CS5525
CS5526
16位/ 20位多范围的ADC有4位锁存器
特点
Δ-Σ A / D转换器
-
线性误差: 0.0015 % FS
-
无噪声分辨率: 18位
概述
16位的CS5525和20位CS5526是高度IN-
tegrated
Σ
A / D转换器,其中包括
仪表放大器,一个PGA (可编程增益
放大器) , 8个数字滤波器,以及自与系统卡利
bration电路。
该转换器设计用于提供自己的负面
略去供应使他们的芯片上的仪器
放大器来测量双极接地参考信号
≤±100
毫伏。通过直接与-2.5 V和提供新业务价值
与VA + 5 V,
±
2.5V的信号(相对于地)
可以被测量。
数字滤波器提供可编程输出更新
3.76 Hz至202 Hz的速率( XIN = 32.768千赫) 。
输出率可提高约3倍
通过使用XIN = 100千赫。每个滤波器被设计为解决
达到完全精确的在一个转换的输出更新速率
锡永周期。与15赫兹或更少的字速率滤波器
( XIN = 32.768千赫)可同时抑制50和60赫兹(
±
3赫兹)线
同时干扰。
低功耗,单次转换建立时间,可编
BLE产出率,并提供负电压输入能力
信号,使这些单电源供电产品的理想解决方案
系统蒸发散的隔离和非隔离应用。
订购信息
见page26 。
双极性/单极性输入范围
-
25毫伏, 55毫伏, 100毫伏, 1 V , 2.5 V和5 V
斩波稳定仪表放大器
片内电荷泵驱动电路
4位输出锁存器
简单的三线串行接口
-
SPI 和Microwire 兼容
-
施密特触发器串行时钟( SCLK )
可编程输出率
-
3.76 Hz至202Hz ( XIN = 32.768千赫)
-
11.47赫兹到616赫兹(XIN = 100千赫)
输出在同一个转换周期
同时50/60 Hz的噪声抑制
系统和自校准用
读/写寄存器
采用+5 V单模拟电源
3.0 V或5 V数字电源
低功耗模式功耗: 4.9毫瓦
-
1.8毫瓦在1 V , 2.5 V和5 V输入范围
VA +
AGND
VREF +
VREF-
DGND
VD +
AIN +
AIN-
+
X20
-
可编程
收益
迪FF erential
4阶
Δ-Σ
调制器
数字滤波器
校准
注册
CS
SCLK
NBV
A0
A1
A2
A3
控制
注册
SDI
LATCH
校准
内存
校准
C
时钟
将军
产量
注册
SDO
CPD
鑫XOUT
Cirrus Logic公司,公司
www.cirrus.com
版权
Cirrus Logic公司2003年公司
(版权所有)
03月
DS202F3
1
CS5525 CS5526
(T
A
= 25°C ; VA + VD + = 5 V± 5 % ; VREF + = 2.5 V , VREF- = AGND ,
新业务价值= -2.1 V, FCLK = 32.768千赫, OWR (输出率) = 15赫兹,双极模式下,输入范围= ±100 mV的;
见注1和2 )
CS5525
参数
民
-
16
(注3)
(注3)
(注3和4)
-
-
-
-
-
(注4 )
( VREF + ) - ( VREF- )
dc
50 , 60赫兹
(注5 )
-
1
-
-
-
-
典型值
最大
民
-
20
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
-
CS5526
典型值
最大
单位
% FS
位
最低位
最低位
内华达州/ ℃,
PPM
PPM
PPM /°C的
V
dB
dB
pF
μA / V
模拟特性
准确性
线性误差
无失码
双极偏移
单极性偏移
失调漂移
双极性增益误差
单极性增益误差
增益漂移
±0.0015 ±0.003
-
±1
±2
20
±8
±16
1
2.5
110
130
16
0.6
-
±2
±4
-
±31
±62
3
3.0
-
-
-
-
±0.0007 ±0.0015
-
±16
±32
20
±8
±16
1
2.5
110
130
16
0.6
-
±32
±64
-
±31
±62
3
3.0
-
-
-
-
参考电压输入
范围
共模抑制
输入电容
CVF电流
注:系统校准的范围内-40°C + 85 ℃的任一温度下经过1.适用。
2.规格保证的设计,表征和/或测试。
3.规范仅适用于该装置,并且不包括由外部寄生的任何影响
热电偶。 LSB = LSB
16
为CS5525和LSB
20
为CS5526 。
4.漂移在上电时,在25℃下校准后规定的温度范围。
5.请参阅数据表,其中讨论了输入模式15页的章节。
RMS噪声
(注6及7 )
产出率
(赫兹)
3.76
7.51
15.0
30.1
60.0
123.2 (注8 )
168.9 (注8 )
202.3 (注8 )
-3分贝过滤器
频率
3.27
6.55
12.7
25.4
50.4
103.6
141.3
169.2
25毫伏
90纳伏
110纳伏
170纳伏
250纳伏
500纳伏
2.0 V
