CS5212
低压同步
降压控制器
该CS5212是一款低电压同步降压控制器。它
包含一个同步降压转换器使用所有必需的电路
外部N沟道MOSFET 。大电流的内部栅极驱动器是
能够驱动低R高栅极电容
DS （ ON）
NFET的对
更好的效率。在V
2
控制体系结构用于实现
无与伦比的瞬态响应，最佳的整体监管和
最简单的环路补偿。
此外， CS5212提供过电流保护，
欠压闭锁，软启动，内置的自适应非重叠，以及
可调整的固定频率范围为150千赫至750千赫，这给
设计者更大的灵活性，使效率和组件尺寸
权衡。该CS5212也将工作在3.1 V至7.0 V范围内
采用单或双输入电压。
特点
开关稳压器控制器
–
N通道同步降压设计
–
V
2
控制拓扑
–
200 ns的瞬态响应
–
150 kHz至750 kHz的可编程固定频率
–
1.0 V 1.5 ％内部参考
–
无损耗电感器检测的过电流保护
–
打嗝模式短路保护
–
可编程软启动
–
40 ns的门上升和下降时间（ 3.3 nF的负载）
–
70 ns的自适应FET非重叠时间
–
差分远端检测能力
–
可在工业和商用温度等级
系统电源管理
–
3.3 V工作电压
–
欠压锁定
–
开/关控制通过使用COMP引脚的
http://onsemi.com
记号
图
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
x
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
= E或G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
CS5212x
AWLYWW
引脚连接
1
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
保护地
门（L）的
V
C
是+
是“
V
CC
R
OSC
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第13页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年5月 - 第2版
出版订单号：
CS5212/D
CS5212
V
IN
3.3 V
D5
BAT54S
C4
0.1
F
D6
BAT54S
D2
BAT54S
TP5
BST
C22
0.1
F
TP2
门（H）的
TP1
SWNODE
C6
+
C7
+
C8 100
F/10
V
×
3
+
Q1
6.5 MR
ETQP6F2R9LB
L1
2.9
H
C9
C15
470 pF的
V
OUT
C10 C20 C21
+
+
TP4
COMP
TP3
门（L）的
C11
0.1
F
保护地
门（L）的
V
C
是+
是“
V
CC
R
OSC
14
13
12
11
10
9
8
R5
4.7 k
+
+
100
F/10
V
×
2
R7
TBD *
R9
10
GND
Q2
R13
10
C3
0.1
F
C16
0.1
F
C19
1.0
F
R6
4.7 k
C5
680 pF的
R2
10
TP6
SENSE +
U1
1
2
3
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
GN2
GND
4
C2
0.1
F
5
6
7
CS5212
R8
10
R1
51 k
C1
0.47
F
R4
1.0 k 1%
*请参阅RPULLUP值选择部分需要的值。
R3
1.5 k 1%
TP7
感
图1.应用框图， 3.3 V至1.5 V / 8.0 A转换器，差分远端检测
最大额定值*
等级
工作结温，T
J
焊接温度焊接：
存储温度范围，T
S
封装热阻：
结到外壳，R
θJC
结到环境，R
θJA
ESD易感性：
人体模型
机器型号
JEDEC湿度敏感度
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
150
230峰
-65到+150
30
125
2.0
200
1
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
kV
V
–
http://onsemi.com
2
CS5212
最大额定值
引脚名称
IC电源输入
电源输入为低侧驱动器
对于高功率电源输入
侧驱动器
补偿电容
电压反馈输入。
振荡器电阻
快速反馈输入
高侧FET驱动器
低边FET驱动器
正电流检测
负电流检测
电源地
逻辑地
地感
引脚符号
V
CC
V
C
BST
COMP
V
FB
R
OSC
V
FFB
门（H）的
门（L）的
是+
是“
保护地
LGND
SGND
V
最大
6.0 V
16 V
20 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
20 V
16 V
6.0 V
6.0 V
0.3 V
0V
0.3 V
V
民
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
-2.0 V 50纳秒
–0.3 V
-2.0 V 50纳秒
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
0V
–0.3 V
I
来源
不适用
不适用
不适用
