CS5308
两相PWM控制器
集成门
司机VRM 8.5
的CS5308是一个第二代，两相的降压
控制器，集成了供电所需的所有控制功能
下一代处理器。专有的多相体系结构
保证了均衡负载电流分配和降低整体
溶液成本高电流应用。增强的V
2
控制
架构提供最快的瞬态响应，卓越的
宏观调控和易用性。的CS5308是第二代
PWM控制器，因为它优化相结合，瞬态响应
传统的增强V
2
一个内部PWM斜坡和
快速反馈直接从V
CORE
到内部的PWM比较器。
这些增强功能提供了更大的设计灵活性，方便使用
并降低输出电压的抖动。
多相架构，降低输入和输出滤波纹波，
允许一个显著减小滤波器的尺寸和电感值
与输出电感电流转换率也相应增加。
这种方法允许大大减少输入和输出
电容器的需求，以及降低整体解决方案的尺寸和
成本。
该CS5308包括VTT监控和时序， VTT电源
良好（ VTT
PGD
） ，电源良好（ PWRGD ）和内部MOSFET的栅极
驾驶者提供了“完全集成的解决方案”，以简化设计，
最大限度地减少电路板面积，并降低整体系统成本。
特点
增强的V
2
控制方法
内部PWM斜坡
快速反馈直接从V
CORE
5位DAC， 1 ％容差
可调输出电压定位
200 kHz至800 kHz的工作频率设定由电阻
电流通过检测电阻或输出电感器对检测到的
可调打嗝模式电流限制
通过同步MOSFET的过电压保护
单个电流限制每相
板载电流分享放大器
3.3 V ，1.0 mA转速输出
监测VTT和VTT电源良好（ VTT
PGD
)
V
CORE
电源良好
开/关控制（通过COMP引脚）
提高抗干扰
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记号
图
28
1
SO28L
DW后缀
CASE 751F
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
28
CS5308
AWLYYWW
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
COMP
V
FB
V
DRP
REF
I
LIM
V
ID25
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
PWRGD
CS
REF
CS1
CS2
1
28
R
OSC
LGND
V
CCL
V
CCH1
GATE(H)1
GATE(L)1
保护地
V
CCL12
GATE(L)2
GATE(H)2
V
CCH2
VTT
PGD
VTT
CT
VTT
订购信息
设备
CS5308GDW28
CS5308GDWR28
包
SO28L
SO28L
航运
27单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年7月
启示录6
1
出版订单号：
CS5308/D
CS5308
L1 300 nH的
+5.0 V
+12 V
R
FBK1
6.49 k
C
FBK2
470 pF的
C
AMP
3.9 nF的
R
CMP1
5.62 k
R
5V
1.0
W
C
VCC
1.0
mF
V
FB
R
DRP1
11.5 k
V
FB
V
DRP
REF
I
LIM
V
ID25
V
ID0
V
ID1
C
CMP1
3.3 nF的
C
CMP2
0.1
mF
SIG
GND
R
OSC
39.2 k
R
OSC
LGND
V
CCL
V
CCH1
GATE(H)1
GATE(L)1
保护地
V
CCL12
C
VCCH1
1.0
mF
C
Q3
0.1
mF
C
VCC12
1.0
mF
GATE3
C
VCCH2
1.0
mF
C
VTT
0.1
mF
SIG
GND
R
VTT
1.0 k
GATE4
L3 825 nH的
Q4
Q3
SIG
GND
GATE2
C
OUT
电解
+
C
Q1
0.1
mF
Q1
GATE1
Q2
+
C
输入
电解
V
OUT
L2 825 nH的
COMP
R
LIM1
5.76 k
C
REF
0.1
mF
R
LIM2
1.0 k
SIG
GND
V
ID25
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
PWRGD
C
CER
陶瓷
V
ID2
GATE(L)2
V
ID3
GATE(H)2
V
CCH2
PWRGD
CS
REF
VTT
PGD
CS1
VTT
CT
CS2
VTT
CS5308
VTT
R
CSREF
20K的CS
REF
C
CSREF
0.01
