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CS5422
双出的相
同步
降压控制器
具有电流限制
该CS5422是一款双N通道同步降压稳压器
控制器。它包含了所有必需的两个独立的电路
降压稳压器,并利用V
2
控制方法,实现了
最快的瞬态响应和最佳的整体调节,而
用最少的外部元件。该CS5422功能
外的相位的信道之间的同步,从而减少了
输入滤波器的要求。该CS5422还提供了欠压
锁定,软启动,建于FET自适应非重叠和打嗝
模式过流保护。该器件采用16引脚SO
窄或24引线保险丝那么宽包,它允许设计人员
最小的解决方案尺寸。
特点
V
2
控制拓扑
打嗝模式过流保护
150 ns的瞬态响应
可编程软启动
100 %占空比为增强瞬态响应
150 kHz至600 kHz的可编程频率工作
开关频率设置由单个电阻器
乱相的通道之间的同步减少
输入滤波器要求
欠压锁定
在24引脚SO封装宽内部提供融合信息
http://onsemi.com
SO–16
后缀
CASE 751B
1
SO–24L
DWF后缀
CASE 751E
1
16
24
引脚连接和
标记DIAGRAMS
1
GATE(H)1
GATE(L)1
GND
BST
IS+1
IS–1
V
FB1
COMP1
SO–16
16
GATE(H)2
GATE(L)2
V
CC
R
OSC
IS+2
IS–2
V
FB2
COMP2
GATE(H)1
GATE(L)1
保护地
BST
LGND
LGND
LGND
LGND
IS+1
IS–1
V
FB1
COMP1
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
1
SO–24L
24
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
CS5422GD16
CS5422GDR16
CS5422GDWF24
CS5422GDWFR24
SO–16
SO–16
SO–24L
SO–24L
航运
48单位/铁
2500磁带&卷轴
31单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
CS5422
AWLYWW
CS5422
AWLYYWW
GATE(H)2
GATE(L)2
V
CC
R
OSC
LGND
LGND
LGND
LGND
IS+2
IS–2
V
FB2
COMP2
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年5月 - 修订版5
出版订单号:
CS5422/D
CS5422
12 V
Q5
2N3904
C3
1.0
F
Q3
MTD3302
Q4
MTD3302
R3
2.0 k
R4
2.0 k
R7
5.0 k
±
1.0%
R8
10 k
±
1.0%
C15
0.1
F
C7
0.1
F
14
R10
220
18 V
MA3180
MBR0530T MBR0530T1
D1
C4
0.2
F
D2
C5
0.2
F
Q1
MTD3302
L1
Q2
MTD3302
R1
2.0 k
0.1
F
R2
2.0 k
C14
0.1
F
R5
8.0 k
±
1.0%
R6
10 k±1.0%
C16
100 pF的
C6
1.3
H
+
1.8 V / 10 A
C8–C10
+
C1–C2
2
×
220
F
1.5 V / 10 A
+
C11–C13
3
×
680
F/4.0
V
L2
1.3
H
4
V
CC
BST
1
16
门(高)2门(H)的1
15
门(L)的2门(L)的1
2
12 + 2
IS + 1 5
3
×
680
F/4.0
V
CS5422
11
9
10
IS–2
COMP2
IS-1 6
COMP1
8
V
FB2
13 R
OSC
R9
30.9 k
GND
3
V
FB1
7
C17
100 pF的
图1.应用图, 12 V至1.5 V / 10 A和1.8 V / 10 A转换器
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2
CS5422
绝对最大额定值*
等级
工作结温,T
J
存储温度范围,T
S
ESD敏感性(人体模型)
封装热阻, SO- 16 :
结到外壳,R
θJC
结到环境,R
θJA
封装热阻, SO- 24L :
结到外壳,R
θJC
结到环境,R
θJA
焊接温度焊接:
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊: (只SMD样式) (注1 )
价值
150
-65到+150
2.0
28
115
9.0
55
230峰
单位
°C
°C
kV
