CS5165H
CS5165H
快速，精确的5位同步降压控制器
为下一代低电压奔腾
II处理器
描述
该CS5165H同步5位NFET
降压控制器优化管理
下一代的功率
奔腾
II处理器。这是V
2
- 控制
架构提供最快的瞬态
回应（ 100纳秒） ，以及最佳的整体电压
在行业调控至今。这是为特色的
TURE丰富的设计为最终用户提供了马克西 -
妈妈的灵活性，以实现最佳的
其最终的价格/性能的解决方案
产品。
该CS5165H一直精心打造
最大限度地提高性能和保护
操作过程中的处理器。它拥有一个5位
DAC在船上保存一
±1%
公差
温度过高。其在船上亲
可编程软启动确保控制
启动，并且FET非重叠circuit-
RY确保两个FET不进行
同时。
板载振荡器可以亲
编程高达1MHz给设计 -
在选择克斯特器最大的灵活性
最终的组件和系统设置
成本。
该CS5165H保护处理器能很好地协同
像荷兰国际集团可能带来的灾难性事件
过压保护（ OVP） ，短路。该
OVP功能是V的一部分
2
architec-
自命不要求任何额外
组件。短路时，在
控制器脉冲MOSFET管在一个“打嗝
杯“模式（ 3 ％的占空比） ，直到故障
被除去。利用这种方法，在
的MOSFET不会过热或自
自毁。
该CS5165H设计用于在两种使用
单处理器的台式机和multipro-
处理器工作站和服务器应用
系统蒸发散。该IC可从任一供电
单或双5V ， 12V的电源。
该CS5165H的电流共享功能
使设计人员能够构建多个杆
等位基因和冗余的电源解决方案
多处理器系统。
该CS5165H包含其他控制和
保护功能，如电源正常，
启用和自适应电压位置 -
ING 。它是在一个16引脚SOIC封装提供全
体封装。
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
V
2
控制拓扑
双N通道设计
100ns的瞬态控制器
响应
1MHz的操作过剩
5位DAC，具有1 ％的容差
电源良好输出
内部延迟
使能输入提供
微功率停机模式
完整的奔腾
II系统
需要18个元件
5V和12V操作使用
无论是双核或单电源供电
自适应电压定位
遥感能力
电流共享功能
V
CC
MONITOR
打嗝模式短路
保护
过电压保护（ OVP ）
可编程软启动
为150ns PWM消隐
65ns的FET非重叠
40ns的门上升和下降时间
（为3.3nF负载）
应用框图
5V到2.8V @ 14.2A为300MHz的奔腾
II
12V
1F
5V
1200μF / 10V ×3
SS
V
CC
门（H）的
门（L）的
IRL3103
PCB
1.2H
跟踪6MΩ
1200F
10V ×5
IRL3103
V
CC
V
SS
0.1F
0.1
F
330pF
COMP
封装选项
16引脚SO宽
奔腾II
系统
C
关闭
V
ID4
CS5165H
保护地
LGND
V
ID3
V
ID2
V
ID1
V
ID0
PWRGD
启用
V
ID0
3.3K
V
FB
PWRGD
启用
V
ID1
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
SS
1
V
FB
COMP
LGND
PWRGD
门（L）的
保护地
门（H）的
V
CC
1000pF
V
ID2
V
ID3
V
ID4
V
ID4
C
关闭
启用
V
2
是开关电源的商标。
Pentium是Intel Corporation的注册商标。
樱桃半导体公司
2000县南径，东格林威治， RI 02818
联系电话： (401)885-3600传真： (401)885-5786
电子邮件： info@cherry-semi.com
网站： www.cherry-semi.com
牧师98年12月24日
1
A
公司
CS5165H
绝对最大额定值
工作结温，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 150℃下
焊接温度焊接：
回流焊（ SMD风格只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.60秒以内。上述183 ° C， 230 ° C峰值
存储温度范围，T
S
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
65°C
至150℃
ESD敏感性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2kV的
引脚符号
引脚名称
V
最大
20V
6V
6V
6V
6V
6V
20V
20V
6V
6V
0V
0V
V
民
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
0V
0V
I
来源
不适用
200A
10mA
10A
1mA
1mA
1.5A峰值;
200毫安DC
1.5A峰值;
200毫安DC
100A
10A
1.5A峰值
200毫安DC
100mA
I
SINK