mF
SIG
GND
CS1
CS2
C
CS1
0.01
mF
R
CS1
100 k
SWNODE1
SWNODE2
C
CS2
0.01
mF
R
CS2
100 k
推荐组件：
L1 ： COILTRONICS CTX15-14771或T30-26芯的＃ 16 AWG 3T
L2 ： COILTRONICS CTX22-15401 X1或T50-52与＃ 16 AWG双线5T
C
输入
: 2
×
三洋OSCON 6SP680M （ 680
MF，
6.3 V)
C
OUT
: 7
×
RUBYCON 6.3ZA1000M10x16 （1000
MF，
6.3 V)
C
陶瓷
: 12
×
松下ECJ - 3YB0J106K （ 10
MF，
6.3 V)
Q1 - Q4 ：安森美半导体NTB85N03 （ 28 V ， 85 A）
图1.应用框图。 5.0 V至1.7 V ，28 A， 335 kHz的12 V偏置奔腾
)
三，应用范围
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2
CS5308
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 9.0 V < V
CCH1
= V
CCH2
< 20 V ;
4.5 V＆ LT ; V
CCL
=V
CCL12
< 14 V ;
门
= 3.3 nF的，R
ROSC
= 32.4 K，C
COMP
= 0.1
MF，
C
REF
= 0.1
MF，
DAC码01000 （ 1.65 V ） ，
C
VCC
= 0.1
μF的;
除非另有规定）。
特征
电源良好输出
电源良好故障延时
PWRGD低电压
输出漏电流
阈值下限
阈值上限
电压反馈误差放大器
V
FB
偏置电流， （注2 ）
COMP源电流
COMP灌电流
COMP放电阈值电压
跨
输出阻抗
开环DC增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
COMP最大电压
COMP电压敏
打嗝锁存放电电流
COMP放电比
PWM比较器
最小脉冲宽度
通道启动偏移
CS1 = CS2 = CS
REF
V（ CS1 ） = V （ CS2 ） = V（V
FB
） = V （ CS
REF
) = 0 V;
测量V（ COMP ）当GATE （H ） 1,2开关
高
0.3
350
0.4
475
0.5
ns
V
注3 。
0.01
mF
V
FB
= 1.6 V COMP开放
V
FB
= 1.7 V COMP开放
0.9 V < V
FB
< 1.9 V
COMP = 0.5 V至2.0 V ; V
FB
= 1.6 V
COMP = 0.5 V至2.0 V ; V
FB
= 1.7 V
测试条件
民
典型值
最大
单位
CS
REF
= DAC至DAC
±
15%
I
PWRGD
= 4.0毫安
V
PWRGD
= 5.5 V
25
15
9.0
50
250
0.1
12
12
100
400
10
9.0
15
ms
mV
mA
%
%
9.4
15
15
0.20
60
2.4
2.0
4.0
10.3
30
30
0.27
32
2.5
90
400
70
2.7
0.1
5.0
6.0
11.1
60
60
0.34
0.2
10
10
mA
mA
mA
V
mmho
MW
dB
千赫
dB
V
V
mA
10
mA
＆ LT ;我
COMP
＆ LT ; +10
mA
VTT电源良好
VTT门槛
VTT
PGD
低电压
VTT
PGD
漏电流
VTT
CT
阈值电压
VTT
CT
充电电流
VTT
CT
放电阈值
门
高电压（ AC）的
低电压（ AC）的
上升时间GATEx
测量V
CCx中
GATEx ，注3 。
测量GATEx ，注3 。
1.0 V < GATE < 8.0 V ; V
CCx中
= 10 V
I
VTTPGD
= 4.0毫安
VTT
PGD
= 5.5 V
注2 。
1.03
1.0
15
0.24
1.05
0.25
0.1
1.05
30
0.32
1.07
0.4
10
1.10
45
0.38
V
V
mA
V
mA
V
0
0
35
1.0
0.5
80
V
V
ns
2. V
FB
偏置电流和VTT
CT
充电电流与R的值更改
OSC
按照图4 。
3.通过设计保证。在生产中测试。
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5
QQ：2881677436 复制