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
绝对最大额定值
引脚符号
V
CC
COMP1 , COMP2
V
FB1
, V
FB2
BST
R
OSC
GATE(H)1
,
GATE(H)2
GATE(L)1
,
GATE(L)2
GND
IS + 1 , IS + 2
IS-1 ,IS- 2
引脚名称
IC电源输入
补偿电容的
信道1或2的
电压反馈输入的
信道1或2的
电源输入为GATE (H)的1 ,2-
振荡器电阻
高侧FET驱动器
通道1或2
低边FET驱动器
信道1或2的
正电流检测的
信道1或2的
负电流检测的
信道1或2的
V
最大
16 V
4.0 V
5.0 V
20 V
4.0 V
20 V
16 V
0V
6.0 V
6.0 V
V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
0V
–0.3 V
–0.3 V
I
来源
不适用
1.0毫安
1.0毫安
不适用
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
I
SINK
1.5 A峰值
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
不适用
1.0毫安
1.0毫安
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3
CS5422
电气特性
( 0 ° C& LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ;
OSC
= 30.9 K,C
COMP1,2
= 0.1
F,
10.8 V < V
CC
< 13.2 V ; 10.8 V < BST < 20 V ,C
GATE(H)1,2
= C
GATE(L)1,2
= 1.0 nF的,除非另有说明)。
特征
误差放大器器
V
FB1(2)
偏置电流
V
FB1(2)
输入范围
COMP1,2源电流
COMP1,2灌电流
参考电压1 (2)
COMP1,2最大电压
COMP1,2最小电压
开环增益
单位增益带宽度
PSRR 1.0 kHz时
输出阻抗
门(H)和门(L)的
高电压( AC)的
低电压( AC)的
上升时间
测量: V
CC
- 门控(L) 1,2;
BST - 门(H)的1,2;注2 。
措施: GATE ( L) 1,2或GATE (H ) 1,2;注2 。
1.0 V < GATE ( L) 1,2 < V
CC
– 1.0 V
1.0 V < GATE (H ) 1,2 < BST - 1.0 V,
BST
14 V
V
CC
- 1.0 > GATE ( L) 1,2 > 1.0 V
BST - 1.0 > GATE (H ) 1,2 > 1.0 V,
BST
14 V
GATE (H ) 1,2 < 2.0 V, GATE ( L) 1,2 > 2.0 V
BST
14 V
GATE ( L) 1,2 < 2.0 V, GATE (H ) 1,2 > 2.0 V ;
BST
14 V
电阻到GND
注2 。
0
0
20
0.5
0.5
50
V
V
ns
V
FB1(2)
= 0 V
COMP1,2 = 1.2 V至2.5 V ; V
FB1(2)
= 0.8 V
COMP1,2 = 1.2 V ; V
FB1(2)
= 1.2 V
COMP1 = V
FB1
; COMP2 = V
FB2
V
FB1(2)
= 0.8 V
V
FB1(2)
= 1.2 V
0
15
15
0.980
3.0
0.5
30
30
1.000
3.3
0.25
95
40
70
32
2.5
1.6
1.1
60
60
1.020
0.35
A
V
A
A
V
V
V
dB
千赫
dB
mmho
M
测试条件
典型值
最大
单位
下降时间
15
50
ns
GATE (h)至GATE (L )延迟
GATE ( L)来GATE (H )延迟
门(H) 1(2)和GATE (L)的1(2)
下拉。
PWM比较器
瞬态响应
PWM比较器的失调
人造斜坡
最小脉冲宽度
振荡器
开关频率
开关频率
开关频率
R
OSC
电压
相位差
20
20
50
40
40
125
70
70
280
ns
ns
k
COMP1,2 = 1.0 V ,V
FB1(2)
= 0到1.2伏
V
FFB1(2)
= 0 V ;增加COMP1,2直到
GATE (H ) 1,2启动开关
占空比= 50 % ,注2 。
注2 。
0.30
40
150
0.45
70
300
0.60
100
300
ns
V
mV
ns
R
OSC
= 61.9 K表;测量门(H ) 1 ;注2 。
