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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第997页 > CS5160GD16
CS5160
CPU 5位同步
降压控制器
该CS5160是一个5位的同步双N通道降压
控制器的设计提供了前所未有的瞬态响应
当今要求苛刻的高密度,高速逻辑。它的工作使用
专有的控制方法,它允许一个100ns的响应时间来
负载瞬变。该CS5160被设计为工作在9-16 V
范围(V
CC
),使用12伏供电的集成电路和5.0 V作为主供应
进行转换。
的CS5160是专门设计来提供动力Pentium三
处理器和其它高性能的核心逻辑。它们包括
特点如下:船上5位DAC ,短路保护, 1.0 %
输出容限,V
CC
监视器和可编程软启动
能力。该CS5160可在一个16引脚表面贴装封装。
特点
双N沟道设计
1.0 MHz工作过剩
100 ns的瞬态响应
5位DAC
向下兼容CS515X系列
30纳秒门上升/下降时间
为01111 DAC码0.8 %精度的DAC
5.0 V & 12 V操作
遥感
可编程软启动
无损短路保护
V
CC
MONITOR
V
2
控制拓扑
过压保护
http://onsemi.com
记号
图表
CS5160
AWLYWW
1
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
引脚连接
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
SS
V
ID4
C
关闭
V
FFB
1
V
FB
COMP
LGND
V
CC1
V
门(L)的
保护地
V
门(H)的
V
CC2
订购信息
设备
CS5160GD16
CS5160GDR16
SO16
SO16
航运
48单位/铁
2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年7月
启示录6
1
出版订单号:
CS5160/D
CS5160
5V
12 V
1.0
μH
0.1
μF
1200
μF/10
V
×
6.0
三洋GX
Siliconix公司
SUD50NO310P
1.8
μH
V
OUT
V
CC1
V
CC2
V
门(H)的
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
C
关闭
V
门(L)的
MBRS140T3
保护地
Siliconix公司
SUD50NO307
CS5160
680 pF的
SS
0.1
μF
COMP
LGND
0.33
μF
1.3 k
V
FB
1200
μF/10
V
×
8.0
三洋GX
V
FFB
图1.应用框图, 5.0 V至1.5 V / 15 A的核心逻辑转换器,具有12 V BIAS
最大额定值*
等级
工作结温,T
J
焊接温度焊接:
存储温度范围,T
S
ESD敏感性(人体模型)
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊: (只SMD样式) (注1 )
价值
0至150
230峰
65
+150
2.0
单位
°C
°C
°C
kV
最大额定值
引脚名称
V
CC1
V
CC2
SS
COMP
最大工作电压
16 V/0.3 V
18 V/0.3 V
6.0 V/0.3 V
6.0 V/0.3 V
MAX CURRENT
百毫安DC / 1.5 A峰值
百毫安DC / 1.5 A峰值
100
μA
200
μA
http://onsemi.com
2
CS5160
最大额定值(续)
引脚名称
V
FB
C
关闭
V
FFB
V
ID0
V
ID4
V
门(H)的
V
门(L)的
LGND
保护地
最大工作电压
6.0 V/0.3 V
6.0 V/0.3 V
6.0 V/0.3 V
6.0 V/0.3 V
18 V/0.3 V
16 V/0.3 V
0V
0V
MAX CURRENT
0.2
μA
0.2
μA
0.2
μA
50
μA
百毫安DC / 1.5 A峰值
百毫安DC / 1.5 A峰值
25毫安
百毫安DC / 1.5 A峰值
电气特性
( 0 ° C& LT ;吨
A
& LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼
J
< + 85°C ; 9.5 V < V
CC1
< 14 V ; 5.0 V < V
CC2
< 16 V ; DAC
代码: V
ID4
= V
ID2
= V
ID1
= V
ID0
=1; V
ID3
=
0;
CV
门(L)的
和CV
门(H)的
= 1.0 nF的;
关闭
= 330 pF的;
SS
= 0.1
μF,
除非另有规定)。
特征
误差放大器器
V
FB
偏置电流
开环增益
单位增益带宽
COMP灌电流
COMP源电流
COMP钳位电流
COMP高压
COMP低压
PSRR
V
CC1
MONITOR
启动阈值
停止阈值
迟滞
软启动( SS )
充电时间
脉冲周期
占空比
COMP钳位电压
V
FFB
SS故障停用
高门槛
2.通过设计保证,而不是100 %生产测试。
(充电时间/脉冲周期)
×
100
V
FB
= 0 V; V
SS
= 0
V
门(H)的
=低; V
门(L)的
= LOW
1.6
25
1.0
0.50
0.9
3.3
100
3.3
0.95
1.0
2.5
5.0
200
6.0
1.10
1.1
3.0
ms
ms
%
V
V
V
输出开关
输出不切换
起止
8.60
8.45
8.95
8.80
150
9.30
9.15
V
V
mV
V
FB
= 0 V
1.25 V < V
COMP
, 4.0 V ;
COMP
= 0.1
μF;
注2
C
COMP
= 0.1
μF;
注2
V