10 V
30 V
输入范围(双极性/单极性模式)
55毫伏
100毫伏
1V
2.5 V
90纳伏
130纳伏
1.0 V
2.0 V
130纳伏
190纳伏
1.5 V
3.0 V
200纳伏
250纳伏
2.0 V
5.0 V
300纳伏
500纳伏
4.0 V
10 V
1.0 V
1.5 V
15 V
45 V
4.0 V
8.0 V
72 V
190 V
20.0 V
30 V
340 V
900 V
55 V
105 V
1.1毫伏
2.4毫伏
5V
4.0 V
7 V
10 V
15 V
85 V
350 V
2.0毫伏
5.3毫伏
注:混叠到基带6.宽带噪声。折合到输入端。所示的典型值25 ℃。
7.为峰峰值噪声乘以6.6的所有范围和产出率。
8.对于输入范围<100 mV的输出字速率>60赫兹, 32.768 kHz的斩波频率使用。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
2
DS202F3
CS5525 CS5526
模拟特性
(续)
参数
民
典型值
最大
单位
模拟量输入
共模+信号在AIN +和AIN-
双极性/单极性模式
新业务价值= -1.8 -2.5 V
范围= 25毫伏, 55毫伏,或100毫伏
范围= 1 V , 2.5 V或5 V
新业务价值= AGND
范围= 25毫伏, 55毫伏,或100毫伏
范围= 1 V , 2.5 V或5 V
共模抑制
输入电容
在AIN +和AIN- CVF电流
(注5 )
范围= 25毫伏, 55毫伏,或100毫伏
范围= 1 V , 2.5 V或5 V
dc
50 , 60赫兹
-0.150
NBV
1.85
0.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
120
10
100
1.2
0.950
VA +
2.65
VA +
-
-
-
300
-
V
V
V
V
dB
dB
pF
pA
μA / V
系统校准规范
满量程校准范围
25毫伏
55毫伏
100毫伏
1V
2.5 V
5V
偏移校准范围
25毫伏
55毫伏
100毫伏
1V
2.5 V
5V
双极性/单极性模式(注9 )
17.5
38.5
70
0.70
1.75
3.50
双极性/单极性模式
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.65
15
475
9.4
4.9
1.2
500
95
110
±12.5
±27.5
±50
±0.5
±1.25
±2.50
2.2
30
700
12.7
8.5
-
-
-
-
mV
mV
mV
V
V
V
mA
A
A
mW
mW
mW
W
dB
dB
-
-
-
-
-
-
32.5
71.5
105
1.30
3.25
VA +
mV
mV
mV
V
V
V
(注10 )
电源
直流电源电流(正常模式)
I
A+
I
D+
I
NBV
耗电量
普通模式
低功耗模式
待机
睡觉
直流正电源
DC NBV
(注11 )
电源抑制
注释: 9.最小满量程校准范围( FSCR )由最大允许增益寄存器不限
值(带边距)。最大FSCR被限定
Σ
调制器的1的密度范围。
10.最大满刻度信号可以由电路的饱和度的内部信号路径中受到限制。
11.所有输出卸载。所有输入CMOS电平。
DS202F3
3
CS5525 CS5526
5 V数字特征
(T
A
= 25°C ; VA + VD + = 5 V± 5 % ; GND = 0;
见注2和12 ) )
参数
高电平输入电压
所有引脚除了XIN和SCLK
XIN
SCLK
所有引脚除了XIN和SCLK
XIN
SCLK
符号
V
IH
民
0.6 VD +
3.5
(VD +) - 0.45
-
0.0
-
( VA + ) - 1.0
(VD +) - 1.0
(VD +) - 1.0
V
OL
-
-
-
I
in
I
OZ
C
OUT
-
-
-
-
-
-
±1
-
9
0.4
0.4
0.4
±10
±10
-
V
V
V
A
A
pF
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
VD +
-
0.8
1.5
0.6
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
低电平输入电压
V
IL
高电平输出电压
所有引脚除了CPD和SDO (注13 )
CPD ,我
OUT
= -4.0毫安
SDO ,我
OUT
= -5.0毫安
低电平输出电压
所有引脚除了CPD和SDO ,我
OUT
= 1.6毫安
CPD ,我
OUT
= 2毫安
SDO ,我
OUT
= 5.0毫安
输入漏电流
三态泄漏电流
数字输出引脚电容
备注: 12.在静态条件下进行所有的测量。
V
OH
13. I
OUT
= -100 μA,除非另有说明。 (V
OH
= 2.4 V @ I
OUT
= -40 A.)