1.5A峰值
200毫安DC
10A
1mA
10A
50mA
10A
1.5A峰值;
200毫安DC
1.5A峰值;
200毫安DC
1mA
30mA
不适用
不适用
V
CC
SS
COMP
V
FB
C
关闭
V
ID0-4
门（H）的
门（L）的
启用
PWRGD
保护地
LGND
IC电源输入
软启动电容
补偿电容
电压反馈输入。
关断时间电容
电压ID DAC输入
高侧FET驱动器
低边FET驱动器
使能输入
电源就绪输出
电源地
逻辑地
封装引脚说明
封装引脚＃
引脚符号
功能
1,2,3,4,6
V
ID0
-V
ID4
电压ID DAC输入。这些引脚内部上拉至5V ，如果不开放。
V
ID4
选择DAC范围。当V
ID4
高（逻辑1 ） ，误差放大器REF-
erence范围为2.14V至3.54V ，具有100mV的增量。当V
ID4
低（逻辑
零） ，误差放大器的参考电压为1.34V至2.09V以50mV的增量。
软启动引脚。从这个引脚LGND电容设定软启动和故障
时序。
关断时间的电容引脚。从这个引脚LGND电容同时设置去甲
发作并延长关闭时间。
输出使能输入。该引脚在内部上拉至1.8V 。逻辑低电平
（ < 0.8V ），该引脚上禁用操作，并将CS5165H到低
电流休眠模式。
输入电源引脚。
高边开关FET驱动器引脚。
高电流接地的栅极（H）和门（L）的引脚。
低侧同步FET驱动器引脚。
电源良好输出。集电极开路输出驱动器的低时， V
FB
是选自
调节。主动当使能输入为低电平
参考地。所有的控制电路都参考该引脚。
误差放大器的输出。 PWM比较器的参考输入。电容器来LGND
提供误差放大器补偿。
误差放大器， PWM比较器，以及低V
FB
比较器的反馈输入。
5
7
8
SS
C
关闭
启用
9
10
11
12
13
14
15
16
V
CC
门（H）的
保护地
门（L）的
PWRGD
LGND
COMP
V
FB
2
电气特性：0°C <牛逼
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125℃ ; 8V < V
CC
< 20V ; 2.8V DAC码（V
ID4
=V
ID2
=V
ID1
=V
ID0
=1, V
ID3
= 0),
C
门（H）的
= C
门（L）的
=为3.3nF ，C
关闭
= 330pF的，C
SS
= 0.1μF ;除非另有说明。
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
CS5165H
s
V
CC
电源电流
操作
睡眠模式
s
V
CC
MONITOR
启动阈值
停止阈值
迟滞
s
误差放大器器
V
FB
偏置电流
COMP源电流
COMP钳位电压
COMP钳位电流
COMP灌电流
开环增益
单位增益带宽
PSRR @ 1kHz时
s
门（H）和门（L）的
高压电流100mA
低压电流100mA
上升时间
下降时间
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
栅极下拉
s
故障保护
SS充电时间
SS脉冲周期
SS占空比
SS COMP钳位电压
V
FB
比较低
1V < V
FB
＆ LT ; V
DAC
（最大导通时间）
到GATE （H）和GATE无负载（L）的
ENABLE = 0V ， 8V< V
CC
<14V
12
300
20
600
mA
A
GATE （H ）开关
GATE （H ）不切换
启动 - 停止
3.75
3.65
3.95
3.87
80
4.15
4.05
V
V
mV
V
FB
= 0V
COMP = 1.2V至3.6V ; V
FB
= 2.7V
V
FB
= 2.7V ，调整COMP电压
补偿电流= 50μA
COMP = 0V
V
COMP
=1.2V; V
FB
= 3V; V
SS
＆ GT ; 2.5V
注1
注1
注1
15
0.85
0.4
180
50
0.5
60
0.1
30
1.0
1.0
400
60
2
85
1.0
60
1.15
1.6
800
A
A
V
mA
A
dB
兆赫
dB
测量V
CC
-GATE
测量门
1.6V < GATE < （V
CC
- 2.5V),
8V < V
CC
< 14V
(V
CC
- 2.5V ） > GATE > 1.6V ，
8V < V
CC
< 14V
门（H）， < 2V时，GATE （L） > 2V ，
8V < V
CC
< 14V
门（L） < 2V时，GATE （H）， > 2V ，
8V < V
CC
< 14V
抗地线（注1 ）
30
30
20
1.2
1.0
40
40
65
65
50
2.0
1.5
80
80
100
100
115
V
V
ns
ns
ns
ns
k
V
FB
= 0V
V
FB
= 0V
（充电时间/周期）
×
100
V
FB
= 2.7V, V
SS
= 0V
加V
FB
直到没有SS
脉冲和正常的关断时间。
1.6
25
1.0
0.50
0.9
3.3