R
OSC
= 30.9 K表;测量门(H ) 1
R
OSC
= 15.1 K表;测量门(H ) 1 ;注2 。
R
OSC
= 30.9 K,注2 。
112
224
450
0.970
150
300
600
1.000
180
188
376
750
1.030
千赫
千赫
千赫
V
°
2.通过设计保证,而不是100 %生产测试。
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4
CS5422
电气特性(续)
( 0 ° C& LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ;
OSC
= 30.9 K,C
COMP1,2
= 0.1
F,
10.8 V < V
CC
< 13.2 V ; 10.8 V < BST < 20 V ,C
GATE(H)1,2
= C
GATE(L)1,2
= 1.0 nF的,除非另有说明)。
特征
电源电流
V
CC
当前
BST电流
欠压锁定
启动阈值
停止阈值
迟滞
打嗝模式过流保护
OVC比较器的失调电压
放电阈值
IS + 1 ( 2 )偏置电流
IS- 1 ( 2 )偏置电流
OVC共模范围
OVC锁存COMP1放电电流
OVC锁存COMP2放电电流
COMP1充电/放电
在OVC比例
COMP1 = 1.0 V
COMP2 = 1.0 V
0 V < IS + 1 ( 2 ) < 5.5 V
0 V < IS- 1 ( 2 ) < 5.5 V
0 V < IS + 1 ( 2 ) < 5.5 V , 0 V < IS- 1 ( 2 ) < 5.5 V
55
0.20
–1.0
–1.0
0
2.0
0.3
5.0
70
0.25
0.1
0.1
5.0
1.2
6.0
85
0.30
1.0
1.0
5.5
8.0
3.5
7.0
mV
V
A
A
V
A
mA
GATE (H )开关; COMP1,2充电
GATE (H )不切换; COMP1,2放电
起止
7.8
7.0
0.5
8.6
7.8
0.8
9.4
8.6
1.5
V
V
V
COMP1,2 = 0 V (无转换)
COMP1,2 = 0 V (无转换)
13
3.5
17
6.0
mA
mA
测试条件
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
5
CS5422
双出的相
同步
降压控制器
具有电流限制
该CS5422是一款双N通道同步降压稳压器
控制器。它包含了所有必需的两个独立的电路
降压稳压器,并利用V
2
控制方法,实现了
最快的瞬态响应和最佳的整体调节,而
用最少的外部元件。该CS5422功能
外的相位的信道之间的同步,从而减少了
输入滤波器的要求。该CS5422还提供了欠压
锁定,软启动,建于FET自适应非重叠和打嗝
模式过流保护。该器件采用16引脚SO
窄或24引线保险丝那么宽包,它允许设计人员
最小的解决方案尺寸。
特点
http://onsemi.com
SO16
后缀
CASE 751B
1
SO24L
DWF后缀
CASE 751E
1
16
24
引脚连接和
标记DIAGRAMS
GATE(H)1
GATE(L)1
GND
BST
IS+1
IS1
V
FB1
COMP1
1
SO16
16
GATE(H)2
GATE(L)2
V
CC
R
OSC
IS+2
IS2
V
FB2
COMP2
控制拓扑
打嗝模式过流保护
150 ns的瞬态响应
可编程软启动
100 %占空比为增强瞬态响应
150 kHz至600 kHz的可编程频率工作
开关频率设置由单个电阻器
乱相的通道之间的同步减少
输入滤波器要求
欠压锁定
在24引脚SO封装宽内部提供融合信息
V
2
GATE(H)1
GATE(L)1
保护地
BST
LGND
LGND
LGND
LGND
IS+1
IS1
V
FB1
COMP1
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
1
SO24L
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
CS5422GD16
CS5422GDR16
CS5422GDWF24
CS5422GDWFR24
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
SO16
SO16
SO24L
SO24L
CS5422
AWLYWW
AWLYYWW
CS5422
24
GATE(H)2
GATE(L)2
V
CC
R
OSC
LGND
LGND
LGND
LGND
IS+2
IS2
V
FB2
COMP2
航运
48单位/铁
2500磁带&卷轴
