CS5303
三相降压
控制器集成
栅极驱动器
该CS5303是一个三相降压控制器，该控制器
集成了所需的所有控制功能，功耗高性能
处理器和大电流电源。专有的多相位
架构保证了均衡负载电流分布，降低了
总体解决方案成本高电流应用。增强的V
2
控制架构，提供最快的瞬态响应，
出色的整体调节，使用方便。
该CS5303多相架构降低输出电压，
输入电流纹波，从而允许一个显著降低电感
值，并在电感器的电流转换率也相应增加。这
方法允许大大减少输入和输出电容器
需求，以及降低整体解决方案的尺寸和成本。
特点
增强的V
2
控制方法
5位DAC，提供1.0 ％的精度
可调输出电压定位
6板载栅极驱动器
200 kHz至800 kHz的工作频率设定由电阻
电流通过降压电感器，检测电阻感测
或V -S控制
打嗝模式电流限制
单个电流限制每相
板载电流检测放大器
3.3 V ，1.0 mA转速输出
5.0 V和/或12 V工作
开/关控制（通过COMP引脚）
http://onsemi.com
28
1
SO–28L
DW后缀
CASE 751F
标记图
28
CS5303
AWLYYWW
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
1
COMP
V
FB
V
DRP
CS1
CS2
CS3
CS
REF
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
I
LIM
REF
28
R
OSC
V
CCLL1
Gate(L)1
Gnd1
Gate(H)1
V
CCH12
Gate(H)2
GndL2
Gate(L)2
V
CCL23
Gate(L)3
Gnd3
Gate(H)3
V
CCH3
订购信息
设备
CS5303GDW28
CS5303GDWR28
包
SO–28L
SO–28L
航运
27单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年4月 - 13牧师
出版订单号：
CS5303/D
CS5303
+12 V
+5.0 V
D1
BAT54S
C2
1
F
+
+12 V
L4
300 nH的
C3
1
F
Q1
C1
C20 – 24
5
×
820
F,
16 V
L1
Q2
470 nH的
Q7
C26 – 39
14
×
1200
F,
10 V
C2
Q3
L2
470 nH的
Q4
Q8
C40 – 51
12
×
10
F
C3
+
D2
BAS16LT1
C12
1 nF的
R10
10 k
C4
1
F
C1
1
F
R3
56.2 k
COMP
V
FB
V
DRP
CS1
CS2
CS3
CS
REF
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
I
LIM
REF
R1
2.80 k
R2
R9
2.8 k
启用
R8
20 k
C11
1 nF的
6.65 k
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
R5
20 k
R
OSC
V
CCLL2
Gate(L)1
Gnd1
Gate(H)1
V
CCH12
Gate(H)2
GndL2
Gate(L)2
V
CCL23
Gate(L)3
Gnd3
Gate(H)3
V
CCH3
CS5303
C5
0.1
F
Q5
L3
470 nH的
Q6
Q9
V
OUT
R6
20 k
C6
.01
F
C2
C7
.01
F
1k
R7
20 k
C3
C9
.01
F
C1
C1
0.1
F
注： Q1 - 9顷Siliconix公司SUD50N03-10P 。
图1.应用图， 12 V至1.5 V， 60 A转换器
绝对最大额定值*
等级
工作结温
无铅焊接温度：
存储温度范围
ESD敏感性（人体模型）
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
150
230峰，
-65到+150
2.0
单位
°C
°C
°C
kV
绝对最大额定值
引脚名称
权力逻辑和门（ L） 1
电源门（ L）和2门（L ） 3
电源门（H）和1门（H ） 2
功率门控（H） 3
引脚符号
V
CCLL1
V
CCL23
V
CCH12
V
CCH3
V
最大
16 V
16 V
20 V
20 V
V
民
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
I
来源
不适用
不适用
不适用
不适用
I
SINK
1.5 A, 1.0
s
200毫安DC
1.5 A, 1.0
s
200毫安DC
1.5 A, 1.0
s
200毫安DC
1.5 A, 1.0
s
200毫安DC
http://onsemi.com
2
CS5303
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 4.7 V < V
CCL