3.0 V数字特征
(T
A
= 25°C ; VA + = 5 V± 5 % ; VD + = 3.0 V± 10 % ; GND = 0;
见注2和12 ) )
参数
高电平输入电压
所有引脚除了XIN和SCLK
XIN
SCLK
所有引脚除了XIN和SCLK
XIN
SCLK
符号
V
IH
民
0.6 VD +
0.54 VA +
(VD +) - 0.45
-
0.0
-
( VA + ) - 0.3
(VD +) - 1.0
(VD +) - 1.0
V
OL
-
-
-
I
in
I
OZ
C
OUT
-
-
-
-
-
-
±1
-
9
0.3
0.4
0.4
±10
±10
-
V
V
V
A
A
pF
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
VD +
-
0.16 VD +
1.5
0.6
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
低电平输入电压
V
IL
高电平输出电压
所有引脚除了CPD和SDO ,我
OUT
= -400 A
CPD ,我
OUT
= -4.0毫安
SDO ,我
OUT
= -5.0毫安
低电平输出电压
所有引脚除了CPD和SDO ,我
OUT
= 400 A
CPD ,我
OUT
= 2毫安
SDO ,我
OUT
= 5.0毫安
输入漏电流
三态泄漏电流
数字输出引脚电容
V
OH
4
DS202F3
CS5525 CS5526
动态特性
参数
调制器采样频率
滤波器稳定时间1/2 LSB (满量程步进)
符号
f
s
t
s
比
XIN/2
1/f
OUT
单位
Hz
s
推荐工作条件
参数
直流电源
模拟参考电压
负偏压
注意事项: 14.所有对地电压。
正面的数字
正模拟
( VREF + ) - ( VREF- )
( AGND , DGND = 0 V ;见注14 ) )
民
2.7
4.75
1.0
-1.8
典型值
5.0
5.0
2.5
-2.1
最大
5.25
5.25
3.0
-2.5
单位
V
V
V
V
符号
VD +
VA +
VREF
差异
NBV
绝对最大额定值
( AGND , DGND = 0 V ;见注14 )
参数
直流电源
(注15 )
正面的数字
正模拟
负电位
(注16和17)
(注18 )
VREF引脚
AIN引脚
符号
VD +
VA +
NBV
I
IN
I
OUT
PDN
V
INR
V
INA
V
IND
T
A
T
英镑
民
-0.3
-0.3
+0.3
-
-
-
-0.3
NBV - 0.3
-0.3
-40
-65
最大
+6.0
+6.0
-3.0
±10
±25
500
( VA + ) + 0.3
( VA + ) + 0.3
( VD + ) + 0.3
85
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
V
V
V
°C
°C
负偏压
输入电流,任何引脚除外用品
输出电流
功耗
模拟输入电压
数字输入电压
工作环境温度
储存温度
注: 15无引脚应该负比NBV - 0.3 V.
