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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1380页 > CS5231-3GDPR5
CS52313
500毫安, 3.3 V线性
稳压器与辅助
控制
该CS5231-3结合了三端线性调节器
电路控制外部PFET晶体管从而管理两个
输入电源。该器件提供3.3 V的稳压输出,无论是从
主要的5.0 V电源或3.3 V辅助切换时的
5.0 V电源是不存在的。这也提供了恒定的,不间断的
向负载供电。该CS5231-3符合英特尔的“立即可用”
功率要求下面的“高级配置
开发由英特尔,微软电源接口“ ( ACPI )标准
和东芝。
该CS5231-3线性稳压器提供一个固定的3.3 V输出
500毫安带的整体精度
±
2.0%。内部NPN -PNP
复合通道晶体管提供了一个低压差电压,需要
更少的电源电流比直PNP设计。全方位的保护,
这两个电流限制和热关断提供。
设计用于低反向电流,该IC可以防止过大的电流
从V流
OUT
在V
IN
或地面时,调节器
输入电压比输出电压低。
该CS5231-3可用于将电力提供给ASIC中的PCI
网络接口卡( NIC ) 。当系统进入睡眠状态
和5.0 V输入电压降至低于4.4 V时,在该AUXDRV控制信号
CS5231-3被激活接通外部PFET 。这种切换
从5.0 V输入至3.3 V输入电压源通过PFET ,
保证一个恒定的3.3 V输出到在ASIC “无故障”。
该CS5231-3有两种封装形式可供选择:为D
2
PAK5
( TO263 )封装和SOIC - 8 4引脚融合( DF )封装。其他
应用包括台式电脑,电源供应器与多个
输入源和PCMCIA / PCI接口卡。
特点
http://onsemi.com
D
2
PAK5
DP后缀
CASE 936AC
1
5
8
1
SOIC8
DF后缀
CASE 751
引脚连接和
标记DIAGRAMS
D
2
PAK5
引脚1无连接
2. V
IN
3. GND
4. V
OUT
5. AUXDRV
标签= GND
CS52313
AWLYWW
1
1
SOIC8
8
5231
ALYW3
NC
GND
GND
V
IN
AUXDRV
GND
GND
V
OUT
线性稳压器
3.3 V
±
2.0 %的输出电压
3.0毫安静态电流@ 500毫安
快速瞬态响应
电流限制保护
与迟滞热关断
450
mA
反向输出电流
系统电源管理
辅助电源控制
两个电源之间“无干扰”转型
内部融合信息,采用SOIC - 8封装
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
CS52313GDP5
CS52313GDPR5
CS52313GDF8
CS52313GDFR8
D
2
PAK5
D
2
PAK5
SOIC8
SOIC8
航运
50单位/铁
750磁带&卷轴
95单位/铁
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年1月 - 修订版5
出版订单号:
CS52313/D
CS52313
V
OUT
V
IN
10千瓦
50千瓦
国内
BIAS
当前
极限
AUXDRV
V
IN
UV
比较
错误
AMP
关闭
-
+
带隙
参考
GND
关闭
绝对最大额定值*
等级
最大工作结温
存储温度范围
焊接温度焊接:
ESD损伤阈值(人体模型)
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊: (只SMD样式) (注1 )
价值
150
-65到+150
230峰
2.0
单位
°C
°C
°C
kV
绝对最大额定值
引脚名称
IC电源输入
输出电压
辅助驱动输出
IC地面
引脚符号
V
IN
V
OUT
AUXDRV
GND
V
最大
14 V
6.0 V
14 V
不适用
V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
不适用
I
来源
百毫安
内部限制
10毫安
不适用
I
SINK
内部限制
百毫安
50毫安
不适用
+
V
REF
图1.框图
http://onsemi.com
2
CS52313
电气特性
( 0 ° C& LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 4.75 V
V
CC
< 6.0 V ;
OUT
10
mF
ESR < 1.0
W,
I
OUT
= 10毫安;除非另有规定)。
特征
线性稳压器
输出电压
线路调整
负载调整率
地电流
反向电流
电流限制
热关断
热关断迟滞
辅助驱动
上V
IN
门槛
低V
IN
门槛
V
IN
阈值迟滞
输出低电压
输出低电压峰值
AUXDRV电流限制
响应时间
上拉/下拉电阻
加V
IN
直到调节器接通和
AUXDRV驱动高
降低V
IN
直到稳压器关闭,
AUXDRV驱动低
I
AUXDRV
= 100
毫安,
1.0 V < V
IN
& LT ; 4.5 V
加V
IN
从0V到1.0V。
纪录高位AUXDRV输出电压
V
AUXDRV
= 1.0 V; V
IN
= 4.0 V
步骤V
IN
从5.0 V至4.0 V,测量时间为
V
AUXDRV
驱动低。注2
V
IN
= 0 V和V
IN
> 4.7 V.
