【CS5323三相降压控制器有5位DAC的CS5323是，采用了三相降压控制器所需的所有控制功能提供动】,IC型号CS5323,CS5323 PDF资料,CS5323经销商,ic,电子元器件-51电子网

CS5323

三相降压

控制器有5位DAC

的CS5323是，采用了三相降压控制器

所需的所有控制功能提供动力的下一代处理器。

专有的多相架构，保证了均衡负载电流

分布并减少在高电流的总体解决方案成本

应用程序。增强的V

2

控制架构，提供了最快

可能的瞬态响应，出色的整体调节和缓解

使用。

多相架构，降低输入和输出滤波纹波，

允许在过滤器的尺寸和电感值的降低与

相应地增加，在输出电感器的电流转换率。

特点

增强的V

2

控制方法

5位DAC， 1.0 ％容差

可调输出电压定位

可编程频率设置由单个电阻器

200 kHz至800 kHz的工作频率（每相）

通过检测电阻或电感器降压对检测到的电流

可调电流检测门限

打嗝模式电流限制

过电压保护器，通过同步MOSFET的

单个电流限制每相

板载电流检测放大器

3.3 V ，1.0 mA转速输出

5.0 V和/或12 V工作

开/关控制（通过COMP引脚）

http://onsemi.com

20

1

SO–20L

DW后缀

CASE 751D

引脚连接和

标记图

R

OSC

COMP

V

FB

V

DRP

CS1

CS2

CS3

CS

REF

I

LIM

REF

1

V

CC

GATE1

GATE2

GATE3

GND

V

ID4

V

ID3

V

ID2

V

ID1

V

ID0

CS5323

AWLYWW

A

WL ，L

YY, Y

WW, W

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

订购信息

设备

CS5323GDW20

CS5323GDWR20

包

SO–20L

航运

37单位/铁

1000磁带和放大器;卷轴

半导体元件工业有限责任公司， 2002年

1

2002年8月 - 修订版6

出版订单号：

CS5323/D

CS5323

L1

12 V

IN

300 nH的

D1

5 V

IN

C5

1.0

F

启用

R10

8.0 k

C4

0.1

F

C11

2.0 nF的

R6

7.5 k

R

OSC

COMP

V

FB

V

DRP

CS1

CS2

R13

C22

.01

F

C21

.01

F

R15

30.1 k

R16

30.1 k

R17

30.1 k

C23

C24

10 k

CS3

CS

REF

I

LIM

REF

R1

10

NCP5351

C17

R12

75 k

U2

V

CC

GATE1

GATE2

D3

C19

1.0

F

BAS40LT1

U3

NCP5351

C18

Q3

1.0

F

MTD3302

MTP75N06HD

.01

F

MTP75N06HD

CO

CST

TG

DRN

U1

L2

Q2

850 nH的

V

OUT

BAS40LT1

1.0

F

MTD3302

Q1

C4

+

C13

3

×

16S0180M

C12

1.0 nF的

EN

VS

BG

GND

R9

1.0 k

C28

1.0 nF的

+ C16

8

×

4SP560M

CS5323

GATE3

GND

V

ID4

V

ID3

V

ID2

V

ID1

V

ID0

V

ID0

L3

850 nH的

CO

CST

TG

DRN

Q4

C20

3

×

10

F

.01

F

.01

F

D5

C27

1.0

F

BAS40LT1

EN

VS

BG

GND

C26

1.0

F

R14

2.7 k

C25

0.1

F

R18

1.0 k

V

ID1

V

ID2

V

ID3

Q5

MTD3302

L4

MTP75N06HD

NCP5351

EN

CO

VS CST

TG

BG

GND DRN

U4

850 nH的

Q6

V

ID4

R19

10 k

图1.应用图， 12 V至1.7 V转换器

http://onsemi.com

2

CS5323

最大额定值*

等级

工作结温

焊接温度焊接：

存储温度范围

ESD敏感性（人体模型）

第二个最大以上183℃一60 。

*最大包装功耗必须遵守。

回流焊：（只SMD样式）（注1 ）

价值

150

230峰

-65到+150

2.0

单位

°C

kV

最大额定值

引脚数

1

2

3

4

5–7

8

9

10

11–15

16

17–19

20

引脚符号

R

OSC

COMP

V

FB

V

DRP

CS1–CS3

CS

REF

I

LIM

REF

VID0–4

GND

GATE 1-3

V

CC

V

最大

6.0 V

0V

16 V

V

民

–0.3 V

0V

–0.3 V

I

来源

1.0毫安

0.4 A, 1.0

s,

百毫安

DC

0.1 A, 1.0

s,

25毫安DC

不适用

I

SINK

1.0毫安

50毫安

1.0毫安

不适用

0.1 A, 1.0

s,

25毫安DC

0.4 A, 1.0

s,

百毫安

DC

http://onsemi.com

3

CS5323

电气特性

（ 0 ° C＆ LT ;吨

A

< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼

J

< 85°C ; 4.7 V < V

CC

< 14 V ;