< 14 V ; 8 V < V
CCH
< 20 V ;
C
门（H）的
= 3.3 nF的，C
门（L）的
= 3.3 nF的，R
R（ OSC）的
= 53.6 K，C
COMP
= 0.1
F,
C
REF
= 0.1μF ， DAC码10000 ，C
VCC
= 1.0
F,
I
LIM
≥
1 V ;除非
另有规定编）
特征
测试条件
民
典型值
最大
单位
电压识别DAC （ 0 =连接到V
SS
; 1 =打开或拉至3.3 V ）
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
–
1.460
1.485
1.510
1.535
1.559
1.584
1.609
1.634
1.658
1.683
1.708
1.733
1.757
1.782
1.807
1.832
1.00
25
3.15
1.475
1.500
1.525
1.550
1.575
1.600
1.625
1.650
1.675
1.700
1.725
1.750
1.775
1.800
1.825
1.850
1.25
50
3.30
1.490
1.515
1.540
1.566
1.591
1.616
1.641
1.667
1.692
1.717
1.742
1.768
1.793
1.818
1.843
1.869
1.50
100
3.45
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
k
V
输入阈值
输入上拉电阻
上拉电压
电压反馈误差放大器
V
FB
偏置电流（注2 ）
COMP源电流
1.0 V < V
FB
< 1.9 V
COMP = 0.5 V至2.0 V ;
V
FB
= 1.8 V ; DAC = 00000
COMP = 0.5 V至2.0 V ;
V
FB
= 1.9 V ; DAC = 00000
–
–10
A
＆ LT ;我
COMP
＆ LT ; +10
A
–
注3 。
0.01
F
COMP电容
–
V
FB
= 1.8 V ; COMP打开; DAC = 00000
V
FB
= 1.9 V ; COMP打开; DAC = 00000
–
–
16.8
15
19.0
30
21.5
60
A
A
COMP灌电流
15
30
60
A
COMP放电阈值电压
跨
输出阻抗
开环DC增益
单位增益带宽
PSRR @ 1 kHz的
COMP最大电压
COMP电压敏
打嗝锁存放电电流
COMP放电比
0.20
–
–
60
–
–
2.4
–
2.0
4.0
0.27
32
2.5
90
400
70
2.7
0.1
5.0
6.0
0.34
–
–
–
–
–
–
0.2
10
10
V
mmho
M
–
千赫
dB
V
V
A
–
2. V
FB
偏置电流与R值的变化
OSC
按照图4 。
3.通过设计保证。在生产中测试。
http://onsemi.com
4
CS5303
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 4.7 V < V
CCL
< 14 V ; 8 V < V
CCH
< 20 V ;
C
门（H）的
= 3.3 nF的，C
门（L）的
= 3.3 nF的，R
R（ OSC）的
= 53.6 K，C
COMP
= 0.1
F,
C
REF
= 0.1μF ， DAC码10000 ，C
VCC
= 1.0
F,
I
LIM
≥
1 V ;除非另外
明智的规定）
特征
PWM比较器
最小脉冲宽度
从测量到CSX GATE （H ）
V(V
FB
） = V （ CS
REF
） = 1.0 V， V（ COMP ） = 1.5 V
V之间施加60 mV的步
CSX
和V
CREF
V（ CS1 ） = V （ CS2 ） = V （ CS3 ） = V（V
FB
) = 0.3
V（ CS
REF
）= 0 V ;测量V（ COMP ）时，
GATE1 （ 1H）， 2（ 1H）， 3 （H）的切换高
–
350
515
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
通道开始向上偏移
0.4
0.5
–
V
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
低电压（ AC）的
上升时间门（H ）×
上升时间门（长）x
下降时间门（H ）×
秋季时间门（ L）
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
栅极下拉
振荡器
开关频率
开关频率
开关频率
R
OSC
电压
相位延迟
自适应电压定位
V
DRP
输出电压DAC
OUT
OFFSET
最大V
DRP
电压
电流检测放大器到V
DRP
收益
电流检测和共享
CS1 - CS3输入偏置电流
CS
REF
输入偏置电流
电流检测放大器增益
电流检测放大器不匹配
（偏移和增益误差的总和）