4.35
4.25
75
0.5
5.0
4.5
4.4
100
0.1
0.65
6.0
1.0
10
4.65
4.55
125
0.4
0.9
25
10
25
V
V
mV
V
V
mA
ms
kW
10毫安<我
OUT
< 500毫安。
I
OUT
= 10毫安; V
IN
= 4.75 V至6.0 V
V
IN
= 5.0 V ;我
OUT
= 10 mA至500毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 500毫安
V
IN
= 0 V, V
OUT
= 3.3 V
0 V& LT ; V
OUT
< 3.2 V
注2
注2
3.234
( 2%)
0.55
150
3.3
1.0
5.0
2.0
3.0
0.45
0.85
180
25
3.366
(+ 2%)
5.0
15
3.0
6.0
1.0
1.2
210
V
mV
mV
mA
mA
mA
A
°C
°C
测试条件
典型值
最大
单位
2.通过设计保证,而不是100 %生产测试。热关断是100%的功能,在晶圆探针测试。
封装引脚说明
封装引线#
D
2
PAK5
1
2
3 ,标签
4
5
SOIC8
1
4
2, 3, 6, 7
5
8
LEAD符号
NC
V
IN
GND
V
OUT
AUXDRV
无连接。
输入电压。
地面和IC载板的连接。
稳压输出电压。
输出用于控制辅助电源电压。这导致驱动
如果低V
IN
小于4.5伏,和以其它方式拉至V
IN
通过
内部10千瓦电阻。
功能
http://onsemi.com
3
CS52313
典型性能特性
3.302
I
OUT
= 10毫安
1.2
125°C
1.0
3.300
I
OUT
= 500毫安
3.298
负载调整率(MV )
输出电压(V)
0.8
0.6
0.4
0.2
0°C
0
0
20
40
60
80
100
结温( ° C)
120
0
0.2
I
OUT
(A)
0.4
27°C
3.296
图2.输出电压与结温
图3.线路调整与我
OUT
过度
温度
1.2
125°C
负载调整率(MV )
反向电流(mA )
1.0
0.8
0.6
0.4
27°C
0.2
0°C
0.0
0.0
0.2
I
OUT
(A)
0.4
0
20
40
60
80
结温( ° C)
100
120
360
390
380
370
图4.负载稳定度 - 我
OUT
过度
温度
图5.反向电流与结
温度
4.52
125°C
3
V
IN
阈值电压( V)
27°C
V
OUT
(V)
2
0°C
1
4.50
4.48
4.46
4.44
4.42
4.40
0
0.0
0.2
0.4
I
OUT
(A)
0.6
0.8
1.0
4.38
0
20
V
IN
关闭
门槛
V
IN
开启
门槛
40
60
80
100
结温( ° C)
120
140
图6. V
OUT
与我
OUT
在结
温度
图7. V
IN
阈值与结
温度
http://onsemi.com
4
CS52313
1000
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
0.0
稳定区
T
J
= 25°C
100
接地电流(mA)
T
J
= 27°C
I
GND
@ 27°C
T
J
= 125°C
I
GND
@ 125°C
0.2
负载电流(A )
0.4
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
电容的ESR (W)的
6.0
7.0
图8.接地电流与负载电流
电容( MF)
T
J
= 0°C
I
GND
@ 0°C
图9.地区的稳定运行
5.0
4.8
电流限制(毫安)
V
OUT
3.4
3.3
C
IN
= 33
mF
C
OUT
= 33
mF
V
IN
= 5.00 V
4.6
3.2
4.4
I
OUT (毫安
)
4.2
4.0
0
20
40
60
80
100
温度(℃)
120
140
500
10
时间, 5.0
ms
每格
图10. AUXDRV电流限制与结
温度
图11.瞬态响应
