CS5301
三相
降压控制器
集成的栅极驱动器和
电源良好
该CS5301是一个三相降压控制器，该控制器
集成了所需的所有控制功能，功耗高性能
处理器和大电流电源。专有的多相位
架构保证了均衡负载电流分布，降低了
总体解决方案成本高电流应用。增强的V
2
t
控制架构，提供最快的瞬态响应，
出色的整体调节，使用方便。
该CS5301多相架构降低输出电压，
输入电流纹波，从而允许一个显著降低电感
值，并在电感器的电流转换率也相应增加。这
方法允许大大减少输入和输出电容器
需求，以及降低整体解决方案的尺寸和成本。
特点
http://onsemi.com
标记图
32
SO32WB
CASE 751P
DW后缀
1
CS5301
AWLYYWWG
32
1
A
WL
YY
WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
增强的V
2
控制方法
5位DAC， 1 ％精度
可调输出电压定位
6板载栅极驱动器
200 kHz至800 kHz的工作频率设定由电阻
通过降压电感器，检测电阻或V -S对检测到的电流
控制
打嗝模式电流限制
单个电流限制每相
板载电流检测放大器
3.3 V ，1.0 mA转速输出
5.0 V和/或12 V工作
开/关控制（通过COMP引脚）
电源良好输出
无铅包装是可用*
引脚连接
1
COMP
V
FB
V
DRP
CS1
CS2
CS3
CS
REF
PWRGD
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
PWRGDS
I
LIM
REF
32
R
OSC
V
CCL
V
CCL1
GATE(L)1
GND1
Gate(H)1
V
CCH12
Gate(H)2
GND2
Gate(L)2
V
CCL23
Gate(L)3
GND3
Gate(H)3
V
CCH3
LGND
订购信息
设备
CS5301GDW32
CS5301GDWR32
CS5301GDWR32G
包
SO32
SO32
航运
22单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
SO- 32 1000磁带&卷轴
（无铅）
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1
2006年2月， - 12牧师
出版订单号：
CS5301/D
CS5301
+12 V
+5.0 V
D1
BAT54S
C1
1.0
mF
C3
1.0
mF
D3
BAT54S
C2
1.0
mF
CS1
L1
1.0
mF
Q2
C1724
8
×
4SP560M
L4
300 nH的
D2
BAS16LT1
C12
1.0 nF的
R10
10 K
+ C15,16
2
×
16SP180M
Q1
+12 V
+5.0 V
C11
1.0 nF的
C10
470 pF的
C4
0.1
mF
R3
56.2 K
U1
R4
1.0
W
C14
1.0
mF
R9
19.1 k
R11
10 k
+5.0 V
R12
20 K
R8
80.6 k
PWRGD
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
COMP
V
FB
V
DRP
CS1
CS2
CS3
CS
REF
PWRGD
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
PWRGDS
I
LIM
REF
R1
3.09 k
R2
1.40 k
R7
R
OSC
V
CCL
V
CCL1
Gate(L)1
GND1
Gate(H)1
V
CCH12
Gate(H)2
GND2
Gate(L)2
V
CCL23
Gate(L)3
GND3
Gate(H)3
V
CCH3
LGND
CS5301
Q3
CS2
L2
1.0
mF
Q4
C2532
8
×
10
mF
C5
0.1
mF
Q5
CS3
L3
1.0
mF
V
CORE
R5
30 k
R6
30 k
C6
.01
mF
C7
.01
mF
Q6
30 k
CS3
C8
.01
mF
CS1
C9
.01
mF
CS2
Q1 - Q6 ， NTB85N03或NTB85N03T4由安森美半导体
图1.应用框图英特尔奔腾4处理器的12 V至1.7 V ， 42一个
最大额定值*
等级
工作结温
存储温度范围
ESD敏感性（人体模型）
热阻，结到外壳，R
QJC
热阻，结到环境，R
qJA
焊接温度焊接：
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
150
-65到+150
2.0
14
70
230峰
单位
°C
°C
kV
° C / W
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
http://onsemi.com
2
CS5301
最大额定值
（续）
引脚名称
权力逻辑
电源良好意识
电源良好输出
返回的逻辑
电源GATE （L ） 1
电源门（ L）和2门（L ） 3
电源门（H） 1
Gate(H)2
电源门（H ） 3
电压反馈补偿
网
电压反馈输入。
输出自适应调整
电压定位
高频电阻
参考输出
高侧FET驱动器
引脚符号
V
CCL
PWRGDS
PWRGD
LGND
V
CCL1
V
CCL23
V
CCH12
V
CCH3
COMP
V
FB
V
DRP
R
OSC
REF
GH13
V
最大
16 V
6.0 V
6.0 V
不适用
16 V
16 V
20 V
20 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
20 V
V
民
0.3 V
0.3 V
0.3 V
不适用
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
-0.3 V DC
-2.0 V的
100纳秒
-0.3 V DC
-2.0 V的
100纳秒
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
I
来源
不适用
1.0毫安
1.0毫安
2.0 A, 1.0
ms
200毫安DC
不适用
不适用
不适用
不适用