门

= 100 pF的，

R

R（ OSC）的

= 53.6 K，C

COMP

= 0.1

F,

C

REF

= 0.1μF ， DAC码10000 ，C

VCC

= 0.1

F,

I

LIM

≥

1.0 V ;除非另有规定）。

特征

测试条件

民

典型值

最大

单位

电压识别DAC （ 0 =连接到V

SS

; 1 =打开或拉至3.3 V ）

精度（所有代码）

V

ID4

1

0

V

ID3

1

0

1

0

V

ID2

1

0

1

0

1

0

1

0

V

ID1

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

V

ID0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

–

V

ID4

, V

ID3

, V

ID2

, V

ID1

, V

ID0

V

ID4

, V

ID3

, V

ID2

, V

ID1

, V

ID0

–

1.064

1.089

1.114

1.139

1.163

1.188

1.213

1.238

1.262

1.287

1.312

1.337

1.361

1.386

1.411

1.436

1.460

1.485

1.510

1.535

1.559

1.584

1.609

1.634

1.658

1.683

1.708

1.733

1.757

1.782

1.807

1.832

1.00

25

3.15

1.075

1.100

1.125

1.150

1.175

1.200

1.225

1.250

1.275

1.300

1.325

1.350

1.375

1.400

1.425

1.450

1.475

1.500

1.525

1.550

1.575

1.600

1.625

1.650

1.675

1.700

1.725

1.750

1.775

1.800

1.825

1.850

1.25

50

3.30

1.086

1.111

1.136

1.162

1.187

1.212

1.237

1.263

1.288

1.313

1.338

1.364

1.389

1.414

1.439

1.465

1.490

1.515

1.540

1.566

1.591

1.616

1.641

1.667

1.692

1.717

1.742

1.768

1.793

1.818

1.843

1.869

1.50

100

3.45

V

k

V

测量V

FB

= COMP

±

1.0

%

输入阈值

输入上拉电阻

上拉电压

http://onsemi.com

4

CS5323

电气特性（续）

（ 0 ° C＆ LT ;吨

A

< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼

J

< 85°C ; 4.7 V < V

CC

< 14 V ;

门

= 100 pF的，

R

R（ OSC） =

53.6 K，C

COMP

= 0.1

F,

C

REF

= 0.1μF ， DAC码10000 ，C

VCC

= 0.1

F,

I

LIM

≥

1.0 V ;除非另有规定）。

特征

电压反馈误差放大器

V

FB

偏置电流（注2 ）

COMP源电流

COMP灌电流

COMP放电阈值电压

跨

输出阻抗

开环DC增益

单位增益带宽

PSRR @ 1 kHz的

COMP最大电压

COMP电压敏

打嗝锁存放电电流

COMP放电比

PWM比较器

最小脉冲宽度

从测量到CSX GATE （H ）与60 mV的步

CSX和CS之间

REF

V（ CS1 ） = V （ CS2 ） = V （ CS3 ） = V（V

FB

)