5.0 V PCI
C1
33
mF
V
IN
GND
V
OUT
CS52313
AUXDRV
M1
3.3 V V
AUX
C1
33
mF
C3
33
mF
ASIC
V
DD
*表示PFET的体二极管
图12.应用电路
http://onsemi.com
5
CS5231-3
CS5231-3
500毫安, 3.3V线性稳压器
与辅助控制
描述
该CS5231-3结合了三
终端与主电线性稳压器
cuitry控制外部PFET
晶体管具有的看护意图
荷兰国际集团的两个输入电源。一个5V电源
层的权力,而在监管机构
3.3V辅助电源控制
由IC 。该设计一直opti-
而得到优化,以提供“无干扰”
两个支持之间的过渡
层数。
该CS5231-3线性稳压器亲
国际志愿组织一个固定的3.3V输出@ 500毫安
为± 2 %的总精度。
该NPN -PNP复合通转录
体管提供了一个低压差电压
年龄和需要较少的供给电流
租比PNP设计。完整保护
化,包括电流限制和
提供热关断。
还专为低反向电流
房租, IC防止过大的电流
从输出流租
对地,如果调节器输入
电压比输出低
电压。
该CS5231-3还控制auxil-
iary供应,可以提供功率
到调节器输出时,输入
电压调节器是不
可用。该AUXDRV辅助
输出通常被拉到
调节器的输入电压和驱动器
低时,输入电压
低于4.4V (标称值) 。这是
通常用于控制一个PFET
开关,连接一个3.3V auxil-
iary供应到调节器输出。
该CS5231-3是一个可
5引脚
2
PAK ( TO-263 )封装。
应用范围包括网络
接口卡(NIC ) ,调制解调器
显卡和电源用
多个输入源。
特点
线性稳压器
s
3.3V ± 2 %的输出电压
s
3毫安静态电流
@ 500毫安
s
快速瞬态响应
s
电流限制
s
带有热关断
迟滞
s
450μA反向输出
当前
s
快速瞬态响应
系统电源管理
s
辅助电源控制
封装选项
5铅
2
PAK
V
OUT
框图
V
IN
10k
50k
国内
BIAS
当前
极限
AUXDRV
V
IN
UV
比较
带隙
参考
GND
关闭
+
错误
AMP
关闭
+
1
1.无连接
2. V
IN
3. GND
4. V
OUT
5. AUXDRV
标签= GND
V
REF
咨询工厂其他包
选项。
樱桃半导体公司
2000县南径,东格林威治, RI 02818
联系电话: (401)885-3600传真: (401)885-5786
电子邮件: info@cherry-semi.com
网站: www.cherry-semi.com
牧师99年3月31日
1
A
公司
CS5231-3
绝对最大额定值
最大工作结温..........................................................................................................................150°C
存储温度范围.....................................................................................................................................-65C到+ 150C
无铅焊接温度
回流焊(仅限SMD样式) ............................................ ............................................... 60秒。上面最大183 ° C, 230 ° C峰值
ESD损伤阈值(人体Model)....................................................................................................................2kV
引脚符号
引脚名称
V
最大
14V
6V
14V
不适用
V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