100
3.3
0.95
1.0
5.0
200
6.0
1.10
1.1
ms
ms
%
V
V
s
PWM比较器
瞬态响应
V
FB
= 1.2 5V的500ns后
门（H）（后消隐时间）到
门（ H）= （Ⅴ
CC
- 1V ）为1V ，
8V < V
CC
< 14V
3
100
150
ns
CS5165H
5位同步CPU
降压控制器
该CS5165H同步5位NFET降压控制器进行了优化
管理下一代奔腾II处理器的能力。这是
V
2
控制架构提供最快的瞬态响应（ 100纳秒） ，
在工业和最佳的整体电压调节今天。它的功能丰富
设计为最终用户实现最佳的最大灵活性
价格/性能解决方案，为他们的终端产品。
该CS5165H经过精心策划，以最大限度地提高性能
和操作过程中保护处理器。它拥有一个5位DAC
板，持有
±1.0%
耐受性随温度。其在船上
可编程软启动确保控制启动和FET
非重叠电路确保两个FET不会同时导通。
板载振荡器可通过编程达到1.0 MHz的给
在选择外部元件的设计最大的灵活性
并设置系统的成本。
在潜在的灾难性的CS5165H保护处理器
喜欢过电压（ OVP ） ，短路事件。过压保护功能是
在第五部分
2
体系结构，并且不需要任何附加的
组件。短路时，控制器脉冲的MOSFET的
在一个“打嗝”方式（3.0 ％的占空比），直到故障被排除。同
这种方法，与MOSFET不会过热或自我毁灭。
该CS5165H设计用于在单处理器桌面使用
和多处理器的工作站和服务器的应用程序。该IC可
动力从单个或双5.0 V ， 12 V电源。该
CS5165H的电流共享功能允许设计人员构建多
并行和冗余的电源解决方案的多处理器系统。
该CS5165H包含其他的控制和保护功能，如
电源良好指示，启动和自适应电压定位。这是
采用16引脚SOIC宽体封装。
特点
V
2
控制拓扑
100 ns的控制器瞬态响应
1.0 MHz工作过剩
5位DAC， 1.0 ％容差
电源良好输出，内置延时
使能输入提供微功率停机模式
5.0 V & 12 V操作使用单通道或双耗材
自适应电压定位
遥感能力
电流共享功能
V
CC
MONITOR
打嗝模式短路保护
过电压保护（ OVP ）
可编程软启动
150纳秒的PWM消隐
65 ns的FET非重叠时间
40 ns的门上升和下降时间（ 3.3 nF的负载）
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
http://onsemi.com
记号
图
16
1
SO16L
DW后缀
CASE 751G
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
16
CS5165H
AWLYYWW
引脚连接
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
SS
V
ID4
C
关闭
启用
1
16
V
FB
COMP
LGND
PWRGD
门（L）的
保护地
门（H）的
V
CC
订购信息
设备
CS5165HGDW16
CS5165HGDWR16
包
SO16L
SO16L
航运
46单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
2006年7月
启5
1
出版订单号：
CS5165H/D
CS5165H
12 V
1.0
μF
5.0 V
1200
μF/10
V
×
3
IRL3103
0.1
μF
SS
COMP
C
关闭
V
ID4
V
ID3
V
ID2
V
ID1
V
ID0
V
CC
门（H）的
门（L）的
保护地
LGND
V
FB
3.3 k
1000 pF的
PWRGD
启用
IRL3103
1.2
μH
PCB走线
6.0 mΩ
V
CC
1200
μF/10
V
×
5
V
SS
PWRGD
启用
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
奔腾II
系统
0.1
μF
330 pF的
CS5165H
图1.应用框图， 5.0 V至2.8 V @ 14.2 300 MHz奔腾II
最大额定值*
等级
工作结温，T
J
焊接温度焊接：
存储温度范围，T
S
ESD敏感性（人体模型）
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
0至150
230峰
65
+150
2.0
单位
°C
°C
°C
kV
http://onsemi.com
2
CS5165H
最大额定值
引脚名称
IC电源输入
软启动电容
补偿电容
电压反馈输入。
关断时间电容
电压ID DAC输入
高侧FET驱动器
低边FET驱动器
使能输入
电源良好输出
电源地
逻辑地
引脚符号
V
CC
SS
COMP
V
FB
C
关闭
V
ID0
V
ID4
门（H）的
门（L）的
启用
PWRGD
保护地
LGND
V
最大
20 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