V（ CS

REF

）= 0 V ;测量V（ COMP ）时，

GATE （H ） 1 ， 2开关高

–

350

500

ns

注3

0.01

F

–

V

FB

= 1.8 V ; COMP打开; DAC = 00000

V

FB

= 1.9 V ; COMP打开; DAC = 00000

–

0.9 V < V

FB

< 1.9 V

COMP = 0.5 V至2.0 V ; V

FB

= 1.8 V ; DAC = 00000

COMP = 0.5 V至2.0 V ; V

FB

= 1.9 V ; DAC = 00000

–

–10

A

＆ LT ;我

COMP

＆ LT ; +10

A

–

17.6

15

0.20

–

60

–

2.4

–

2.0

4.0

19.0

30

0.27

32

2.5

90

400

70

2.7

0.1

5.0

6.0

20.6

60

0.34

–

0.2

10

A

V

mmho

M

dB

千赫

dB

V

A

–

测试条件

民

典型值

最大

单位

通道开始向上偏移

0.3

0.4

0.5

V

门

高压

低电压

上升时间门

秋季时间门

振荡器

开关频率

R

OSC

电压

相位延迟

自适应电压定位

V

DRP

OFFSET

最大V

DRP

电压

电流放大器分享到V

DRP

收益

CS1 = CS2 = CS3 = CS

REF

, V

FB

= COMP

测量V

DRP

= COMP

| （ CS1 = CS2 = CS3 ） - C

REF

| = 50 mV时，

V

FB

= COMP ，测量V

DRP

= COMP

–

–20

360

2.7

–

465

3.0

20

570

3.5

mV

V/V

只有上升沿

R

OSC

= 53.6 k

注3 R

OSC

= 32.4 k

注3 R

OSC

= 16.2 k

–

220

300

600

–

105

250

400

800

1.00

120

280

500

1000

–

135

千赫

V

度

测量V

CC

- GATEx ，我

GATEx

= 1.0毫安

测量GATEx ，我

GATEx

= 1.0毫安

1.0 V < GATE < 8.0 V ; V

CC

= 10 V

8.0 V > GATE > 1.0 V ; V

CC

= 10 V

–

1.2

0.25

30

2.1

0.50

60

V

ns

2. V

FB

偏置电流与R值的变化

OSC

按照图4 。

3.通过设计保证。在生产中测试。

http://onsemi.com

5

CS5323

三相降压

控制器有5位DAC

的CS5323是，采用了三相降压控制器

所需的所有控制功能提供动力的下一代处理器。

专有的多相架构，保证了均衡负载电流

分布并减少在高电流的总体解决方案成本

应用程序。增强的V

2

控制架构，提供了最快

可能的瞬态响应，出色的整体调节和缓解

使用。

多相架构，降低输入和输出滤波纹波，

允许在过滤器的尺寸和电感值的降低与

相应地增加，在输出电感器的电流转换率。

特点

增强的V

2

控制方法

5位DAC， 1.0 ％容差

可调输出电压定位

可编程频率设置由单个电阻器

200 kHz至800 kHz的工作频率（每相）

通过检测电阻或电感器降压对检测到的电流

可调电流检测门限

打嗝模式电流限制

过电压保护器，通过同步MOSFET的

单个电流限制每相

板载电流检测放大器

3.3 V ，1.0 mA转速输出

5.0 V和/或12 V工作

开/关控制（通过COMP引脚）

http://onsemi.com

20

1

SO–20L

DW后缀

CASE 751D

引脚连接和

标记图

R

OSC

COMP

V

FB

V

DRP

CS1

CS2

CS3

CS

REF

I

LIM

REF

1

V

CC

GATE1

GATE2

GATE3

GND

V

ID4

V

ID3

V

ID2

V

ID1

V

ID0

CS5323

AWLYWW

A

WL ，L

YY, Y

WW, W

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

订购信息

设备

CS5323GDW20

CS5323GDWR20

包

SO–20L

航运

37单位/铁

1000磁带和放大器;卷轴

半导体元件工业有限责任公司， 2002年

1

2002年8月 - 修订版6

出版订单号：

CS5323/D

CS5323

L1

12 V

IN

300 nH的

D1

5 V

IN

C5

1.0

F

启用

R10

8.0 k

C4

0.1

F

C11

2.0 nF的

R6

7.5 k

R

OSC

COMP

V

FB

V

DRP

CS1

CS2

R13

C22

.01

F

C21

.01

F

R15

30.1 k

R16

30.1 k

R17

30.1 k

C23

C24

10 k

CS3

CS

REF

I

LIM

REF

R1

10

NCP5351

C17

R12

75 k

U2

V

CC

GATE1

GATE2

D3

C19

1.0

F

BAS40LT1

U3

NCP5351

C18

Q3

1.0

F

MTD3302

MTP75N06HD

.01

F

MTP75N06HD

CO

CST

TG

DRN

U1

L2

Q2

850 nH的

V

OUT

BAS40LT1

1.0