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值， 200毫安DC
百毫安
1.0毫安
I
SINK
50毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
不适用
不适用
1.0毫安
电气特性
（ -40°C <牛逼
A
< 85°C （ CS5212E ） ; 0 ℃的<牛逼
A
< 70 ° C（ CS5212G ） ; -40°C <牛逼
J
< 125°C ;
3.1 V < V
CC
< 3.5 V ; 3.1 V < V
C
< 7.0 V ; 4.5 V < BST < 20 V ;
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的;
OSC
= 51 K表;
COMP
= 0.1
F,
除非另外
明智的指定。 ）
特征
误差放大器器
V
FB
偏置电流
COMP源电流
COMP灌电流
开环增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
输出跨导
输出阻抗
参考电压
COMP最大电压
COMP电压敏
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
门（L）的
门（H）的
0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的。注2 。
门（L）或门（H）的
0.5 nF的<
门（H）的
; C
门（L）的
< 10 nF的。注2 。
V
C
– 0.5
BST - 0.5
–
–
–
–
–
–
0.5
V
V
V
C = 0.1
F
–
–
–
-0.1 V < < SGND 0.1 V，
COMP = V
FB
，测量V
FB
到SGND
V
FB
= 0.8 V
V
FB
= 1.2 V
V
FB
= 0 V
V
FB
= 0.8 V
V
FB
= 1.2 V
–
–
15
15
–
–
–
–
–
0.977
2.5
–
0.1
30
30
98
50
70
32
2.5
0.992
3.0
0.1
1.0
60
60
–
–
–
–
–
1.007
–
0.2
A
A
A
dB
千赫
dB
mmho
M
V
V
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
低电压（ AC）的
2. GBD 。
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3
CS5212
电气特性（续）
（ -40°C <牛逼
A
< 85°C （ CS5212E ） ; 0 ℃的<牛逼
A
< 70 ° C（ CS5212G ） ; -40°C <牛逼
J
< 125°C ;
3.1 V < V
CC
< 3.5 V ; 3.1 V < V
C
< 7.0 V ; 4.5 V < BST < 20 V ;
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的;
OSC
= 51 K表;
COMP
= 0.1
F,
除非另外
明智的指定。 ）
特征
门（H）和门（L）的
上升时间
V
C
= BST = 7.0 V，测量：
0.7 V < GATE （ L） < 6.3 V，
0.7 V < GATE （H ） < 6.3 V
V
C
= BST = 7.0 V，测量：
0.7 V < GATE （ L） < 6.3 V，
0.7 V < GATE （H ） < 6.3 V
GATE （H ） < 2.0 V， GATE （ L） > 2.0 V
GATE （ L） < 2.0 V， GATE （H ） > 2.0 V
耐PGND
–
40
80
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
下降时间
–
40
80
ns
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
GATE （H ） / （L ）的下拉
过电流保护
OVC比较器的失调电压
IS +偏置电流
IS-偏置电流
COMP放电阈值
在OVC COMP放电电流
故障模式
PWM比较器
瞬态响应
PWM比较器的失调
人造斜坡
V
FFB
偏置电流
V
FFB
输入范围
最小脉冲宽度
振荡器
开关频率
开关频率
开关频率
R
OSC
电压
通用电气规格
V
CC
电源电流
BST / V
C
电源电流
启动阈值
停止阈值
迟滞
意识地电流
40
40
20
70
70
50
110
110
115
ns
ns
K
0 V <为+ < V
CC
， 0 V < IS- < V
CC
0 V <为+ < V
CC
0 V < IS- < V
CC
–
COMP = 1.0 V
54
–1.0
–1.0
0.20
2.0
60
0.1
0.1
0.25
5.0
66
1.0
1.0
0.30
8.0
mV
A
A
V
A
COMP = 0 - 1.5 V ，V
FFB
， 20 mV过
V
FB
= V
FFB
= 0 V ;增加COMP直到
GATE （H ）开始转换
占空比= 90 ％
V
FFB
= 0 V
注3 。
–
–
0.35
40
–
–
–
100
0.40
70
0.1
–
–
200
0.45
100
1.0
1.1
200
ns
V
mV
A
