CS5332
两相降压控制器
集成门
司机VRM 9.0
的CS5332是一个两相降压控制器，其
集成了所需的所有控制功能，功耗高性能
处理器和大电流电源。专有的多相位
架构保证了均衡负载电流分布，降低了
总体解决方案成本高电流应用。增强的V
2
控制架构，提供最快的瞬态响应，
出色的整体调节，使用方便。
该CS5332多相架构降低输出电压，
输入电流纹波，从而允许一个显著降低电感
值，并在电感器的电流转换率也相应增加。这
方法允许大大减少输入和输出电容器
需求，以及降低整体解决方案的尺寸和成本。
特点
增强的V
2
控制方法
VRM 9.0兼容的5位DAC，提供1.0 ％的精度
可调输出电压定位
4板载栅极驱动器
200 kHz至800 kHz的工作频率设定由电阻
通过降压电感器，或传感电阻器电流对检测到的
打嗝模式电流限制
单个电流限制每相
板载电流检测放大器
3.3 V ，1.0 mA转速输出
5.0 V和/或12 V工作
开/关控制（通过软启动引脚）
电源良好输出，内置延时
http://onsemi.com
28
1
SO–28L
DW后缀
CASE 751F
标记图
28
CS5332
AWLYYWW
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
1
COMP
V
FB
V
DRP
CS1
CS2
CS
REF
PWRGD
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
I
LIM
REF
28
R
OSC
V
CCL
V
CCL1
GATE(L)1
GND1
GATE(H)1
V
CCH1
LGND
SS
V
CCL2
GATE(L)2
GND2
GATE(H)2
V
CCH2
订购信息
设备
CS5332GDW28
CS5332GDWR28
包
SO–28L
SO–28L
航运
27单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年5月 - 10牧师
出版订单号：
CS5332/D
CS5332
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 4.7 V < V
CCL
< 14 V ; 8.0 V < V
CCH
< 20 V ;
C
门（H）的
= 3.3 nF的，C
门（L）的
= 3.3 nF的，R
R（ OSC）的
= 32.4 K，C
COMP
= 1.0 nF的，C
SS
= 0.1
F,
C
REF
= 0.1
F,
DAC码10000 ，C
VCC
= 1.0
F,
I
LIM
≥
1.0 V ;除非另有规定）。
特征
电源就绪输出
电源良好故障延时
输出低电压
输出漏电流
阈值下限
阈值上限
电压反馈误差放大器
V
FB
偏置电流（注2 ）
COMP源电流
1.0 V < V
FB
< 1.9 V
COMP = 0.5 V至2.0 V ;
V
FB
= 1.8 V ; DAC = 00000
COMP = 0.5 V至2.0 V ;
V
FB
= 1.9 V ; DAC = 00000
V
FB
= 1.8 V COMP打开; DAC = 00000
V
FB
= 1.9 V COMP打开; DAC = 00000
–10
A
＆ LT ;我
COMP
＆ LT ; +10
A
–
注3 。
0.01
F
COMP电容
–
28.5
15
31
30
33.5
60
A
A
CS
REF
= V
DAC
到V
DAC
±
15%
CS
REF
= 1.0 V，I
PWRGD
= 4.0毫安
CS
REF
= 1.45 V， PWRGD = 5.5 V
％额定VID代码的
–
25
–
–
–18
1.9
50
0.25
0.1
–14
2.0
125
0.40
10.0
–10
2.1
s
V
A
%
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
COMP灌电流
15
30
60
A
COMP最大电压
COMP电压敏
跨
输出阻抗
开环DC增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
软启动
软启动充电电流
软启动放电电流
打嗝模式充电/放电率
山顶软启动充电电压
软启动放电阈值电压
PWM比较器
最小脉冲宽度
2.4
–
–
–
60
–
–
2.7
0.1
32
2.5
90
400
70
–
0.2
–
–
–
–
–
V
V
mmho
M
dB
千赫
dB
0.2 V
≤
SS
≤
3.0 V
0.2 V
≤
SS
≤
3.0 V
–
–
–
15
4.0
3.0
3.3
0.20
30
7.5
4.0
4.0
0.27
50
13.0
–
4.2
0.34
A
A
–
V
V
从测量到CSX GATE （H ）×
V(V
FB
） = V （ CS
REF
） = 1.0 V， V（ COMP ） = 1.5 V
V之间施加60 mV的步
CSX
和
V
CREF
V（ CS1 ） = V （ CS2 ） = V（V
FB
） = V （ CS
REF
) = 0 V;
测量V（ COMP ）当GATE （H ） 1 ，
GATE （H ） 2 ，切换高
–
350
515
ns
通道开始向上偏移
0.3
0.4
0.5
V
2. V
FB
偏置电流与R值的变化
OSC
按照图4 。
3.通过设计保证。在生产中测试。
http://onsemi.com