F

MTD3302

Q1

C4

+

C13

3

×

16S0180M

C12

1.0 nF的

EN

VS

BG

GND

R9

1.0 k

C28

1.0 nF的

+ C16

8

×

4SP560M

CS5323

GATE3

GND

V

ID4

V

ID3

V

ID2

V

ID1

V

ID0

V

ID0

L3

850 nH的

CO

CST

TG

DRN

Q4

C20

3

×

10

F

.01

F

.01

F

D5

C27

1.0

F

BAS40LT1

EN

VS

BG

GND

C26

1.0

F

R14

2.7 k

C25

0.1

F

R18

1.0 k

V

ID1

V

ID2

V

ID3

Q5

MTD3302

L4

MTP75N06HD

NCP5351

EN

CO

VS CST

TG

BG

GND DRN

U4

850 nH的

Q6

V

ID4

R19

10 k

图1.应用图， 12 V至1.7 V转换器

http://onsemi.com

2

CS5323

最大额定值*

等级

工作结温

焊接温度焊接：

存储温度范围

ESD敏感性（人体模型）

第二个最大以上183℃一60 。

*最大包装功耗必须遵守。

回流焊：（只SMD样式）（注1 ）

价值

150

230峰

-65到+150

2.0

单位

°C

kV

最大额定值

引脚数

1

2

3

4

5–7

8

9

10

11–15

16

17–19

20

引脚符号

R

OSC

COMP

V

FB

V

DRP

CS1–CS3

CS

REF

I

LIM

REF

VID0–4

GND

GATE 1-3

V

CC

V

最大

6.0 V

0V

16 V

V

民

–0.3 V

0V

–0.3 V

I

来源

1.0毫安

0.4 A, 1.0

s,

百毫安

DC

0.1 A, 1.0

s,

25毫安DC

不适用

I

SINK

1.0毫安

50毫安

1.0毫安

不适用

0.1 A, 1.0

s,

25毫安DC

0.4 A, 1.0

s,

百毫安

DC

http://onsemi.com

3

CS5323

电气特性

（ 0 ° C＆ LT ;吨

A

< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼

J

< 85°C ; 4.7 V < V

CC

< 14 V ;

门

= 100 pF的，

R

R（ OSC）的

= 53.6 K，C

COMP

= 0.1

F,

C

REF

= 0.1μF ， DAC码10000 ，C

VCC

= 0.1

F,

I

LIM

≥

1.0 V ;除非另有规定）。

特征

测试条件

民

典型值

最大

单位

电压识别DAC （ 0 =连接到V

SS

; 1 =打开或拉至3.3 V ）

精度（所有代码）

V

ID4

1

0

V

ID3

1

0

1

0

V

ID2

1

0

1

0

1

0

1

0

V

ID1

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

V

ID0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

–

V

ID4

, V

ID3

, V

ID2

, V

ID1

, V

ID0

V

ID4

, V

ID3

, V

ID2

, V

ID1

, V

ID0

–

1.064

1.089

1.114

1.139

1.163

1.188

1.213

1.238

1.262

1.287

1.312

1.337

1.361

1.386

1.411

1.436

1.460

1.485

1.510

1.535

1.559

1.584

1.609

1.634

1.658

1.683

1.708

1.733

1.757

1.782

1.807

1.832

1.00

25

3.15

1.075

1.100

1.125

1.150

1.175

1.200

1.225

1.250

1.275

1.300

1.325

1.350

1.375

1.400

1.425

1.450

1.475

1.500

1.525

1.550

1.575

1.600

1.625

1.650

1.675

1.700

1.725

1.750

1.775

1.800

1.825

1.850

1.25

50

3.30

1.086

1.111

1.136

1.162

1.187

1.212

1.237

1.263

1.288

1.313

1.338

1.364

1.389

1.414

1.439

1.465

1.490

1.515

1.540

1.566

1.591

1.616

1.641

1.667

1.692

1.717

1.742

1.768

1.793

1.818

1.843

1.869

1.50

100

3.45

V

k

V

测量V

FB

= COMP

±

1.0

%

输入阈值

输入上拉电阻

上拉电压

http://onsemi.com

4

CS5323

电气特性（续）

（ 0 ° C＆ LT ;吨

A

< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼

J

< 85°C ; 4.7 V < V

CC

< 14 V ;