COMP
= 1.5 V; V
FB
= 3.0 V; V
SS
> 2.0 V
V
COMP
= 1.2 V; V
FB
= 2.7 V; V
SS
= 5.0 V
V
COMP
= 0 V; V
FB
= 2.7 V
V
FB
= 2.7 V; V
SS
= 5.0 V
V
FB
= 3.0 V
8.0 V < V
CC1
< 14 V @ 1.0千赫;
C
COMP
= 0.1
μF;
注2
30
15
0.4
4.0
0.3
80
50
60
30
1.0
4.3
1.00
70
33
1.0
120
60
1.6
5.0
1.15
μA
dB
千赫
μA
μA
mA
V
V
dB
mmho
测试条件
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
CS5160
电气特性(续)
( 0 ° C& LT ;吨
A
& LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼
J
< + 85°C ; 9.5 V < V
CC1
< 14 V ; 5.0 V < V
CC2
< 16 V ; DAC
代码: V
ID4
= V
ID2
= V
ID1
= V
ID0
=1; V
ID3
=
0;
CV
门(L)的
和CV
门(H)的
= 1.0 nF的;
关闭
= 330 pF的;
SS
= 0.1
μF,
除非另有规定)。
特征
PWM比较器
瞬态响应
V
FFB
偏置电流
DAC
输入阈值
输入上拉电阻
拉电压
精度(除了11111的所有代码,
10110, 10101, 10100, 10011,
10010 , 10001 , 10000 , 01111和)
V
ID4
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
ID3
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
V
ID2
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
V
ID1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
V
ID0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1.2896
1.3365
1.3860
1.4355
1.4850
1.5345
1.5840
1.6335
1.6830
1.7325
1.7820
1.8315
1.8810
1.9305
1.9800
2.0295
1.2191
2.0790
2.1780
2.2770
2.3760
2.4750
2.5740
2.6730
2.7720
2.8420
2.9400
3.0380
1.3000
1.3500
1.4000
1.4500
1.5000
1.5500
1.6000
1.6500
1.7000
1.7500
1.8000
1.8500
1.9000
1.9500
2.0000
2.0500
1.2440
2.1000
2.2000
2.3000
2.4000
2.5000
2.6000
2.7000
2.8000
2.9000
3.0000
3.1000
1.3104
1.3635
1.4140
1.4645
1.5150
1.5655
1.6160
1.6665
1.7170
1.7675
1.8180
1.8685
1.9190
1.9695
2.0200
2.0705
1.2689
2.1210
2.2220
2.3230
2.4240
2.5250
2.6260
2.7270
2.8280
2.9580
3.0600
3.1620
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
ID0,
V
ID1
, V
ID2
, V
ID3
, V
ID4
V
ID0,
V
ID1
, V
ID2
, V
ID3
, V
ID4
测量V
FB
= COMP ,
CS5160 : 25℃
T
J
85°C
1.00
25
4.85
1.25
50
5.00
2.40
110
5.15
1.0
V
V
%
V
FFB
= 0 5.0 V到V
门(H)的
= 9.0 V至1.0 V ;
V
CC1
= V
CC2
= 12 V
V
FFB
= 0 V
100
0.3
125
ns
μA
测试条件
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
CS5160
电气特性(续)
( 0 ° C& LT ;吨
A
& LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼
J
< + 85°C ; 9.5 V < V
CC1
< 14 V ; 5.0 V < V
CC2
< 16 V ; DAC
代码: V
ID4
= V
ID2
= V
ID1
= V
ID0
=1; V
ID3
=
0;
CV
门(L)的
和CV
门(H)的
= 1.0 nF的;
关闭
= 330 pF的;
SS
= 0.1
μF,
除非另有规定)。
特征
DAC
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
3.1360
3.2340
3.3320
3.4300
3.2000
3.3000
3.4000
3.5000
3.2640
3.3660
3.4680
3.5700
V
V
V
V
测试条件
典型值
最大
单位
V
门(H)的
和V
门(L)的
输出源坐在100毫安
出水槽坐在100毫安
输出上升时间
OUT下降时间
延迟V
门(H)的
到V
门(L)的
延迟V
门(L)的
到V
门(H)的
V
门(H)
V
门(L)的
阻力
V
门(H)
V
