快速恢复
高压硅整流
重复峰值
反向电压
平均
前锋
当前
IO *
mA
不重复
峰值浪涌
当前
I
FSM
**
A
最大反向
目前,重复
(在V
RRM
TA = 25
°
C)
I
RRM
A
最大结
电容
(在V
RRM
0V , TA = 25
°
C)
@ 1MHz的
pf
部分
数
最大正向
电压降
( 10mA时, TA = 25
°
C)
V
FM
伏
15
V
RRM
kV
CS57-04A
CS54-06A
CS54-08A
CS52-10A
CS52-12A
CS52-14A
CS53-16A
CS53-18A
CS53-20A
CS56-24
4
6
8
10
12
14
16
18
20
24
10
0.5
25
1.0
24
30
36
45
51
60
66
75
75
1
2
1
特别提示:
*单相正弦半波在油浴或填充的环氧树脂在室温= 25
°
C.
** 1 /周期,60赫兹在满负荷。
存储和工作结温, TJ = -65
°
C至+150
°
C.
包装方式:散装或磁带&卷轴可用(请注明) 。
反向恢复时间= 80nsec最大。 @ TA = 25
°
C,
I
F
= 2毫安, IR = 1毫安。 ( “A”型)
反向恢复时间= 100nsec最大。 @ TA = 25
°
C,
I
F
= 2毫安, IR = 1毫安。 (非“A”型)
0.01F
IF = 2毫安
150K
1mA
0
To
示波器
I
R
= 2毫安
TRR
D.U.T.
100
V
R
1K
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HV4
2000年10月,