁用外部功率MOSFET 。
特点
200毫安山顶PWM栅极驱动输出
专利的电压补偿电路
100 %占空比能力
5.0 V,
±
3.0 %线性稳压器
低电流睡眠模式
过压保护
外部MOSFET的过电流保护/ IGBT
输出禁止
http://onsemi.com
DIP–14
SUF科幻X
CASE 646
1
SO–16L
DW后缀
CASE 751G
1
14
16
引脚连接和
标记DIAGRAMS
1
产量
GND
FLT
C
OSC
R
OSC
CTL
NC
DIP–14
1
产量
GND
FLT
C
OSC
R
OSC
CTL
NC
NC
AWLYYWW
16
V
CC
NC
保护地
INH
I
ADJ
I
SENSE +
I
V
REG
14
V
CC
保护地
INH
I
ADJ
I
SENSE +
I
V
REG
SO–16L
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
CS7054YN14
CS7054YDW16
CS7054YDWR16
DIP–14
SO–16L
航运
25单位/铁
46单位/铁
CS7054
AWLYYWW
CS7054
SO- 16L 1000磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年1月 - 12牧师
出版订单号:
CS7054/D
CS7054
MOT +
V
BAT
42.5
H
R
S
51
1000
F
1000
F
产量
GND
FLT
CS7054
C
OSC
R
OSC
CTL
NC
I
ADJ
I
SENSE +
I
V
REG
V
CC
保护地
INH
10
F
R
6
0.01
F
1.0 M
MOT-
C
FLT
C
OSC
0.25
F
390 pF的
R
CS1
C
CS
51
0.022
F
R
CS2
51
R
SENSE
4.0 m
R
OSC
105 k
PWM
输入
10 k
10 k
P1
100 k
10 k
10
F
10 k
10 k
10 k
N1
10 k
图1.应用框图
绝对最大额定值*
等级
储存温度
V
CC
电源电压范围(抛负载= 26 V W / 51系列
电阻器)V
CC
峰值瞬态电压
输入电压范围(任何输入)
最高结温
ESD敏感性(人体模型)
无铅焊接温度
1.最长10秒。
2.60秒以内以上183℃
*最大包装功耗必须遵守。
波峰焊(通孔样式只)注1 。
回流焊(仅限SMD样式)注2 。
价值
-65到150
-0.3 30
40
-0.3至10
150
2.0
260峰
230峰
单位
°C
V
V
V
°C
kV
°C
°C
http://onsemi.com
2
CS7054
电气特性
( 8.0 V& LT ; V
CC
& LT ; 16 V ; -40 ° C& LT ;牛逼
A
& LT ; 125°C ;除非另有规定)。
特征
V
CC
供应
工作电流供应
静态电流
过压关断
过电压滞后
控制( CTL )
控制输入电流
睡眠模式阈值
睡眠模式滞后
电流检测
差分电压检测
I
ADJ
输入电流
线性稳压器
输出电压
抑制
抑制阈值
禁止迟滞
外置驱动器(输出)
输出频率
电压占空比转换
输出上升时间
输出下降时间
输出灌电流
输出源电流
输出高电压
输出低电压
R
OSC
= 105 kΩ的,C
OSC
= 390 pF的
V
CC
= 13 V , CTL = 30 %V
REG
V
CC
= 13 V , CTL = 70 %V
REG
V
CC
= 13 V ,R
= 6.0
,
C
= 5.0 nF的
V
CC
= 13 V ,R
= 6.0
,
C
= 5.0 nF的
V
CC
= 13 V ,R
= 6.0
,
C
= 5.0 nF的
V
CC
= 13 V ,R
= 6.0
,
C
= 5.0 nF的
I
OUT
= 1.0毫安
I
OUT
= -1.0毫安
17
26.3
69.5
V
CC
– 1.7
20
0.25
0.3
400
400
23
38.5
81.5
1.0
1.0
1.3
千赫
%
%
s
s
mA
mA
V
V
40
150
50
325
60
575
% V
REG
mV
V
CC
= 13.2 V
4.85
5.00
5.15
V
I
ADJ
= 51.2% V
REG
和R
CS1
= 51
I
ADJ
= 0 V至5.0 V
60.5
–5.0
0.3
79.5
2.0
mV
A
CTL = 0 V至5.0 V
–2.0
8.0
50
0.1
10
100
2.0
12
150
A
% V
REG
mV
V
CC
= 12 V
18
150
5.0
170
19.5
325
10
275
21
500
mA
A
V
mV
测试条件
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
CS7054
封装引脚说明
封装引脚#
DIP–14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
SO–16L
1
2
3
4
5
6
7, 8, 15
9
10
11
12
13
14
16
引脚符号
产量
GND
FLT
C
OSC
R
OSC
CTL
NC
V
REG
I
I
SENSE +
I
ADJ
INH
保护地
V
CC
功能
MOSFET栅极驱动器。
地面上。
故障超时电容。
振荡器的电容。
振荡电阻。
脉冲宽度控制输入。
无连接。
5.0 V线性稳压器。
电流检测负。
电流检测加。
电流限制调节。
输出禁止。
电源地对片夹紧。
正电源输入。
GND
V
CC
V
REG
5.0 V稳压器
过压
V
CC
保护地
+
_
CTL
+
_
RESET
三角形
振荡器
S
R
当前
SENSE
I
SENSE +
Q
+
_
产量
+
_
INH
I
定时器
OUT
In
+
_
I
ADJ
FLT
C
OSC
R
OSC
图2.框图
http://onsemi.com
4
CS7054
典型性能特性
5.04
5.04
2.0毫安
100
A
5.02
2.0毫安
100
A
5.02
5.00
V
REG
V
REG
5.00
5.0毫安
4.98
5.0毫安
4.98
4.96
4.96
4.94
–50
0
50
温度
100
150
4.94
–50
0
50
温度
100
150
图3. V
REG
与温度的关系@ V
CC
= 8.0 V
图4. V
REG
与温度的关系@ V
CC
= 12 V
5.04
2.0毫安
5.02
100
A
1.7
1.6
1.5
产量
5.00
V
REG
5.0毫安
4.98
1.4
1.3
1.2
I = 2.0毫安
4.96
1.1
4.94
–50
0
50
温度
100
150
1.0
–50
0
50
温度
100
150
图5. V
REG
与温度的关系@ V
CC
= 16 V
图6.输出饱和电压(采购
电流)与温度
1.3
I = 2.0毫安
产量
1.2
1.1
–50
0
50
温度
100
150
图7.输出电压(灌入电流) VS
温度
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