门(L)的
肖特基
电源电流
I
CC1
无开关
I
CC2
无开关
我的操作
CC1
我的操作
CC2
C
关闭
正常充电时间
放电电流
超时定时器
超时时间
故障模式占空比
V
FB
= V
COMP
; V
FFB
= 2.0 V;
记录V
门(H)的
高脉冲持续时间
V
FFB
= 0V
10
35
30
50
65
70
μs
%
V
FFB
= 1.5 V; V
SS
= 5.0 V
C
关闭
至5.0 V ; V
FB
> 1.0 V
1.0
5.0
1.6
2.2
μs
mA
V
FB
COMP = = V
FFB
V
FB
COMP = = V
FFB
9.5
2.0
9.0
2.5
14.5
3.5
14
5.5
mA
mA
mA
mA
测量V
CC1
V
门(L)的
; V
CC2
V
门(H)的
测量V
门(H)的
V
保护地
; V
门(L)的
V
保护地
1.0 V < V
门(H)的
< 9.0 V ; 1.0 V < V
门(L)的
< 9.0 V ; V
CC1
= V
CC2
= 12 V
9.0 V < V
门(H)的
> 1.0 V ; 9.0 V > V
门(L)的
> 1.0 V ; V
CC1
= V
CC2
= 12 V
V
门(H)的
下降到1.0 V
;
V
CC1
= V
CC2
= 8.0 V
CV
门(H)的
= 3.3 nF的; V
门(L)的
上升到1.0 V
V
门(L)的
下降到1.0 V ; V
CC1
= V
CC2
= 8.0 V
CV
门(H)的
= 3.3 nF的; V
门(H)的
上升到1.0 V
电阻LGND 。注3
LGND到V
门(H)的
@ 10毫安;
LGND到V
门(L)的
@ 10毫安
45
45
20
1.2
1.0
30
30
70
70
50
600
2.0
1.5
50
50
95
95
100
800
V
V
ns
ns
ns
ns
mV
3.由设计保证,而不是100 %生产测试。
http://onsemi.com
5
CS5160
CPU 5位同步
降压控制器
该CS5160是一个5位的同步双N通道降压
控制器的设计提供了前所未有的瞬态响应
当今要求苛刻的高密度,高速逻辑。它的工作使用
专有的控制方法,它允许一个100ns的响应时间来
负载瞬变。该CS5160被设计为工作在9-16 V
范围(V
CC
),使用12伏供电的集成电路和5.0 V作为主供应
进行转换。
的CS5160是专门设计来提供动力Pentium三
处理器和其它高性能的核心逻辑。它们包括
特点如下:船上5位DAC ,短路保护, 1.0 %
输出容限,V
CC
监视器和可编程软启动
能力。该CS5160可在一个16引脚表面贴装封装。
特点
双N沟道设计
1.0 MHz工作过剩
100 ns的瞬态响应
5位DAC
向下兼容CS515X系列
30纳秒门上升/下降时间
为01111 DAC码0.8 %精度的DAC
5.0 V & 12 V操作
遥感
可编程软启动
无损短路保护
V
CC
MONITOR
V
2
控制拓扑
过压保护
http://onsemi.com
记号
图表
16
SOIC–16
后缀
CASE 751B
1
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
CS5160
AWLYWW
引脚连接
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
SS
V
ID4
C
关闭
V
FFB
1
V
FB
COMP
LGND
V
CC1
V
门(L)的
保护地
V
门(H)的
V
CC2
订购信息
设备
CS5160GD16
CS5160GDR16
SO–16
SO–16
航运
48单位/铁
2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年4月 - 修订版5
出版订单号:
CS5160/D
CS5160
5V
12 V
1.0
H
0.1
F
1200
F/10
V
×
6.0
三洋GX
Siliconix公司
SUD50NO3–10P
1.8
H
V
CC1
V
CC2
V
门(H)的
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
C
关闭
V
门(L)的
Siliconix公司
SUD50NO3–07
V
OUT
CS5160
MBRS140T3
保护地
680 pF的
SS
0.1
F
COMP
LGND
0.33
F
V
FB
1200
F/10
V
×
8.0
三洋GX
V
FFB
1.3 k
图1.应用框图, 5.0 V至1.5 V / 15 A的核心逻辑转换器,具有12 V BIAS
绝对最大额定值*
等级
工作结温,T
J
焊接温度焊接:
存储温度范围,T
S
ESD敏感性(人体模型)
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊: (只SMD样式) (注1 )
价值
0至150
230峰
-65到+150
2.0
单位
°C
°C
°C
kV
绝对最大额定值
引脚名称
V
CC1
V
CC2
SS
COMP
最大工作电压
16 V/–0.3 V
18 V/–0.3 V
6.0 V/–0.3 V
6.0 V/–0.3 V
MAX CURRENT
百毫安DC / 1.5 A峰值
百毫安DC / 1.5 A峰值
–100
A
200
A
http://onsemi.com
2
CS5160
绝对最大额定值(续)
引脚名称
V
FB
C
关闭
V
FFB
V
ID0
– V
ID4
V
门(H)的
V
门(L)的
LGND
保护地
最大工作电压
6.0 V/–0.3 V
6.0 V/–0.3 V
6.0 V/–0.3 V
6.0 V/–0.3 V
18 V/–0.3 V
16 V/–0.3 V
0V
0V
MAX CURRENT
–0.2