门

= 100 pF的，

R

R（ OSC） =

53.6 K，C

COMP

= 0.1

F,

C

REF

= 0.1μF ， DAC码10000 ，C

VCC

= 0.1

F,

I

LIM

≥

1.0 V ;除非另有规定）。

特征

电压反馈误差放大器

V

FB

偏置电流（注2 ）

COMP源电流

COMP灌电流

COMP放电阈值电压

跨

输出阻抗

开环DC增益

单位增益带宽

PSRR @ 1 kHz的

COMP最大电压

COMP电压敏

打嗝锁存放电电流

COMP放电比

PWM比较器

最小脉冲宽度

从测量到CSX GATE （H ）与60 mV的步

CSX和CS之间

REF

V（ CS1 ） = V （ CS2 ） = V （ CS3 ） = V（V

FB

)

V（ CS

REF

）= 0 V ;测量V（ COMP ）时，

GATE （H ） 1 ， 2开关高

–

350

500

ns

注3

0.01

F

–

V

FB

= 1.8 V ; COMP打开; DAC = 00000

V

FB

= 1.9 V ; COMP打开; DAC = 00000

–

0.9 V < V

FB

< 1.9 V

COMP = 0.5 V至2.0 V ; V

FB

= 1.8 V ; DAC = 00000

COMP = 0.5 V至2.0 V ; V

FB

= 1.9 V ; DAC = 00000

–

–10

A

＆ LT ;我

COMP

＆ LT ; +10

A

–

17.6

15

0.20

–

60

–

2.4

–

2.0

4.0

19.0

30

0.27

32

2.5

90

400

70

2.7

0.1

5.0

6.0

20.6

60

0.34

–

0.2

10

A

V

mmho

M

dB

千赫

dB

V

A

–

测试条件

民

典型值

最大

单位

通道开始向上偏移

0.3

0.4

0.5

V

门

高压

低电压

上升时间门

秋季时间门

振荡器

开关频率

R

OSC

电压

相位延迟

自适应电压定位

V

DRP

OFFSET

最大V

DRP

电压

电流放大器分享到V

DRP

收益

CS1 = CS2 = CS3 = CS

REF

, V

FB

= COMP

测量V

DRP

= COMP

| （ CS1 = CS2 = CS3 ） - C

REF

| = 50 mV时，

V

FB

= COMP ，测量V

DRP

= COMP

–

–20

360

2.7

–

465

3.0

20

570

3.5

mV

V/V

只有上升沿

R

OSC

= 53.6 k

注3 R

OSC

= 32.4 k

注3 R

OSC

= 16.2 k

–

220

300

600

–

105

250

400

800

1.00

120

280

500

1000

–

135

千赫

V

度

测量V

CC

- GATEx ，我

GATEx

= 1.0毫安

测量GATEx ，我

GATEx

= 1.0毫安

1.0 V < GATE < 8.0 V ; V

CC

= 10 V

8.0 V > GATE > 1.0 V ; V

CC

= 10 V

–

1.2

0.25

30

2.1

0.50

60

V

ns

2. V

FB

偏置电流与R值的变化

OSC

按照图4 。

3.通过设计保证。在生产中测试。

http://onsemi.com

5

CS5323

三相降压

控制器有5位DAC

的CS5323是，采用了三相降压控制器

所需的所有控制功能提供动力的下一代处理器。

专有的多相架构，保证了均衡负载电流

分布并减少在高电流的总体解决方案成本

应用程序。增强的V

2

控制架构，提供了最快

可能的瞬态响应，出色的整体调节和缓解

使用。

多相架构，降低输入和输出滤波纹波，

允许在过滤器的尺寸和电感值的降低与

相应地增加，在输出电感器的电流转换率。

特点

增强的V

2

控制方法

5位DAC， 1.0 ％容差

可调输出电压定位

可编程频率设置由单个电阻器

200 kHz至800 kHz的工作频率（每相）

通过检测电阻或电感器降压对检测到的电流

可调电流检测门限

打嗝模式电流限制

过电压保护器，通过同步MOSFET的

单个电流限制每相

板载电流检测放大器

3.3 V ，1.0 mA转速输出

5.0 V和/或12 V工作

开/关控制（通过COMP引脚）

http://onsemi.com

20

1

SO20L

DW后缀

CASE 751D

引脚连接和

标记图