V
ns
R
OSC
= 18 k
R
OSC
= 51 k
R
OSC
= 115 k
–
600
240
120
1.21
750
300
150
1.25
900
360
180
1.29
千赫
千赫
千赫
V
COMP = 0 V （无转换）
COMP = 0 V （无转换）
GATE （H ）开关， COMP充电
GATE （H ）不交换， COMP不充电
起止
注4 。
–
–
2.7
2.6
75
–
5.0
2.0
2.8
2.7
100
0.15
8.0
3.0
2.9
2.8
125
1.00
mA
mA
V
V
mV
mA
3. GBD 。
三地之间4.推荐的最大工作电压为200毫伏。
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4
CS5212
封装引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
引脚符号
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
R
OSC
V
CC
是“
是+
V
C
门（L）的
保护地
功能
高边开关FET驱动器引脚。能够提供1.0 A.峰值电流
电源输入的高边驱动器。
参考地。所有的控制电路都参考该引脚。 IC载板的连接。
输入PWM比较器。
误差放大器的输入。
误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器，以提供LGND误差放大器
补偿。
内部基准连接到该地。直接连接在负载为地面遥控
感应。
从这个引脚SGND一个电阻设置开关频率。
输入电源引脚。它提供电源控制电路。 A 0.1
F
去耦电容是
推荐使用。
负输入端过流比较器。
正输入端过流比较器。
电源输入为低侧驱动器。
低侧同步FET驱动器引脚。能够提供1.0 A.峰值电流
高电流接地的栅极（H）和门（L）的引脚。
0.5 V
+
V
FFB
Σ
+
PWM比较器
复位优先
R
Q
BST
门（H）的
COMP
V
FB
+
+
艺术斜坡
误差放大器
1.0 V
100％的直流
比较
SGND
0.8 V
V
开始
V
CC
是+
60毫伏
是“
LGND
+
+
UVLO
比较
UVLO
OC
比较
0.25 V
5.0
A
OSC
R
OSC
S
Q
V
C
门（L）的
PWM FF
故障
保护地
R
OSC
设置主导
S
+
+
+
Q
故障
R
Q
COMP COMP放电
图2.框图
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CS5212
低压同步
降压控制器
该CS5212是一款低电压同步降压控制器。它
包含一个同步降压转换器使用所有必需的电路
外部N沟道MOSFET 。大电流的内部栅极驱动器是
能够驱动低R高栅极电容
DS （ ON）
NFET的对
更好的效率。在V
2
控制体系结构用于实现
无与伦比的瞬态响应，最佳的整体监管和
最简单的环路补偿。
此外， CS5212提供过电流保护，
欠压闭锁，软启动，内置的自适应非重叠，以及
可调整的固定频率范围为150千赫至750千赫，这给
设计者更大的灵活性，使效率和组件尺寸
权衡。该CS5212也将工作在3.1 V至7.0 V范围内
采用单或双输入电压。
特点
开关稳压器控制器
–
N通道同步降压设计
–
V
2
控制拓扑
–
200 ns的瞬态响应
–
150 kHz至750 kHz的可编程固定频率
–
1.0 V 1.5 ％内部参考
–
无损耗电感器检测的过电流保护
–
打嗝模式短路保护
–
可编程软启动
–
40 ns的门上升和下降时间（ 3.3 nF的负载）
–
70 ns的自适应FET非重叠时间
–
差分远端检测能力
–
可在工业和商用温度等级
系统电源管理
–
3.3 V工作电压
–
欠压锁定
–
开/关控制通过使用COMP引脚的
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记号
图
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
x
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
= E或G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
CS5212x
AWLYWW
引脚连接
1
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
保护地
门（L）的
V
C
是+
是“
V
CC
R
OSC
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第13页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年5月 - 第2版
出版订单号：
CS5212/D
CS5212
V
IN
3.3 V
D5
BAT54S
C4
0.1
F
D6
BAT54S
D2
BAT54S
TP5
BST
C22
0.1
F
TP2
门（H）的
TP1
SWNODE
C6
+
C7
+
C8 100
F/10
V
×
3
+
Q1
6.5 MR
ETQP6F2R9LB
L1
2.9
H
C9
C15
470 pF的
V
OUT
C10 C20 C21
