CS5211
低压同步
降压控制器
该CS5211是一款低电压同步降压控制器。它
包含一个同步降压转换器使用所有必需的电路
外部N沟道MOSFET 。大电流的内部栅极驱动器是
能够驱动低R高栅极电容
DS （ ON）
NFET的对
更好的效率。在V
2
控制体系结构用于实现
无与伦比的瞬态响应，最佳的整体监管和
最简单的环路补偿。该CS5211是一个14引脚封装，以
允许设计者增加了灵活性。
该CS5211提供过流保护，欠压锁定，
软启动和内置自适应非重叠。该CS5211还提供了
可调整的固定频率范围为150千赫至750千赫。这使
设计者更大的灵活性，使效率和组件尺寸
妥协。该CS5211将工作在4.5 V至14 V范围
采用单或双输入电压。
特点
http://onsemi.com
SOIC14
后缀
CASE 751A
开关稳压器控制器
N通道同步降压设计
V
2
控制拓扑
200 ns的瞬态响应
150 kHz至750 kHz的可编程固定频率
1.0 V 1.5 ％内部参考
无损耗电感器检测的过电流保护
打嗝模式短路保护
可编程软启动
40 ns的门上升和下降时间（ 3.3 nF的负载）
70 ns的自适应FET非重叠时间
差分远端检测能力
系统电源管理
5.0 V或12 V操作
欠压锁定
开/关控制通过使用COMP引脚的
无铅包可用*
标记图
14
CS5211xG
AWLYWW
1
CS5211x
A
WL
Y
WW
G
=具体设备守则
X = E或G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚连接
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
1
保护地
门（L）的
V
C
是+
是“
V
CC
R
OSC
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
2006年7月
启示录7
1
出版订单号：
CS5211/D
CS5211
5.0 V
+
100
mF/10
V
×
3
0.1
mF
V
C
V
CC
COMP
0.1
mF
51 k
0.1
mF
SGND
LGND
10
R
OSC
CS5211
是+
是“
V
FFB
V
FB
1.0 k
1.0%
1.0%
1.5 k
0.1
mF
BST
门（H）的
门（L）的
保护地
2.9
mH
+
2.5 V / 8.0 A
+V
OUT
4.7 k
100
mF/10
V
×
2
0.1
mF
4.7 k
10
V
OUT
回报
SENSE +
680 pF的
感
图1.应用框图， 5.0 V至2.5 V / 8.0 A转换器，差分远端检测
订购信息
设备
CS5211ED14
CS5211ED14G
CS5211EDR14
CS5211EDR14G
CS5211GD14
CS5211GD14G
CS5211GDR14
CS5211GDR14G
0° ℃下牛逼
A
＆ LT ; 70℃
40°C
＆ LT ;吨
A
＆ LT ; 85°C
工作温度范围
包
SOIC14
SOIC14
（无铅）
SO14
SOIC14
（无铅）
SO14
SOIC14
（无铅）
SO14
SOIC14
（无铅）
航运
55单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
55单位/铁
55单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
最大额定值
等级
工作结温，T
J
焊接温度焊接：
存储温度范围，T
S
封装热阻，
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
150
230峰
65
+150
30
125
2.0
1.0
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
kV
ESD敏感性（人体模型）
JEDEC湿度敏感度
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
第二个最大以上183℃一60 。
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2
CS5211
最大额定值
引脚名称
IC电源输入
电源输入为低侧驱动器
对于高边驱动器电源输入
补偿电容
电压反馈输入。
振荡器电阻
快速反馈输入
高侧FET驱动器
低边FET驱动器
正电流检测
负电流检测
电源地
逻辑地
地感
引脚符号
V
CC
V
C
BST
COMP
V
FB
R
OSC
V
FFB
门（H）的
门（L）的
是+
是“
保护地
LGND
SGND
V
最大
16 V
16 V
20 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
20 V
16 V
6.0 V
6.0 V
0.3 V
0V
0.3 V
V
民
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
2.0
V为50纳秒
0.3
V
2.0
V为50纳秒
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0V
0.3
V
I
来源
不适用
不适用
不适用
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值，
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值，
200毫安DC
百毫安
1.0毫安
I
SINK
50毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
不适用
不适用
1.0毫安
封装引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
引脚符号
门（H）的
BST
LGND
V
FFB
V
FB
COMP
SGND
R
OSC
V
CC
是“
是+
V
C
门（L）的
保护地
功能
高边开关FET驱动器引脚。能够提供1.0 A.峰值电流
电源输入的高边驱动器。
参考地。所有的控制电路都参考该引脚。 IC载板的连接。
输入PWM比较器。
误差放大器的输入。
误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器，以提供LGND误差放大器