电流检测放大器输入
共模范围限制
电流检测输入到I
LIM
收益
电流限制滤波器斜率
V（ CSX ） = V （ CS
REF
) = 0 V
–
–
注4： 0
≤
（ CSX - CS
REF
)
≤
50毫伏
注4： 7 V < V
CCLL1
< 12 V
0.25 V <我
LIM
< 1.20 V
注4 。
–
–
3.8
–5.0
0
5.0
7.5
0.2
0.6
4.3
–
–
6.5
15.0
2.0
6.0
4.8
5.0
V
CCLL1
– 2
8.0
40.0
A
A
V/V
mV
V
V/V
毫伏/微秒
CS1 = CS2 = CS3 = CS
REF
, V
FB
= COMP
测量V
DRP
= COMP
| （ CS1 = CS2 = CS3 ） - C
REF
| = 50 mV时，
V
FB
= COMP ，测量V
DRP
= COMP
–
–20
360
2.4
–
465
3.0
20
570
3.8
mV
mV
V/V
衡量任何阶段（R
OSC
= 53.6 k)
注4：测量任何阶段（R
OSC
= 32.4 k)
注4：测量任何阶段（R
OSC
= 16.2 k)
–
–
220
300
600
–
105
250
400
800
1.00
120
280
500
1000
–
135
千赫
千赫
千赫
V
度
注4.测量V
CCLx
- 门（ L）或
V
CCHx
- 门控（H）的
注4 ，测量门限（ L）或门（H ）
1.0 V < GATE < 8.0 V ; V
CCHx
= 10 V
1.0 V < GATE < 8.0 V ; V
CCLx
= 10 V
8.0 V > GATE > 1.0 V ; V
CCHx
= 10 V
8.0 V > GATE > 1.0 V ; V
CCLx
= 10 V
门（H ） < 2.0 V，门（ L） > 2 V
门（ L） < 2.0 V，门（H ） > 2 V
力100
A
到栅极驱动器，无动力
适用于V
CCHx
和V
CCLx
= 2 V.
–
–
–
–
–
–
30
30
–
0
0
35
35
35
35
65
65
1.2
1.0
0.5
80
80
80
80
110
110
1.6
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
4.通过设计保证。在生产中测试。
http://onsemi.com
5
CS5303
三相降压
控制器集成
栅极驱动器
该CS5303是一个三相降压控制器，该控制器
集成了所需的所有控制功能，功耗高性能
处理器和大电流电源。专有的多相位
架构保证了均衡负载电流分布，降低了
总体解决方案成本高电流应用。增强的V
2
控制架构，提供最快的瞬态响应，
出色的整体调节，使用方便。
该CS5303多相架构降低输出电压，
输入电流纹波，从而允许一个显著降低电感
值，并在电感器的电流转换率也相应增加。这
方法允许大大减少输入和输出电容器
需求，以及降低整体解决方案的尺寸和成本。
特点
增强的V
2
控制方法
5位DAC，提供1.0 ％的精度
可调输出电压定位
6板载栅极驱动器
200 kHz至800 kHz的工作频率设定由电阻
电流通过降压电感器，检测电阻感测
或V -S控制
打嗝模式电流限制
单个电流限制每相
板载电流检测放大器
3.3 V ，1.0 mA转速输出
5.0 V和/或12 V工作
开/关控制（通过COMP引脚）
http://onsemi.com
28
1
SO28L
DW后缀
CASE 751F
标记图
28
CS5303
AWLYYWW
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
COMP
V
FB
V
DRP
CS1
CS2
CS3
CS
REF
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
I
LIM
REF
1
28
R
OSC
V
CCLL1
Gate(L)1
Gnd1
Gate(H)1
V
CCH12
Gate(H)2
GndL2
Gate(L)2
V
CCL23
Gate(L)3
Gnd3
Gate(H)3
V
CCH3
订购信息
设备
CS5303GDW28
CS5303GDWR28
包
SO28L
SO28L
航运
27单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年7月
启示录14
1
出版订单号：
CS5303/D
CS5303
+12 V
+5.0 V
D1
BAT54S
C2
1
μF
+
+12 V
L4
300 nH的
C3
1
μF
Q1
C1
C20
24
5
×
820
μF,
16 V
L1
Q2
470 nH的
Q7
C26
39
14
×
1200
μF,
10 V
C2
L2
470 nH的
Q4
Q8
C40
51
12
×
10
μF
C3
+
D2
BAS16LT1
C12
1 nF的
C11