R

OSC

COMP

V

FB

V

DRP

CS1

CS2

CS3

CS

REF

I

LIM

REF

1

V

CC

GATE1

GATE2

GATE3

GND

V

ID4

V

ID3

V

ID2

V

ID1

V

ID0

CS5323

AWLYWW

A

WL ，L

YY, Y

WW, W

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

订购信息

设备

CS5323GDW20

CS5323GDWR20

包

SO20L

航运

37单位/铁

1000磁带和放大器;卷轴

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年7月

启示录7

1

出版订单号：

CS5323/D

CS5323

12 V

IN

D1

5 V

IN

C5

1.0

μF

启用

R10

8.0 k

C4

0.1

μF

C11

2.0 nF的

R6

7.5 k

R1

10

Ω

NCP5351

R12

75 k

U2

R

OSC

COMP

V

FB

V

DRP

CS1

CS2

R13

C22

.01

μF

C21

.01

μF

R15

30.1 k

R16

30.1 k

R17

30.1 k

C23

C24

10 k

CS3

CS

REF

I

LIM

REF

V

CC

GATE1

GATE2

D3

C19

1.0

μF

BAS40LT1

U3

NCP5351

C18

Q3

1.0

μF

MTD3302

MTP75N06HD

C17

.01

μF

MTP75N06HD

CO

CST

TG

DRN

U1

Q2

BAS40LT1

1.0

μF

MTD3302

Q1

L1

300 nH的

C4

+

C13

3

×

16S0180M

C12

1.0 nF的

L2

850 nH的

V

OUT

EN

VS

BG

GND

R9

1.0 k

C28

1.0 nF的

+ C16

8

×

4SP560M

CS5323

GATE3

GND

V

ID4

V

ID3

V

ID2

V

ID1

V

ID0

V

ID0

L3

850 nH的

CO

CST

TG

DRN

Q4

C20

3

×

10

μF

.01

μF

.01

μF

D5

C27

1.0

μF

BAS40LT1

EN

VS

BG

GND

C26

R14

2.7 k

C25

0.1

μF

R18

1.0 k

V

ID1

V

ID2

V

ID3

V

ID4

1.0

μF

MTD3302

Q5

L4

MTP75N06HD

NCP5351

EN

CO

VS CST

TG

BG

GND DRN

U4

850 nH的

Q6

R19

10 k

图1.应用图， 12 V至1.7 V转换器

http://onsemi.com

2

CS5323

最大额定值*

等级

工作结温

焊接温度焊接：

存储温度范围

ESD敏感性（人体模型）

第二个最大以上183℃一60 。

*最大包装功耗必须遵守。

回流焊：（只SMD样式）（注1 ）

价值

150

230峰

65

+150

2.0

单位

°C

kV

最大额定值

引脚数

1

2

3

4

57

8

9

10

1115

16

1719

20

引脚符号

R

OSC

COMP

V

FB

V

DRP

CS1CS3

CS

REF

I

LIM

REF

VID04

GND

GATE 1-3

V

CC

V

最大

6.0 V

0V

16 V

V

民

0.3

V

0.3

V

0.3

V

0.3

V

0.3

V

0.3

V

0.3

V

0.3

V

0.3

V

0V

0.3

V

0.3

V

I

来源

1.0毫安

0.4 A, 1.0

μs,

百毫安

DC

0.1 A, 1.0

μs,

25毫安DC

不适用

I

SINK

1.0毫安

50毫安

1.0毫安

不适用

0.1 A, 1.0

μs,

25毫安DC

0.4 A, 1.0

μs,

百毫安

DC

http://onsemi.com

3

CS5323

电气特性

（ 0 ° C＆ LT ;吨

A

< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼

J

< 85°C ; 4.7 V < V

CC

< 14 V ;