16.适用于所有引脚,包括模拟输入( AIN )引脚连续过压条件。
最多为100 mA 17的瞬态电流不会造成SCR闩锁。最大输入电流为动力
电源引脚为±50 mA的电流。
18.总功耗,包括所有的输入电流和输出电流。
警告:操作达到或超过这些限制可能导致器件的永久性损坏。
正常运行,不能保证在这两个极端。
DS202F3
5
CS5525
CS5526
16位/ 20位多范围的ADC有4位锁存器
特点
Δ-Σ A / D转换器
-
线性误差: 0.0015 % FS
-
无噪声分辨率: 18位
概述
16位的CS5525和20位CS5526是高度IN-
tegrated
Σ
A / D转换器,其中包括
仪表放大器,一个PGA (可编程增益
放大器) , 8个数字滤波器,以及自与系统卡利
bration电路。
该转换器设计用于提供自己的负面
略去供应使他们的芯片上的仪器
放大器来测量双极接地参考信号
≤±100
毫伏。通过直接与-2.5 V和提供新业务价值
与VA + 5 V,
±
2.5V的信号(相对于地)
可以被测量。
数字滤波器提供可编程输出更新
3.76 Hz至202 Hz的速率( XIN = 32.768千赫) 。
输出率可提高约3倍
通过使用XIN = 100千赫。每个滤波器被设计为解决
达到完全精确的在一个转换的输出更新速率
锡永周期。与15赫兹或更少的字速率滤波器
( XIN = 32.768千赫)可同时抑制50和60赫兹(
±
3赫兹)线
同时干扰。
低功耗,单次转换建立时间,可编
BLE产出率,并提供负电压输入能力
信号,使这些单电源供电产品的理想解决方案
系统蒸发散的隔离和非隔离应用。
订购信息
见page26 。
双极性/单极性输入范围
-
25毫伏, 55毫伏, 100毫伏, 1 V , 2.5 V和5 V
斩波稳定仪表放大器
片内电荷泵驱动电路
4位输出锁存器
简单的三线串行接口
-
SPI 和Microwire 兼容
-
施密特触发器串行时钟( SCLK )
可编程输出率
-
3.76 Hz至202Hz ( XIN = 32.768千赫)
-
11.47赫兹到616赫兹(XIN = 100千赫)
输出在同一个转换周期
同时50/60 Hz的噪声抑制
系统和自校准用
读/写寄存器
采用+5 V单模拟电源
3.0 V或5 V数字电源
低功耗模式功耗: 4.9毫瓦
-
1.8毫瓦在1 V , 2.5 V和5 V输入范围
VA +
AGND
VREF +
VREF-
DGND
VD +
AIN +
AIN-
+
X20
-
可编程
收益
迪FF erential
4阶
Δ-Σ
调制器
数字滤波器
校准
注册
CS
SCLK
NBV
A0
A1
A2
A3
控制
注册
SDI
LATCH
校准
内存
校准
C
时钟
将军
产量
注册
SDO
CPD
鑫XOUT
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www.cirrus.com
版权
Cirrus Logic公司2003年公司
(版权所有)
03月
DS202F3
1
CS5525 CS5526
(T
A
= 25°C ; VA + VD + = 5 V± 5 % ; VREF + = 2.5 V , VREF- = AGND ,
新业务价值= -2.1 V, FCLK = 32.768千赫, OWR (输出率) = 15赫兹,双极模式下,输入范围= ±100 mV的;
见注1和2 )
CS5525
参数
民
-
16
(注3)
(注3)
(注3和4)
-
-
-
-
-
(注4 )
( VREF + ) - ( VREF- )
dc
50 , 60赫兹
(注5 )
-
1
-
-
-
-
典型值
最大
民
-
20
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
-
CS5526
典型值
最大
单位
% FS
位
最低位
最低位
内华达州/ ℃,
PPM
PPM
PPM /°C的
V
dB
dB
pF
μA / V
模拟特性
准确性
线性误差
无失码
双极偏移
单极性偏移
失调漂移
双极性增益误差
单极性增益误差
增益漂移
±0.0015 ±0.003
-
±1
±2
20
±8
±16
1
2.5
110
130
16
0.6
-
±2
±4
-
±31
±62
3
3.0
-
-
-
-
±0.0007 ±0.0015
-
±16
±32
20
±8
±16
1
2.5
110
130
16
0.6
-
±32
±64
-
±31
±62
3
3.0
-
-
-
-
参考电压输入
范围
共模抑制
输入电容
CVF电流
注:系统校准的范围内-40°C + 85 ℃的任一温度下经过1.适用。
2.规格保证的设计,表征和/或测试。
3.规范仅适用于该装置,并且不包括由外部寄生的任何影响
热电偶。 LSB = LSB
16
为CS5525和LSB
20
为CS5526 。
4.漂移在上电时,在25℃下校准后规定的温度范围。
5.请参阅数据表,其中讨论了输入模式15页的章节。
RMS噪声
(注6及7 )
产出率
(赫兹)
3.76
7.51
15.0
30.1
60.0
123.2 (注8 )
168.9 (注8 )
202.3 (注8 )