1 nF的
R10
10 k
C4
1
μF
C1
1
μF
R3
56.2 k
COMP
V
FB
V
DRP
CS1
CS2
CS3
CS
REF
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
I
LIM
REF
R1
2.80 k
R2
R9
2.8 k
启用
R8
20 k
6.65 k
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
R5
20 k
R6
20 k
C6
.01
μF
C2
C7
.01
μF
R
OSC
V
CCLL2
Gate(L)1
Gnd1
Gate(H)1
V
CCH12
Gate(H)2
GndL2
Gate(L)2
V
CCL23
Gate(L)3
Gnd3
Gate(H)3
V
CCH3
CS5303
Q3
C5
0.1
μF
Q5
L3
Q6
470 nH的
Q9
V
OUT
1k
R7
20 k
C3
C9
.01
μF
C1
C1
0.1
μF
注： Q1
9顷Siliconix公司SUD50N03-10P 。
图1.应用图， 12 V至1.5 V， 60 A转换器
绝对最大额定值*
等级
工作结温
无铅焊接温度：
存储温度范围
ESD敏感性（人体模型）
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
150
230峰，
65
+150
2.0
单位
°C
°C
°C
kV
绝对最大额定值
引脚名称
权力逻辑和门（ L） 1
电源门（ L）和2门（L ） 3
电源门（H）和1门（H ） 2
功率门控（H） 3
引脚符号
V
CCLL1
V
CCL23
V
CCH12
V
CCH3
V
最大
16 V
16 V
20 V
20 V
V
民
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
I
来源
不适用
不适用
不适用
不适用
I
SINK
1.5 A, 1.0
μs
200毫安DC
1.5 A, 1.0
μs
200毫安DC
1.5 A, 1.0
μs
200毫安DC
1.5 A, 1.0
μs
200毫安DC
http://onsemi.com
2
CS5303
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 4.7 V < V
CCL
< 14 V ; 8 V < V
CCH
< 20 V ;
C
门（H）的
= 3.3 nF的，C
门（L）的
= 3.3 nF的，R
R（ OSC）的
= 53.6 K，C
COMP
= 0.1
μF,
C
REF
= 0.1μF ， DAC码10000 ，C
VCC
= 1.0
μF,
I
LIM
≥
1 V ;除非
另有规定编）
特征
测试条件
民
典型值
最大
单位
电压识别DAC （ 0 =连接到V
SS
; 1 =打开或拉至3.3 V ）
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
1.460
1.485
1.510
1.535
1.559
1.584
1.609
1.634
1.658
1.683
1.708
1.733
1.757
1.782
1.807
1.832
1.00
25
3.15
1.475
1.500
1.525
1.550
1.575
1.600
1.625
1.650
1.675
1.700
1.725
1.750
1.775
1.800
1.825
1.850
1.25
50
3.30
1.490
1.515
1.540
1.566
1.591
1.616
1.641
1.667
1.692
1.717
1.742
1.768
1.793
1.818
1.843
1.869
1.50
100
3.45
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
kΩ
V
输入阈值
输入上拉电阻
上拉电压
电压反馈误差放大器
V
FB
偏置电流（注2 ）
COMP源电流
1.0 V < V
FB
< 1.9 V
COMP = 0.5 V至2.0 V ;
V
FB
= 1.8 V ; DAC = 00000
COMP = 0.5 V至2.0 V ;
V
FB
= 1.9 V ; DAC = 00000
10
μA
＆ LT ;我
COMP
＆ LT ; +10
μA
注3
0.01
μF
COMP电容
V
FB
= 1.8 V ; COMP打开; DAC = 00000
V
FB
= 1.9 V ; COMP打开; DAC = 00000
16.8
15
19.0
30
21.5
60
μA
μA
COMP灌电流
15
30
60
μA
COMP放电阈值电压
跨
输出阻抗
开环DC增益
单位增益带宽
PSRR @ 1 kHz的
COMP最大电压
COMP电压敏
打嗝锁存放电电流
COMP放电比
0.20
60
2.4