+
+
TP4
COMP
TP3
门（L）的
C11
0.1
F
保护地
门（L）的
V
C
是+
是“
V
CC
R
OSC
14
13
12
11
10
9
8
R5
4.7 k
+
+
100
F/10
V
×
2
R7
TBD *
R9
10
GND
Q2
R13
10
C3
0.1
F
C16
0.1
F
C19
1.0
F
R6
4.7 k
C5
680 pF的
R2
10
TP6
SENSE +
U1
1
2
3
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
GN2
GND
4
C2
0.1
F
5
6
7
CS5212
R8
10
R1
51 k
C1
0.47
F
R4
1.0 k 1%
*请参阅RPULLUP值选择部分需要的值。
R3
1.5 k 1%
TP7
感
图1.应用框图， 3.3 V至1.5 V / 8.0 A转换器，差分远端检测
最大额定值*
等级
工作结温，T
J
焊接温度焊接：
存储温度范围，T
S
封装热阻：
结到外壳，R
θJC
结到环境，R
θJA
ESD易感性：
人体模型
机器型号
JEDEC湿度敏感度
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
150
230峰
-65到+150
30
125
2.0
200
1
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
kV
V
–
http://onsemi.com
2
CS5212
最大额定值
引脚名称
IC电源输入
电源输入为低侧驱动器
对于高功率电源输入
侧驱动器
补偿电容
电压反馈输入。
振荡器电阻
快速反馈输入
高侧FET驱动器
低边FET驱动器
正电流检测
负电流检测
电源地
逻辑地
地感
引脚符号
V
CC
V
C
BST
COMP
V
FB
R
OSC
V
FFB
门（H）的
门（L）的
是+
是“
保护地
LGND
SGND
V
最大
6.0 V
16 V
20 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
20 V
16 V
6.0 V
6.0 V
0.3 V
0V
0.3 V
V
民
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
-2.0 V 50纳秒
–0.3 V
-2.0 V 50纳秒
–0.3 V
–0.3 V
–0.3 V
0V
–0.3 V
I
来源
不适用
不适用
不适用
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值， 200毫安DC
百毫安
1.0毫安
I
SINK
50毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
不适用
不适用
1.0毫安
电气特性
（ -40°C <牛逼
A
< 85°C （ CS5212E ） ; 0 ℃的<牛逼
A
< 70 ° C（ CS5212G ） ; -40°C <牛逼
J
< 125°C ;
3.1 V < V
CC
< 3.5 V ; 3.1 V < V
C
< 7.0 V ; 4.5 V < BST < 20 V ;
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的;
OSC
= 51 K表;
COMP
= 0.1
F,
除非另外
明智的指定。 ）
特征
误差放大器器
V
FB
偏置电流
COMP源电流
COMP灌电流
开环增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
输出跨导
输出阻抗
参考电压
COMP最大电压
COMP电压敏
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
门（L）的
门（H）的
0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的。注2 。
门（L）或门（H）的
0.5 nF的<
门（H）的
; C
门（L）的
< 10 nF的。注2 。
V
C
– 0.5
BST - 0.5
–
–
–
–
–
–
0.5
V
V
V
C = 0.1
F
–
–
–
-0.1 V < < SGND 0.1 V，
COMP = V
FB
，测量V
FB
到SGND
V
FB
= 0.8 V
V
FB
= 1.2 V
V
FB
= 0 V
V
FB
= 0.8 V
V
FB
= 1.2 V
–
–
15
15
–
–
–
–
–
0.977
2.5
–
0.1
30
30
98
50
70
32
2.5
0.992
3.0
0.1
1.0
60
60
–
–
–
–
–
1.007
–
0.2
A
A
A
dB
千赫
dB
mmho
M
V
V
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
低电压（ AC）的
2. GBD 。
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3
CS5212
电气特性（续）
（ -40°C <牛逼
A
< 85°C （ CS5212E ） ; 0 ℃的<牛逼
A
< 70 ° C（ CS5212G ） ; -40°C <牛逼