20 V
20 V
6.0 V
6.0 V
0V
0V
V
民
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0V
0V
I
来源
不适用
200
μA
10毫安
10
μA
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
100
μA
10
μA
1.5 A峰值， 200毫安DC
百毫安
I
SINK
1.5 A峰值， 200毫安DC
10
μA
1.0毫安
10
μA
50毫安
10
μA
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.5 A峰值， 200毫安DC
1.0毫安
30毫安
不适用
不适用
电气特性
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼
J
＆ LT ; + 125°C ; 8.0 V＆ LT ; V
CC
< 20 V ; 2.8 DAC的代码：
(V
ID4
= V
ID2
= V
ID1
= V
ID0
= 1; V
ID3
= 0)
;
C
门（H）的
和C
门（L）的
= 3.3 nF的;
关闭
= 330 pF的;
SS
= 0.1
μF,
除非另有规定）。
特征
V
CC
电源电流
操作
V
CC
MONITOR
启动阈值
停止阈值
迟滞
误差放大器器
V
FB
偏置电流
COMP源电流
COMP钳位电压
COMP钳位电流
COMP灌电流
开环增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
V
FB
= 0 V
COMP = 1.2 V至3.6 V ; V
FB
= 2.7 V
V
FB
= 2.7 V ，调整COMP电压比较
电流= 50
μA
COMP = 0 V
V
COMP
= 1.2 V; V
FB
= 3.0 V; V
SS
＆ GT ; 2.5 V
注2
注2
注2
15
0.85
0.4
180
50
0.5
60
0.1
30
1.0
1.0
400
60
2.0
85
1.0
60
1.15
1.6
800
μA
μA
V
mA
μA
dB
兆赫
dB
GATE （H ）开关
GATE （H ）不切换
起止
3.75
3.65
3.95
3.87
80
4.15
4.05
V
V
mV
1.0 V < V
FB
＆ LT ; V
DAC
（最大导通时间）
到GATE （H）和GATE无负载（L）的
12
20
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
2.通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
http://onsemi.com
3
CS5165H
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼
J
＆ LT ; + 125°C ; 8.0 V＆ LT ; V
CC
< 20 V ; 2.8 DAC的代码：
(V
ID4
= V
ID2
= V
ID1
= V
ID0
= 1; V
ID3
= 0)
;
C
门（H）的
和C
门（L）的
= 3.3 nF的;
关闭
= 330 pF的;
SS
= 0.1
μF,
除非另有规定）。
特征
门（H）和门（L）的
高压电流为100 mA
低压电流为100 mA
上升时间
下降时间
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
栅极下拉
故障保护
SS充电时间
SS脉冲周期
SS占空比
SS COMP钳位电压
V
FB
比较低
PWM比较器
瞬态响应
V
FB
= 1.2 5.0 V 500 ns在GATE （H ）
到GATE （H ） = （V （消隐时间后）
CC
1.0
V)
1.0 V， 8.0 V < V
CC
< 14 V
传动V
FB 。
1.2 5.0 V时GATE （H ）上升沿
（大于V
CC
1.0 V） ，测量门（H ）脉冲
宽， 8.0 V < V
CC
< 14 V
100
150
ns
V
FB
= 0 V
V
FB
= 0 V
（充电时间/周期）
×
100
V
FB
= 2.7 V; V
SS
= 0 V
加V
FB
直到没有SS脉冲和正常的关断时间
1.6
25
1.0
0.50
0.9
3.3
100
3.3
0.95
1.0
5.0
200
6.0
1.10
1.1
ms
ms
%
V
V
测量V
CC
门
测量门
1.6 V < GATE < （V
CC
2.5 V ） ， 8 V < V
CC
< 14 V
(V
CC
2.5 V ） > GATE > 1.6 V， 8 V < V
CC
< 14 V
门（H）， < 2.0伏;门（L） > 2.0伏，
8.0 V < V
CC
< 14 V
门（L） < 2.0伏; GATE （H ） > 2.0 V，