5
CS5332
两相降压控制器
集成门
司机VRM 9.0
的CS5332是一个两相降压控制器，其
集成了所需的所有控制功能，功耗高性能
处理器和大电流电源。专有的多相位
架构保证了均衡负载电流分布，降低了
总体解决方案成本高电流应用。增强的V
2
控制架构，提供最快的瞬态响应，
出色的整体调节，使用方便。
该CS5332多相架构降低输出电压，
输入电流纹波，从而允许一个显著降低电感
值，并在电感器的电流转换率也相应增加。这
方法允许大大减少输入和输出电容器
需求，以及降低整体解决方案的尺寸和成本。
特点
增强的V
2
控制方法
VRM 9.0兼容的5位DAC，提供1.0 ％的精度
可调输出电压定位
4板载栅极驱动器
200 kHz至800 kHz的工作频率设定由电阻
通过降压电感器，或传感电阻器电流对检测到的
打嗝模式电流限制
单个电流限制每相
板载电流检测放大器
3.3 V ，1.0 mA转速输出
5.0 V和/或12 V工作
开/关控制（通过软启动引脚）
电源良好输出，内置延时
http://onsemi.com
28
1
SO28L
DW后缀
CASE 751F
标记图
28
CS5332
AWLYYWW
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
COMP
V
FB
V
DRP
CS1
CS2
CS
REF
PWRGD
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
I
LIM
REF
1
28
R
OSC
V
CCL
V
CCL1
GATE(L)1
GND1
GATE(H)1
V
CCH1
LGND
SS
V
CCL2
GATE(L)2
GND2
GATE(H)2
V
CCH2
订购信息
设备
CS5332GDW28
CS5332GDWR28
包
SO28L
SO28L
航运
27单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年7月
启示录11
1
出版订单号：
CS5332/D
CS5332
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 4.7 V < V
CCL
< 14 V ; 8.0 V < V
CCH
< 20 V ;
C
门（H）的
= 3.3 nF的，C
门（L）的
= 3.3 nF的，R
R（ OSC）的
= 32.4 K，C
COMP
= 1.0 nF的，C
SS
= 0.1
μF,
C
REF
= 0.1
μF,
DAC码10000 ，C
VCC
= 1.0
μF,
I
LIM
≥
1.0 V ;除非另有规定）。
特征
电源就绪输出
电源良好故障延时
输出低电压
输出漏电流
阈值下限
阈值上限
电压反馈误差放大器
V
FB
偏置电流（注2 ）
COMP源电流
1.0 V < V
FB
< 1.9 V
COMP = 0.5 V至2.0 V ;
V
FB
= 1.8 V ; DAC = 00000
COMP灌电流
COMP = 0.5 V至2.0 V ;
V
FB
= 1.9 V ; DAC = 00000
V
FB
= 1.8 V COMP打开; DAC = 00000
V
FB
= 1.9 V COMP打开; DAC = 00000
10
μA
＆ LT ;我
COMP
＆ LT ; +10
μA
注3
0.01
μF
COMP电容
15
30
60
μA
28.5
15
31
30
33.5
60
μA
μA
CS
REF
= V
DAC
到V
DAC
±
15%
CS
REF
= 1.0 V，I
PWRGD
= 4.0毫安
CS
REF
= 1.45 V， PWRGD = 5.5 V
％额定VID代码的
25
18
1.9
50
0.25
0.1
14
2.0
125
0.40
10.0
10
2.1
μs
V
μA
%
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
COMP最大电压
COMP电压敏
跨
输出阻抗
开环DC增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
软启动
软启动充电电流
软启动放电电流
打嗝模式充电/放电率
山顶软启动充电电压
软启动放电阈值电压
PWM比较器
最小脉冲宽度
2.4
60
2.7
0.1
32
2.5
90
400
70
0.2
V
V
mmho
MΩ
dB
千赫
dB
0.2 V
≤
SS
≤
3.0 V
0.2 V
≤
SS
≤
3.0 V
15
4.0
3.0
3.3
0.20
30
7.5
4.0
4.0
0.27
50
13.0
4.2
0.34
μA
μA
V
V
从测量到CSX GATE （H ）×
V(V
FB
） = V （ CS
REF
） = 1.0 V， V（ COMP ） = 1.5 V
V之间施加60 mV的步
CSX
和
V
CREF
V（ CS1 ） = V （ CS2 ） = V（V
FB
） = V （ CS
REF
) = 0 V;
测量V（ COMP ）当GATE （H ） 1 ，
GATE （H ） 2 ，切换高
350
515
ns
通道开始向上偏移
0.3
0.4
0.5
V
2. V
FB
偏置电流与R值的变化
OSC
按照图4 。
3.通过设计保证。在生产中测试。
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