-3分贝过滤器
频率
3.27
6.55
12.7
25.4
50.4
103.6
141.3
169.2
25毫伏
90纳伏
110纳伏
170纳伏
250纳伏
500纳伏
2.0 V
10 V
30 V
输入范围(双极性/单极性模式)
55毫伏
100毫伏
1V
2.5 V
90纳伏
130纳伏
1.0 V
2.0 V
130纳伏
190纳伏
1.5 V
3.0 V
200纳伏
250纳伏
2.0 V
5.0 V
300纳伏
500纳伏
4.0 V
10 V
1.0 V
1.5 V
15 V
45 V
4.0 V
8.0 V
72 V
190 V
20.0 V
30 V
340 V
900 V
55 V
105 V
1.1毫伏
2.4毫伏
5V
4.0 V
7 V
10 V
15 V
85 V
350 V
2.0毫伏
5.3毫伏
注:混叠到基带6.宽带噪声。折合到输入端。所示的典型值25 ℃。
7.为峰峰值噪声乘以6.6的所有范围和产出率。
8.对于输入范围<100 mV的输出字速率>60赫兹, 32.768 kHz的斩波频率使用。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
2
DS202F3
CS5525 CS5526
模拟特性
(续)
参数
民
典型值
最大
单位
模拟量输入
共模+信号在AIN +和AIN-
双极性/单极性模式
新业务价值= -1.8 -2.5 V
范围= 25毫伏, 55毫伏,或100毫伏
范围= 1 V , 2.5 V或5 V
新业务价值= AGND
范围= 25毫伏, 55毫伏,或100毫伏
范围= 1 V , 2.5 V或5 V
共模抑制
输入电容
在AIN +和AIN- CVF电流
(注5 )
范围= 25毫伏, 55毫伏,或100毫伏
范围= 1 V , 2.5 V或5 V
dc
50 , 60赫兹
-0.150
NBV
1.85
0.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
120
10
100
1.2
0.950
VA +
2.65
VA +
-
-
-
300
-
V
V
V
V
dB
dB
pF
pA
μA / V
系统校准规范
满量程校准范围
25毫伏
55毫伏
100毫伏
1V
2.5 V
5V
偏移校准范围
25毫伏
55毫伏
100毫伏
1V
2.5 V
5V
双极性/单极性模式(注9 )
17.5
38.5
70
0.70
1.75
3.50
双极性/单极性模式
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.65
15
475
9.4
4.9
1.2
500
95
110
±12.5
±27.5
±50
±0.5
±1.25
±2.50
2.2
30
700
12.7
8.5
-
-
-
-
mV
mV
mV
V
V
V
mA
A
A
mW
mW
mW
W
dB
dB
-
-
-
-
-
-
32.5
71.5
105
1.30
3.25
VA +
mV
mV
mV
V
V
V
(注10 )
电源
直流电源电流(正常模式)
I
A+
I
D+
I
NBV
耗电量
普通模式
低功耗模式
待机
睡觉
直流正电源
DC NBV
(注11 )
电源抑制
注释: 9.最小满量程校准范围( FSCR )由最大允许增益寄存器不限
值(带边距)。最大FSCR被限定
Σ
调制器的1的密度范围。
10.最大满刻度信号可以由电路的饱和度的内部信号路径中受到限制。
11.所有输出卸载。所有输入CMOS电平。
DS202F3
3
CS5525 CS5526
5 V数字特征
(T
A
= 25°C ; VA + VD + = 5 V± 5 % ; GND = 0;
见注2和12 ) )
参数
高电平输入电压
所有引脚除了XIN和SCLK
XIN
SCLK
所有引脚除了XIN和SCLK
XIN
SCLK
符号
V
IH
民
0.6 VD +
3.5
(VD +) - 0.45
-
0.0
-
( VA + ) - 1.0
(VD +) - 1.0
(VD +) - 1.0
V
OL
-
-
-
I
in
I
OZ
C
OUT
-
-
-
-
-
-
±1
-
9
0.4
0.4
0.4
±10
±10
-
V
V
V
A
A
pF
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
VD +
-
0.8
1.5
0.6
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
低电平输入电压
V
IL
高电平输出电压
所有引脚除了CPD和SDO (注13 )
CPD ,我
OUT
= -4.0毫安
SDO ,我
OUT
= -5.0毫安
低电平输出电压
所有引脚除了CPD和SDO ,我
OUT
= 1.6毫安
CPD ,我
OUT
= 2毫安
SDO ,我
OUT
= 5.0毫安
输入漏电流
三态泄漏电流
数字输出引脚电容
备注: 12.在静态条件下进行所有的测量。
V
OH
13. I
OUT
= -100 μA,除非另有说明。 (V
OH
= 2.4 V @ I
OUT
= -40 A.)