不适用
I
来源
100mA
国内
有限
10mA
不适用
I
SINK
国内
有限
100mA
50mA
不适用
V
IN
V
OUT
AUXDRV
GND
IC电源输入
输出电压
辅助驱动输出
IC地面
电气特性:
0° ℃下牛逼
A
< 70℃ , 0 ℃, <牛逼
J
< 125°C , 4.75V
V
CC
< 6V ,C
OUT
用10μF ESR < 1Ω ,
I
OUT
= 10毫安,除非另有规定。
测试条件
参数
典型值
最大
单位
s
线性稳压器
输出电压
线路调整
负载调整率
地电流
反向电流
电流限制
热关断
热关断迟滞
s
辅助驱动
上V
IN
门槛
低V
IN
门槛
V
IN
阈值迟滞
输出低电压
输出低电压峰值
AUXDRV电流限制
响应时间
上拉/下拉电阻
10毫安<我
OUT
& LT ; 500毫安
I
OUT
= 10毫安,
V
IN
= 4.75V至6V
V
IN
= 5V,
I
OUT
= 10mA至500毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 500毫安
V
IN
= 0V, V
OUT
= 3.3V
0V & LT ; V
OUT
< 3.2V
注1
注1
3.234
-2%
3.300
1
5
2
3
0.45
3.366
+2%
5
15
3
6
1
1.2
210
V
mV
mV
mA
mA
mA
A
°C
°C
0.55
150
0.85
180
25
加V
IN
直到调节开启
和AUXDRV驱动高
降低V
IN
直到调节器关闭
和AUXDRV驱动低
I
AUXDRV
= 100A,
1V < V
IN
& LT ; 4.5V
加V
IN
从0V至1V 。
纪录高位AUXDRV输出电压
V
AUXDRV
= 1V,
V
IN
= 4.0V
步骤V
IN
从5V到4V ,测量时间
对于V
AUXDRV
驱动低。注1
V
IN
= 0V和V
IN
> 4.7V
4.35
4.25
75
4.5
4.4
100
0.1
0.65
4.65
4.55
125
0.4
0.9
25
10
25
V
V
mV
V
V
mA
s
k
0.5
6
1
5
10
注1 :由设计保证,而不是100 %生产测试。热关断是100%的功能在晶圆测试
探测。
2
CS5231-3
封装引脚说明
封装引脚#
引脚符号
功能
5Lead
2
PAK
1
2
3
4
5
N / C
V
IN
GND
V
OUT
AUXDRV
无连接。
输入电压。
地面和IC基板的连接(情况) 。
稳压输出电压。
输出用于控制辅助电源电压。这是铅
驱动为低电平,若V
IN
小于4.5V ,并且否则拉升
到V
IN
通过内部10kΩ电阻。
典型性能特性
3.302
I
OUT
= 10毫安
80
4.75V <V
IN
& LT ; 6V
70
输出电压(V)
3.300
I
OUT
= 500毫安
3.298
线路调整( μV )
60
125°C
50
27°C
40
0°C
0.0
0.2
0.4
3.296
0
20
40
60
80
100
120
结温( ° C)
输出电压与结温
I
OUT
(A)
线路调整与我
OUT
过温
1.2
125°C
1.0
负载调整率(MV )
0.8
0.6
0.4
27°C
0.2
0°C
0.0
0.0
0.2
0.4
反向电流( μA )
390
380
370
360
0
20
40
60
80
100
120
I
OUT
(A)
负载稳定度 - 我
OUT
过温
结温( ° C)
反向电流与结温
3
CS5231-3
典型性能特征:持续
125°C
3
4.520
4.500
V
IN
开启
门槛
27°C
4.480
V
OUT
(V)
2
0°C
V
IN
阈值电压( V)
4.460
4.440
1
4.420
V
IN
开启
门槛
4.400
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
4.380
0
20
40
60
80
100
120
140
I
OUT
(A)