31单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
2006年7月
启示录7
1
出版订单号:
CS5422/D
12 V
D1
D2
MMSD914T1
+
C1
+
C2
Q5
2N3904
220
D3
BZX84C18LT1
C5
0.1
μF
C4
0.1
μF
220
μF
220
μF
R10
C3
C16
1.0
μF
U1
L2
+
R21
10
1.0
μF
V
CC
BST
GATE(H)1
0
R17
0
Q2
R14
Q1 MTD3302
L1
1.3
μH/15
A
MTD3302
+
+
1.5 V / 10 A
1.3
μH/15
A
Q4
MTD3302
R3 4K的
C7
0.1
μF
R4
4k
C15
0.1
μF
IS2
COMP2
IS+2
CS5422
0
GATE(L)2
IS+1
R2
IS1
COMP1
4k
GATE(L)1
R18
MTD3302
0
C13
680
μF/
4V
CS5422
Q3
GATE(H)2
R13
图1演示电路原理图
http://onsemi.com
V
FB2
R
OSC
R19
0
C21
CAP NP
R9
30.9 k
GND
V
FB1
C22
CAP NP
R8
10 k
±
1%
2
1.8 V / 10 A
C8
680
μF/
4V
R1 4K的
C6
0.1
μF
C9
680
μF/
4V
+
C11
680
μF/
4V
+
C12
680
μF/
4V
+
C10
680
μF/
4V
R7
C14
0.1
μF
R5
R20
0
R6
10 k
±
1%
8 k
±
1%
5 k
±
1%
CS5422
绝对最大额定值*
等级
工作结温,T
J
存储温度范围,T
S
ESD敏感性(人体模型)
封装热阻, SO- 16 :
结到外壳,R
θJC
结到环境,R
θJA
封装热阻, SO- 24L :
结到外壳,R
θJC
结到环境,R
θJA
焊接温度焊接:
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊: (只SMD样式) (注1 )
价值
150
65
+150
2.0
28
115
9.0
55
230峰
单位
°C
°C
kV
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
绝对最大额定值
引脚符号
V
CC
COMP1 , COMP2
V
FB1
, V
FB2
BST
R
OSC
GATE(H)1
,
GATE(H)2
GATE(L)1
,
GATE(L)2
GND
IS + 1 , IS + 2
IS-1 ,IS- 2
引脚名称
IC电源输入
补偿电容的
信道1或2的
电压反馈输入的
信道1或2的
电源输入为GATE (H)的1 ,2-
振荡器电阻
高侧FET驱动器
通道1或2
低边FET驱动器
信道1或2的
正电流检测的
信道1或2的
负电流检测的
信道1或2的
V
最大
16 V
4.0 V
5.0 V
20 V
4.0 V
20 V
16 V
0V
6.0 V
6.0 V
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0V
0.3
V
0.3
V
I
来源
不适用
1.0毫安
1.0毫安
不适用
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
I
SINK
1.5 A峰值
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
不适用
1.0毫安
1.0毫安
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3
CS5422
电气特性
( 0 ° C& LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ;
OSC
= 30.9 K,C
COMP1,2
= 0.1
μF,
10.8 V < V
CC
< 13.2 V ; 10.8 V < BST < 20 V ,C
GATE(H)1,2
= C
GATE(L)1,2
= 1.0 nF的,除非另有说明)。
特征
误差放大器器
V
FB1(2)
偏置电流
V
FB1(2)
输入范围
COMP1,2源电流
COMP1,2灌电流
参考电压1 (2)
COMP1,2最大电压
COMP1,2最小电压
开环增益
单位增益带宽度
PSRR 1.0 kHz时
输出阻抗
门(H)和门(L)的
高电压( AC)的
低电压( AC)的
上升时间
测量: V
CC
GATE(L)1,2;
BST
门(H)的1,2;注2
措施: GATE ( L) 1,2或GATE (H ) 1,2;注2