3.0 V数字特征
(T
A
= 25°C ; VA + = 5 V± 5 % ; VD + = 3.0 V± 10 % ; GND = 0;
见注2和12 ) )
参数
高电平输入电压
所有引脚除了XIN和SCLK
XIN
SCLK
所有引脚除了XIN和SCLK
XIN
SCLK
符号
V
IH
民
0.6 VD +
0.54 VA +
(VD +) - 0.45
-
0.0
-
( VA + ) - 0.3
(VD +) - 1.0
(VD +) - 1.0
V
OL
-
-
-
I
in
I
OZ
C
OUT
-
-
-
-
-
-
±1
-
9
0.3
0.4
0.4
±10
±10
-
V
V
V
A
A
pF
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
VD +
-
0.16 VD +
1.5
0.6
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
低电平输入电压
V
IL
高电平输出电压
所有引脚除了CPD和SDO ,我
OUT
= -400 A
CPD ,我
OUT
= -4.0毫安
SDO ,我
OUT
= -5.0毫安
低电平输出电压
所有引脚除了CPD和SDO ,我
OUT
= 400 A
CPD ,我
OUT
= 2毫安
SDO ,我
OUT
= 5.0毫安
输入漏电流
三态泄漏电流
数字输出引脚电容
V
OH
4
DS202F3
CS5525 CS5526
动态特性
参数
调制器采样频率
滤波器稳定时间1/2 LSB (满量程步进)
符号
f
s
t
s
比
XIN/2
1/f
OUT
单位
Hz
s
推荐工作条件
参数
直流电源
模拟参考电压
负偏压
注意事项: 14.所有对地电压。
正面的数字
正模拟
( VREF + ) - ( VREF- )
( AGND , DGND = 0 V ;见注14 ) )
民
2.7
4.75
1.0
-1.8
典型值
5.0
5.0
2.5
-2.1
最大
5.25
5.25
3.0
-2.5
单位
V
V
V
V
符号
VD +
VA +
VREF
差异
NBV
绝对最大额定值
( AGND , DGND = 0 V ;见注14 )
参数
直流电源
(注15 )
正面的数字
正模拟
负电位
(注16和17)
(注18 )
VREF引脚
AIN引脚
符号
VD +
VA +
NBV
I
IN
I
OUT
PDN
V
INR
V
INA
V
IND
T
A
T
英镑
民
-0.3
-0.3
+0.3
-
-
-
-0.3
NBV - 0.3
-0.3
-40
-65
最大
+6.0
+6.0
-3.0
±10
±25
500
( VA + ) + 0.3
( VA + ) + 0.3
( VD + ) + 0.3
85
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
V
V
V
°C
°C
负偏压
输入电流,任何引脚除外用品
输出电流
功耗
模拟输入电压
数字输入电压
工作环境温度
储存温度
注: 15无引脚应该负比NBV - 0.3 V.
16.适用于所有引脚,包括模拟输入( AIN )引脚连续过压条件。
最多为100 mA 17的瞬态电流不会造成SCR闩锁。最大输入电流为动力
电源引脚为±50 mA的电流。
18.总功耗,包括所有的输入电流和输出电流。
警告:操作达到或超过这些限制可能导致器件的永久性损坏。
正常运行,不能保证在这两个极端。
DS202F3
5