V
OUT
与我
OUT
过温
结温( C)
V
IN
阈值与结温
2.6
1000
接地电流(mA)
2.4
T
J
= 0°C
I
GND
@ 0°C
T
J
= 27°C
I
GND
@ 27°C
电容( μF )
2.2
100
2.0
1.8
T
J
= 125°C
I
GND
@ 125°C
10
1.6
0.0
0.2
0.4
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
负载电流(A )
接地电流与负载电流
稳定运行的地区
电容的ESR ( Ω )
5.000
3.400
V
OUT
4.800
3.300
C
IN
= 33F
C
OUT
= 33F
V
IN
= 5.00V
电流限制(毫安)
4.600
3.200
4.400
4.200
500mA
4.000
0
20
40
60
80
温度(℃)
100
120
140
I
OUT
10mA
时间,每格为5μs
AUXDRV电流限制与结温
瞬态响应
4
CS5231-3
应用电路
+ 5V PCI
C1
33F
V
OUT
V
IN
CS5231-3
GND
AUXDRV
ASIC
V
DD
C3
33F
*表示PFET的体二极管
M1
+3.3V V
AUX
C1
33F
应用信息
工作原理
该CS5231-3是包含一固定3.3V线性调节器
辅助驱动控制功能。当V
IN
大于
典型的4.5V的阈值时,IC用作线性稳压
荡器。它可提供高达500mA的电流对负载通过
复合PNP , NPN旁路晶体管。一个输出电容
大于10μF与等效串联电阻小于
超过1Ω要求赔偿。更多信息
在稳定性考虑部分提供。
该CS5231-3提供了一个辅助驱动功能,
允许的负荷保持即使在V供电
IN
供应FOR
该集成电路是不存在的。外部P沟道FET是唯一的
实现此功能所需的附加组件
如果辅助电源是可用的。在PFET门
连接到AUXDRV领先。在PFET漏极连接 -
编到辅助电源,以及PFET源是
连接到负载。此连接的极性是
非常重要的,因为PFET的体二极管将两端连接
负载和辅助电源之间编如果PFET
其漏极连接到该负载和其源的连接
供给,体二极管将正向偏置,如果auxil-
iary电源被关断。这会导致线性稳压
荡器目前提供的一切在辅助支持
层轨道。
该AUXDRV铅在内部连接到一个10kΩ电阻
和一个饱和NPN晶体管,它作为一个开关。如果
在V
IN
供应关闭时, AUXDRV输出将连接
PFET的栅极与地通过10kΩ的电阻器,而
PFET将传导电流至负载。
作为V
IN
供应开始上升,在AUXDRV铅也会
上升,直到它达到约650mV的典型电压。该
NPN晶体管连接到AUXDRV引线将饱和
在这一点上,和PFET的栅极将被拉低
至约100mV的典型电压。在PFET将contin-
UE能够传导电流至负载。
在V
IN
电源电压将继续上涨,但线性
稳压器的输出被禁止,直到V
IN
到达一个典型的
门槛4.5V的。在这段时间内,负载继续
由辅助驱动器供电。一旦4.5V V
IN
达到阈值时,饱和的NPN连接到
AUXDRV铅关闭。芯片上的10kΩ的上拉电阻器
将向上拉PFET的栅极至V
IN
,从而打开PFET
关。线性调节器导通的同时。一
5
外部补偿电容是必需的线性
调节器是稳定的,并且这个静电电容也用作
充电水库,以尽量减少任何“失灵”的威力
电源转换过程中造成的。迟滞存在
在AUXDRV电路,要求V
IN
由100mV的下降
(典型值)线性稳压后提供电源
负载的AUXDRV电路之前可被重新启用。
V
IN
V
OUT
V
AUXDRV
I
OUT
= STARTUP 375毫安
图1.初始上电时,V
AUX
不存在
OUT
= 8.8.
V
IN
V
OUT
V
AUXDRV
I
OUT
= 375毫安V
AUX
= 3.30V
图2a。电时,V
AUX
= 3.30V 。请注意, “振动性能”
作为线性调节器充电在V
OUT
节点。我
OUT
×
R
DS ( ON)
130mV
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