2.0
4.0
0.27
32
2.5
90
400
70
2.7
0.1
5.0
6.0
0.34
0.2
10
10
V
mmho
MΩ
千赫
dB
V
V
μA
2. V
FB
偏置电流与R值的变化
OSC
按照图4 。
3.通过设计保证。在生产中测试。
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4
CS5303
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 4.7 V < V
CCL
< 14 V ; 8 V < V
CCH
< 20 V ;
C
门（H）的
= 3.3 nF的，C
门（L）的
= 3.3 nF的，R
R（ OSC）的
= 53.6 K，C
COMP
= 0.1
μF,
C
REF
= 0.1μF ， DAC码10000 ，C
VCC
= 1.0
μF,
I
LIM
≥
1 V ;除非另外
明智的规定）
特征
PWM比较器
最小脉冲宽度
从测量到CSX GATE （H ）
V(V
FB
） = V （ CS
REF
） = 1.0 V， V（ COMP ） = 1.5 V
V之间施加60 mV的步
CSX
和V
CREF
V（ CS1 ） = V （ CS2 ） = V （ CS3 ） = V（V
FB
) = 0.3
V（ CS
REF
）= 0 V ;测量V（ COMP ）时，
GATE1 （ 1H）， 2（ 1H）， 3 （H）的切换高
350
515
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
通道开始向上偏移
0.4
0.5
V
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
低电压（ AC）的
上升时间门（H ）×
上升时间门（长）x
下降时间门（H ）×
秋季时间门（ L）
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
栅极下拉
振荡器
开关频率
开关频率
开关频率
R
OSC
电压
相位延迟
自适应电压定位
V
DRP
输出电压DAC
OUT
OFFSET
最大V
DRP
电压
电流检测放大器到V
DRP
收益
电流检测和共享
CS1 - CS3输入偏置电流
CS
REF
输入偏置电流
电流检测放大器增益
电流检测放大器不匹配
（偏移和增益误差的总和）
电流检测放大器输入
共模范围限制
电流检测输入到I
LIM
收益
电流限制滤波器斜率
V（ CSX ） = V （ CS
REF
) = 0 V
注4 0
≤
（ CSX
CS
REF
)
≤
50毫伏
注4 7 V < V
CCLL1
< 12 V
0.25 V <我
LIM
< 1.20 V
注4
3.8
5.0
0
5.0
7.5
0.2
0.6
4.3
6.5
15.0
2.0
6.0
4.8
5.0
V
CCLL1
2
8.0
40.0
μA
μA
V/V
mV
V
V/V
毫伏/微秒
CS1 = CS2 = CS3 = CS
REF
, V
FB
= COMP
测量V
DRP
COMP
| （ CS1 = CS2 = CS3 ）
C
REF
| = 50 mV时，
V
FB
= COMP ，测量V
DRP
COMP
20
360
2.4
465
3.0
20
570
3.8
mV
mV
V/V
衡量任何阶段（R
OSC
= 53.6 k)
注4测量任何阶段（R
OSC
= 32.4 k)
注4测量任何阶段（R
OSC
= 16.2 k)
220
300
600
105
250
400
800
1.00
120
280
500
1000
135
千赫
千赫
千赫
V
度
注4测量V
CCLx
门（L）或
V
CCHx
门（H）的
注意，如图4所示，测量门限（L）或门（H）的
1.0 V < GATE < 8.0 V ; V
CCHx
= 10 V
1.0 V < GATE < 8.0 V ; V
CCLx
= 10 V
8.0 V > GATE > 1.0 V ; V
CCHx
= 10 V
8.0 V > GATE > 1.0 V ; V
CCLx
= 10 V
门（H ） < 2.0 V，门（ L） > 2 V
门（ L） < 2.0 V，门（H ） > 2 V
力100
μA
到栅极驱动器，无动力
适用于V
CCHx
和V
CCLx
= 2 V.
30
30
0
0
35
35
35
35
65
65
1.2
1.0
0.5
80
80
80
80
110
110
1.6
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
4.通过设计保证。在生产中测试。
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5
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