门

= 100 pF的，

R

R（ OSC）的

= 53.6 K，C

COMP

= 0.1

μF,

C

REF

= 0.1μF ， DAC码10000 ，C

VCC

= 0.1

μF,

I

LIM

≥

1.0 V ;除非另有规定）。

特征

测试条件

民

典型值

最大

单位

电压识别DAC （ 0 =连接到V

SS

; 1 =打开或拉至3.3 V ）

精度（所有代码）

V

ID4

1

0

V

ID3

1

0

1

0

V

ID2

1

0

1

0

1

0

1

0

V

ID1

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

V

ID0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

V

ID4

, V

ID3

, V

ID2

, V

ID1

, V

ID0

V

ID4

, V

ID3

, V

ID2

, V

ID1

, V

ID0

1.064

1.089

1.114

1.139

1.163

1.188

1.213

1.238

1.262

1.287

1.312

1.337

1.361

1.386

1.411

1.436

1.460

1.485

1.510

1.535

1.559

1.584

1.609

1.634

1.658

1.683

1.708

1.733

1.757

1.782

1.807

1.832

1.00

25

3.15

1.075

1.100

1.125

1.150

1.175

1.200

1.225

1.250

1.275

1.300

1.325

1.350

1.375

1.400

1.425

1.450

1.475

1.500

1.525

1.550

1.575

1.600

1.625

1.650

1.675

1.700

1.725

1.750

1.775

1.800

1.825

1.850

1.25

50

3.30

1.086

1.111

1.136

1.162

1.187

1.212

1.237

1.263

1.288

1.313

1.338

1.364

1.389

1.414

1.439

1.465

1.490

1.515

1.540

1.566

1.591

1.616

1.641

1.667

1.692

1.717

1.742

1.768

1.793

1.818

1.843

1.869

1.50

100

3.45

V

kΩ

V

测量V

FB

= COMP

±

1.0

%

输入阈值

输入上拉电阻

上拉电压

http://onsemi.com

4

CS5323

电气特性（续）

（ 0 ° C＆ LT ;吨

A

< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼

J

< 85°C ; 4.7 V < V

CC

< 14 V ;

门

= 100 pF的，

R

R（ OSC） =

53.6 K，C

COMP

= 0.1

μF,

C

REF

= 0.1μF ， DAC码10000 ，C

VCC

= 0.1

μF,

I

LIM

≥

1.0 V ;除非另有规定）。

特征

电压反馈误差放大器

V

FB

偏置电流（注2 ）

COMP源电流

COMP灌电流

COMP放电阈值电压

跨

输出阻抗

开环DC增益

单位增益带宽

PSRR @ 1 kHz的

COMP最大电压

COMP电压敏

打嗝锁存放电电流

COMP放电比

PWM比较器

最小脉冲宽度

通道开始向上偏移

从测量到CSX GATE （H ）与60 mV的步

CSX和CS之间

REF

V（ CS1 ） = V （ CS2 ） = V （ CS3 ） = V（V

FB

)

V（ CS

REF

）= 0 V ;测量V（ COMP ）时，

GATE （H ） 1 ， 2开关高

0.3

350

0.4

500

0.5

ns

V

注3

0.01

μF

V

FB

= 1.8 V ; COMP打开; DAC = 00000

V

FB

= 1.9 V ; COMP打开; DAC = 00000

0.9 V < V

FB

< 1.9 V

COMP = 0.5 V至2.0 V ; V

FB

= 1.8 V ; DAC = 00000

COMP = 0.5 V至2.0 V ; V

FB

= 1.9 V ; DAC = 00000

10

μA

＆ LT ;我

COMP

＆ LT ; +10

μA

17.6

15

0.20

60

2.4

2.0

4.0

19.0

30

0.27

32

2.5

90

400

70

2.7

0.1

5.0

6.0

20.6

60

0.34

0.2

10

μA

V

mmho

MΩ

dB

千赫

dB

V

μA

测试条件

民

典型值

最大

单位

门

高压

低电压

上升时间门

秋季时间门

振荡器

开关频率

R

OSC

电压

相位延迟

自适应电压定位

V

DRP

OFFSET

最大V

DRP

电压

电流放大器分享到V

DRP

收益

CS1 = CS2 = CS3 = CS

REF

, V

FB

= COMP

测量V

DRP

COMP

| （ CS1 = CS2 = CS3 ）

C

REF

| = 50 mV时，

V

FB

= COMP ，测量V

DRP

COMP

20

360

2.7

465

3.0

20

570

3.5

mV

V/V

只有上升沿

R

OSC

= 53.6 k

注3 R

OSC

= 32.4 k

注3 R

OSC

= 16.2 k

220

300

600

105

250

400

800

1.00

120

280

500

1000

135

千赫

V

度

测量V

CC

GATEx ，我

GATEx

= 1.0毫安

测量GATEx ，我

GATEx

= 1.0毫安

1.0 V < GATE < 8.0 V ; V

CC

= 10 V

8.0 V > GATE > 1.0 V ; V

CC

= 10 V

1.2

0.25

30

2.1

0.50

60

V

ns

2. V

FB

偏置电流与R值的变化

OSC

按照图4 。

3.通过设计保证。在生产中测试。

http://onsemi.com

5