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A, 1.0
ms
200毫安DC
I
SINK
70毫安DC
1.0毫安
20毫安
不适用
1.5 A, 1.0
ms
200毫安DC
1.5 A, 1.0
ms
200毫安DC
1.5 A, 1.0
ms
200毫安DC
1.5 A, 1.0
ms
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
50毫安
1.5 A, 1.0
ms
200毫安DC
低边FET驱动器
GL13
16 V
1.5 A, 1.0
ms
200毫安DC
1.5 A, 1.0
ms
200毫安DC
回报＃ 1驱动
换取＃ 2驱动程序
回报＃ 3驱动器
电流检测阶段1-3
电流限制设定点
输出电压
电压ID DAC输入
GND1
GND2
GND3
CS1CS3
I
LIM
CS
REF
V
ID04
0.3 V
0.3 V
0.3 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
2.0 A, 1.0
ms
200毫安DC
2.0 A, 1.0
ms
200毫安DC
2.0 A, 1.0
ms
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
不适用
不适用
不适用
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
电气特性
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 4.7 V < V
CCL
< 14 V ; 8.0 V < V
CCH
< 20 V ;
C
门（H）的
= 3.3 nF的，C
门（L）的
= 3.3 nF的，R
ROSC
= 53.6 K，C
COMP
= 0.1
MF，
C
REF
= 0.1
MF，
DAC码10000 ，C
VCC
= 1.0
MF，
I
LIM
≥
1.0 V;
除非另有规定）。
特征
测试条件
民
典型值
最大
单位
电压识别DAC （ 0 =连接到GND ; 1 =开或上拉至内部3.3 V或外部5.0 V ）
精度（所有代码）
VID代码 - 125毫伏
V
ID4
1
1
1
1
1
1
V
ID3
1
1
1
1
1
1
V
ID2
1
1
1
1
0
0
V
ID1
1
1
0
0
1
1
V
ID0
1
0
1
0
1
0
连接V
FB
到COMP ，
测量COMP
V
ID
电压
1.100
1.125
1.150
1.175
1.200
DAC
OUT
电压
故障模式，输出关闭
0.965
0.990
1.015
1.040
1.064
0.975
1.000
1.025
1.050
1.075
0.985
1.010
1.035
1.061
1.086
±
1.0
%
V
V
V
V
V
http://onsemi.com
3
CS5301
电气特性
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 4.7 V < V
CCL
< 14 V ; 8.0 V < V
CCH
< 20 V ;
C
门（H）的
= 3.3 nF的，C
门（L）的
= 3.3 nF的，R
ROSC
= 53.6 K，C
COMP
= 0.1
MF，
C
REF
= 0.1
MF，
DAC码10000 ，C
VCC
= 1.0
MF，
I
LIM
≥
1.0 V;
除非另有规定）。
特征
测试条件
民
典型值
最大
单位
电压识别DAC （ 0 =连接到GND ; 1 =开或上拉至内部3.3 V或外部5.0 V ）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1.225
1.250
1.275
1.300
1.325
1.350
1.375
1.400
1.425
1.450
1.475
1.500
1.525
1.550
1.575
1.600
1.625
1.650
1.675
1.700
1.725
1.750
1.775
1.800
1.825
1.850
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
1.089
1.114
1.139
1.163
1.188
1.213
1.238
1.263
1.287
1.312
1.337
1.361
1.386
1.411
1.436
1.460
1.485
1.510
1.535
1.560
1.584
1.609
1.634
1.658
1.683
1.708
1.00
25
3.15
1.100
1.125
1.150
1.175
1.200
1.225
1.250
1.275
1.300
1.325
1.350
1.375
1.400
1.425
1.450
1.475
1.500
1.525
1.550
1.575
1.600
1.625
1.650
1.675
1.700
1.725
1.25
50
3.30
1.111
1.136
1.162
1.187
1.212
1.237
1.263
1.288
1.313
1.338
1.364
1.389
1.414
1.439
1.465
1.490
1.515
1.540
1.566
1.591
1.616
1.641
1.667
1.692
1.717
1.742
1.50
100
3.45
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
kW
V
输入阈值
输入上拉电阻
上拉电压
电源良好输出
阈值上限
阈值下限
力PWRGDS
力PWRGDS
1.9 (5%)
0.95
×
(V
ID
-125毫伏）
或-2.6 ％
从名义
PWRGD
门槛
2.0
0.975
×
(V
ID
-125毫伏）
2.1 (+5%)
V
ID
-125 mV的
或+ 2.6 ％
从名义
PWRGD
门槛
V
V
V
ID4
1
V
ID3
1
V
ID2
1
V
ID1
1
V
ID0
0
0.926
0.951
0.975
V
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