8.0 V < V
CC
< 14 V
电阻保护地，注3
30
30
20
1.2
1.0
40
40
65
65
50
2.0
1.5
80
80
100
100
115
V
V
ns
ns
ns
ns
kΩ
测试条件
民
典型值
最大
单位
最小脉冲宽度
（消隐时间）
C
关闭
正常的关断时间
延长关断时间
超时定时器
超时时间
故障占空比
使能输入
启用阈值
关断延迟（注3）
上拉电流
上拉电压
输入阻抗
电源良好输出
从低到高延迟
高至低延时
输出低电压
灌电流限制
50
150
250
ns
V
FB
= 2.7 V
V
SS
= V
FB
= 0 V
1.0
5.0
1.6
8.0
2.3
12.0
μs
μs
V
FB
= 2.7 V ，测量门（H ）脉冲宽度
V
FB
= 0V
10
30
30
50
50
70
μs
%
GATE （H ）开关
ENABLE到GATE （H ） < 2.0 V
ENABLE = 0 V
在ENABLE引脚无负载
ENABLE = 5.0 V ， R = （ 5.0 V
V
上拉
)/I
启用
0.8
3.0
1.30
10
1.15
3.0
7.0
1.8
20
1.30
15
3.0
50
V
μs
μA
V
kΩ
V
FB
= (0.8
×
V
DAC
）到V
DAC
V
FB
= V
DAC至
(0.8
×
V
DAC
)
V
FB
= 2.4 V，I
PWRGD
= 500
μA
V
FB
= 2.4 V ， PWRGD = 1.0 V
30
30
0.5
65
75
0.2
4.0
110
120
0.3
15.0
μs
μs
V
mA
3.由设计保证，而不是100 ％生产测试。
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4
CS5165H
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼
J
＆ LT ; + 125°C ; 8.0 V＆ LT ; V
CC
< 20 V ; 2.8 DAC的代码：
(V
ID4
= V
ID2
= V
ID1
= V
ID0
= 1; V
ID3
= 0)
;
C
门（H）的
和C
门（L）的
= 3.3 nF的;
关闭
= 330 pF的;
SS
= 0.1
μF,
除非另有规定）。
特征
电压识别DAC
精度（除了11111的所有代码）
V
ID4
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
V
ID3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
ID2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
V
ID1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
V
ID0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
3.505
3.406
3.307
3.208
3.109
3.010
2.911
2.812
2.713
2.614
2.515
2.416
2.317
2.218
2.119
2.069
2.020
1.970
1.921
1.871
1.822
1.772
1.723
1.673
1.624
1.574
1.525
1.475
1.426
1.376
1.327
1.223
1.000
25
4.85
3.540
3.440
3.340
3.240
3.140
3.040
2.940
2.840
2.740
2.640
2.540
2.440
2.340
2.240
2.140
2.090
2.040
1.990
1.940
1.890
1.840
1.790
1.740
1.690
1.640
1.590
1.540
1.490
1.440
1.390
1.340
1.247
1.250
50
5.00
3.575
3.474
3.373
3.272
3.171
3.070
2.969
2.868
2.767
2.666
2.565
2.464
2.363
2.262
2.161
2.111
2.060
2.010
1.959
1.909
1.858
1.808
1.757
1.707
1.656
1.606
1.555
1.505
1.455
1.405
1.353
1.273
2.400
100
5.15
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
kΩ
V
测量V
FB
= COMP （C
关闭
= 0 V)
25°C
≤
T
J
≤
125°C ; V
CC
= 12 V
1.0
+1.0
%
测试条件
民
典型值
最大
单位
输入阈值
输入上拉电阻
输入上拉电压
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