补偿。
内部基准连接到该地。直接连接在负载为地面遥控
感应。
从这个引脚SGND一个电阻设置开关频率。
输入电源引脚。它提供电源控制电路。 A 0.1
mF
去耦电容是
推荐使用。
负输入端过流比较器。
正输入端过流比较器。
电源输入为低侧驱动器。
低侧同步FET驱动器引脚。能够提供1.0 A.峰值电流
高电流接地的栅极（H）和门（L）的引脚。
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3
CS5211
C
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的;
OSC
= 51 K表;
COMP
= 0.1
MF，
除非另有说明。 ） （注2）
特征
误差放大器器
V
FB
偏置电流
COMP源电流
COMP灌电流
开环增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
输出跨导
输出阻抗
参考电压
COMP最大电压
COMP电压敏
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
低电压（ AC）的
上升时间
下降时间
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
GATE （H ） / （L ）的下拉
过电流保护
OVC比较器的失调电压
IS +偏置电流
IS-偏置电流
COMP放电阈值
COMP放电电流In
OVC故障模式
PWM比较器
瞬态响应
PWM比较器的失调
人造斜坡
V
FFB
偏置电流
V
FFB
输入范围
最小脉冲宽度
振荡器
开关频率
开关频率
开关频率
R
OSC
电压
2.设计保证。在生产中测试。
R
OSC
= 18 k
R
OSC
= 51 k
R
OSC
= 115千瓦
600
240
120
1.21
750
300
150
1.25
900
360
180
1.29
千赫
千赫
千赫
V
COMP = 0
1.5 V, V
FFB
， 20 mV过
V
FB
= V
FFB
= 0 V ;增加COMP直到GATE （H ）开始转换
占空比= 90 ％
V
FFB
= 0 V
（注4 ）
0.425
40
100
0.475
70
0.1
200
0.525
100
1.0
1.1
200
ns
V
mV
mA
V
ns
COMP = 1.0 V
0 V <为+ < V
CC
， 0 V < IS- < V
CC
0 V <为+ < V
CC
0 V < IS- < V
CC
54
1.0
1.0
0.20
2.0
60
0.1
0.1
0.25
5.0
66
1.0
1.0
0.30
8.0
mV
mA
mA
V
mA
门（L）
GATE （H ） 0.5 nF的<
门（H）的
= C
门（L）的
< 10 nF的
GATE （ L）或门（H ） 0.5 nF的<
门（H）的
; C
门（L）的
< 10 nF的
V
C
= BST = 10 V ，测量：
1.0 V < GATE （ L） < 9.0 V， 1.0 V < GATE （H ） < 9.0 V
V
C
= BST = 10 V ，测量：
1.0 V < GATE （ L） < 9.0 V， 1.0 V < GATE （H ） < 9.0 V
GATE （H ） < 2.0 V， GATE （ L） > 2.0 V
GATE （ L） < 2.0 V， GATE （H ） > 2.0 V
耐PGND
V
C
0.5
BST
0.5
40
40
20
40
40
70
70
50
0.5
80
80
110
110
115
V
V
ns
ns
ns
ns
KW
V
FB
= 0.8 V
V
FB
= 1.2 V
C = 0.1
mF
0.1
V < < SGND 0.1 V， COMP = V
FB
，测量V
FB
到SGND
V
FB
= 0 V
V
FB
= 0.8 V
V
FB
= 1.2 V
15
15
0.977
2.5
0.1
30
30
98
50
70
32
2.5
0.992
3.0
0.1
1.0
60
60
1.007
0.2
mA
mA
mA
dB
千赫
dB
mmho
MW
V
V
V
测试条件
电气特性
（ -40°C <牛逼
A
< 85°C ;
40°C
＆ LT ;吨
J
< 125°C ; 4.5 V < V
CC
, V
C
< 14 V ; 7.0 V < BST < 20 V ;
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
CS5211
C
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的;
OSC
= 51 K表;
COMP
= 0.1
MF，
除非另有说明。 ） （注3）
特征
通用电气规格
V
CC
电源电流
BST / V
C
电源电流
启动阈值
停止阈值
迟滞
意识地电流
COMP = 0 V （无转换）
COMP = 0 V （无转换）
GATE （H ）开关， COMP充电
GATE （H ）不交换， COMP不充电
起止
（注4 ）
3.90
3.75
100
5.0
2.0
4.05
3.90
150
0.15
8.0
3.0
4.20
4.05
200
1.00
mA
mA
V
V
mV
mA
测试条件
电气特性
（ -40°C <牛逼
A
< 85°C ;
40°C
＆ LT ;吨
J
< 125°C ; 4.5 V < V
CC
, V
C
< 14 V ; 7.0 V < BST < 20 V ;
民
典型值
最大
单位
3.通过设计保证。在生产中测试。
三地之间4.推荐的最大工作电压为200毫伏。
0.5 V
+
V
FFB
Σ
+
PWM比较器
复位优先
R
Q
BST
门（H）的
COMP
V
FB
+
艺术斜坡
误差放大器
1.0 V
100％的直流
比较
SGND
0.8 V
V
开始
V
CC
是+
是“
LGND
+
UVLO
比较
60毫伏
+
OC
比较
0.25 V
5.0
mA
OSC
R
OSC
S
Q
V
C
门（L）的
保护地
R
OSC
PWM FF
故障
+
+
+
UVLO
设置主导
S
Q
故障
+
R
Q
COMP COMP放电
图2.框图
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