1.0 V < GATE ( L) 1,2 < V
CC
1.0 V
1.0 V < GATE (H ) 1,2 < BST
1.0 V,
BST
14 V
V
CC
1.0 > GATE ( L) 1,2 > 1.0 V
BST
1.0 > GATE (H ) 1,2 > 1.0 V,
BST
14 V
GATE (H ) 1,2 < 2.0 V, GATE ( L) 1,2 > 2.0 V
BST
14 V
GATE ( L) 1,2 < 2.0 V, GATE (H ) 1,2 > 2.0 V ;
BST
14 V
电阻到GND
注2
0
0
20
0.5
0.5
50
V
V
ns
V
FB1(2)
= 0 V
COMP1,2 = 1.2 V至2.5 V ; V
FB1(2)
= 0.8 V
COMP1,2 = 1.2 V ; V
FB1(2)
= 1.2 V
COMP1 = V
FB1
; COMP2 = V
FB2
V
FB1(2)
= 0.8 V
V
FB1(2)
= 1.2 V
0
15
15
0.980
3.0
0.5
30
30
1.000
3.3
0.25
95
40
70
32
2.5
1.6
1.1
60
60
1.020
0.35
μA
V
μA
μA
V
V
V
dB
千赫
dB
mmho
测试条件
典型值
最大
单位
下降时间
15
50
ns
GATE (h)至GATE (L )延迟
GATE ( L)来GATE (H )延迟
门(H) 1(2)和GATE (L)的1(2)
下拉。
PWM比较器
瞬态响应
PWM比较器的失调
人造斜坡
最小脉冲宽度
振荡器
开关频率
开关频率
开关频率
R
OSC
电压
相位差
20
20
50
40
40
125
70
70
280
ns
ns
COMP1,2 = 1.0 V ,V
FB1(2)
= 0到1.2伏
V
FFB1(2)
= 0 V ;增加COMP1,2直到
GATE (H ) 1,2启动开关
占空比= 50 % ,注2
注2
0.30
40
150
0.45
70
300
0.60
100
300
ns
V
mV
ns
R
OSC
= 61.9 K表;测量门(H ) 1 ;注2
R
OSC
= 30.9 K表;测量门(H ) 1
R
OSC
= 15.1 K表;测量门(H ) 1 ;注2
R
OSC
= 30.9 K,注2
112
224
450
0.970
150
300
600
1.000
180
188
376
750
1.030
千赫
千赫
千赫
V
°
2.通过设计保证,而不是100 %生产测试。
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4
CS5422
电气特性(续)
( 0 ° C& LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ;
OSC
= 30.9 K,C
COMP1,2
= 0.1
μF,
10.8 V < V
CC
< 13.2 V ; 10.8 V < BST < 20 V ,C
GATE(H)1,2
= C
GATE(L)1,2
= 1.0 nF的,除非另有说明)。
特征
电源电流
V
CC
当前
BST电流
欠压锁定
启动阈值
停止阈值
迟滞
打嗝模式过流保护
OVC比较器的失调电压
放电阈值
IS + 1 ( 2 )偏置电流
IS- 1 ( 2 )偏置电流
OVC共模范围
OVC锁存COMP1放电电流
OVC锁存COMP2放电电流
COMP1充电/放电
在OVC比例
COMP1 = 1.0 V
COMP2 = 1.0 V
0 V < IS + 1 ( 2 ) < 5.5 V
0 V < IS- 1 ( 2 ) < 5.5 V
0 V < IS + 1 ( 2 ) < 5.5 V , 0 V < IS- 1 ( 2 ) < 5.5 V
55
0.20
1.0
1.0
0
2.0
0.3
5.0
70
0.25
0.1
0.1
5.0
1.2
6.0
85
0.30
1.0
1.0
5.5
8.0
3.5
7.0
mV
V
μA
μA
V
μA
mA
GATE (H )开关; COMP1,2充电
GATE (H )不切换; COMP1,2放电
起止
7.8
7.0
0.5
8.6
7.8
0.8
9.4
8.6
1.5
V
V
V
COMP1,2 = 0 V (无转换)
COMP1,2 = 0 V (无转换)
13
3.5
17
6.0
mA
mA
测试条件
典型值
最大
单位
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5
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