J
< 125°C ;
3.1 V < V
CC
< 3.5 V ; 3.1 V < V
C
< 7.0 V ; 4.5 V < BST < 20 V ;
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的;
OSC
= 51 K表;
COMP
= 0.1
F,
除非另外
明智的指定。 ）
特征
门（H）和门（L）的
上升时间
V
C
= BST = 7.0 V，测量：
0.7 V < GATE （ L） < 6.3 V，
0.7 V < GATE （H ） < 6.3 V
V
C
= BST = 7.0 V，测量：
0.7 V < GATE （ L） < 6.3 V，
0.7 V < GATE （H ） < 6.3 V
GATE （H ） < 2.0 V， GATE （ L） > 2.0 V
GATE （ L） < 2.0 V， GATE （H ） > 2.0 V
耐PGND
–
40
80
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
下降时间
–
40
80
ns
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
GATE （H ） / （L ）的下拉
过电流保护
OVC比较器的失调电压
IS +偏置电流
IS-偏置电流
COMP放电阈值
在OVC COMP放电电流
故障模式
PWM比较器
瞬态响应
PWM比较器的失调
人造斜坡
V
FFB
偏置电流
V
FFB
输入范围
最小脉冲宽度
振荡器
开关频率
开关频率
开关频率
R
OSC
电压
通用电气规格
V
CC
电源电流
BST / V
C
电源电流
启动阈值
停止阈值
迟滞
意识地电流
40
40
20
70
70
50
110
110
115
ns
ns
K
0 V <为+ < V
CC
， 0 V < IS- < V
CC
0 V <为+ < V
CC
0 V < IS- < V
CC
–
COMP = 1.0 V
54
–1.0
–1.0
0.20
2.0
60
0.1
0.1
0.25
5.0
66
1.0
1.0
0.30
8.0
mV
A
A
V
A
COMP = 0 - 1.5 V ，V
FFB
， 20 mV过
V
FB
= V
FFB
= 0 V ;增加COMP直到
GATE （H ）开始转换
占空比= 90 ％
V
FFB
= 0 V
注3 。
–
–
0.35
40
–
–
–
100
0.40
70
0.1
–
–
200
0.45
100
1.0
1.1
200
ns
V
mV
A
V
ns
R
OSC
= 18 k
R
OSC
= 51 k
R
OSC
= 115 k
–
600
240
120
1.21
750
300
150
1.25
900
360
180
1.29
千赫
千赫
千赫
V
COMP = 0 V （无转换）
COMP = 0 V （无转换）
GATE （H ）开关， COMP充电
GATE （H ）不交换， COMP不充电
起止
注4 。
–
–
2.7
2.6
75
–
5.0
2.0
2.8
2.7
100
0.15
8.0
3.0
2.9
2.8
125
1.00
mA
mA
V
V
mV
mA
3. GBD 。
三地之间4.推荐的最大工作电压为200毫伏。
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4
CS5212
封装引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
引脚符号
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
R
OSC
V
CC
是“
是+
V
C
门（L）的
保护地
功能
高边开关FET驱动器引脚。能够提供1.0 A.峰值电流
电源输入的高边驱动器。
参考地。所有的控制电路都参考该引脚。 IC载板的连接。
输入PWM比较器。
误差放大器的输入。
误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器，以提供LGND误差放大器
补偿。
内部基准连接到该地。直接连接在负载为地面遥控
感应。
从这个引脚SGND一个电阻设置开关频率。
输入电源引脚。它提供电源控制电路。 A 0.1
F
去耦电容是
推荐使用。
负输入端过流比较器。
正输入端过流比较器。
电源输入为低侧驱动器。
低侧同步FET驱动器引脚。能够提供1.0 A.峰值电流
高电流接地的栅极（H）和门（L）的引脚。
0.5 V
+
V
FFB
Σ
+
PWM比较器
复位优先
R
Q
BST
门（H）的
COMP
V
FB
+
+
艺术斜坡
误差放大器
1.0 V
100％的直流
比较
SGND
0.8 V
V
开始
V
CC
是+
60毫伏
是“
LGND
+
+
UVLO
比较
UVLO
OC
比较
0.25 V
5.0
A
OSC
R
OSC
S
Q
V
C
门（L）的
PWM FF
故障
保护地
R
OSC
设置主导
S
+
+
+
Q
故障
R
Q
COMP COMP放电
图2.框图
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5
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