A
–0.2
A
–0.2
A
–50
A
百毫安DC / 1.5 A峰值
百毫安DC / 1.5 A峰值
25毫安
百毫安DC / 1.5 A峰值
电气特性
( 0 ° C& LT ;吨
A
& LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼
J
< + 85°C ; 9.5 V < V
CC1
< 14 V ; 5.0 V < V
CC2
< 16 V ; DAC
代码: V
ID4
= V
ID2
= V
ID1
= V
ID0
=1; V
ID3
=
0;
CV
门(L)的
和CV
门(H)的
= 1.0 nF的;
关闭
= 330 pF的;
SS
= 0.1
F,
除非另有规定)。
特征
误差放大器器
V
FB
偏置电流
开环增益
单位增益带宽
COMP灌电流
COMP源电流
COMP钳位电流
COMP高压
COMP低压
PSRR
V
CC1
MONITOR
启动阈值
停止阈值
迟滞
软启动( SS )
充电时间
脉冲周期
占空比
COMP钳位电压
V
FFB
SS故障停用
高门槛
2.通过设计保证,而不是100 %生产测试。
(充电时间/脉冲周期)
×
100
V
FB
= 0 V; V
SS
= 0
V
门(H)的
=低; V
门(L)的
= LOW
1.6
25
1.0
0.50
0.9
3.3
100
3.3
0.95
1.0
2.5
5.0
200
6.0
1.10
1.1
3.0
ms
ms
%
V
V
V
输出开关
输出不切换
起止
8.60
8.45
8.95
8.80
150
9.30
9.15
V
V
mV
V
FB
= 0 V
1.25 V < V
COMP
, 4.0 V ;
COMP
= 0.1
F;
注2 。
C
COMP
= 0.1
F;
注2 。
V
COMP
= 1.5 V; V
FB
= 3.0 V; V
SS
> 2.0 V
V
COMP
= 1.2 V; V
FB
= 2.7 V; V
SS
= 5.0 V
V
COMP
= 0 V; V
FB
= 2.7 V
V
FB
= 2.7 V; V
SS
= 5.0 V
V
FB
= 3.0 V
8.0 V < V
CC1
< 14 V @ 1.0千赫;
C
COMP
= 0.1
F;
注2 。
30
15
0.4
4.0
0.3
80
50
60
30
1.0
4.3
1.00
70
33
1.0
120
60
1.6
5.0
1.15
A
dB
千赫
A
A
mA
V
V
dB
mmho
测试条件
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
CS5160
电气特性(续)
( 0 ° C& LT ;吨
A
& LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼
J
< + 85°C ; 9.5 V < V
CC1
< 14 V ; 5.0 V < V
CC2
< 16 V ; DAC
代码: V
ID4
= V
ID2
= V
ID1
= V
ID0
=1; V
ID3
=
0;
CV
门(L)的
和CV
门(H)的
= 1.0 nF的;
关闭
= 330 pF的;
SS
= 0.1
F,
除非另有规定)。
特征
PWM比较器
瞬态响应
V
FFB
偏置电流
DAC
输入阈值
输入上拉电阻
拉电压
精度(除了11111的所有代码,
10110, 10101, 10100, 10011,
10010 , 10001 , 10000 , 01111和)
V
ID4
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
ID3
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
V
ID2
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
V
ID1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
V
ID0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1.2896
1.3365
1.3860
1.4355
1.4850
1.5345
1.5840
1.6335
1.6830
1.7325
1.7820
1.8315
1.8810
1.9305
1.9800
2.0295
1.2191
2.0790
2.1780
2.2770
2.3760
2.4750
2.5740
2.6730
2.7720
2.8420
2.9400
3.0380
1.3000
1.3500
1.4000
1.4500
1.5000
1.5500
1.6000
1.6500
1.7000
1.7500
1.8000
1.8500
1.9000
1.9500
2.0000
2.0500
1.2440
2.1000
2.2000
2.3000
2.4000
2.5000
2.6000
2.7000
2.8000
2.9000
3.0000
3.1000
1.3104
1.3635
1.4140
1.4645
1.5150
1.5655
1.6160
1.6665
1.7170
1.7675
1.8180
1.8685
1.9190
1.9695
2.0200
2.0705
1.2689
2.1210
2.2220
2.3230
2.4240
2.5250
2.6260
2.7270
2.8280
2.9580
3.0600
3.1620
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
ID0,
V
ID1
, V
ID2
, V
ID3
, V
ID4
V
ID0,
V
ID1
, V
ID2
, V
ID3
, V
ID4
测量V
FB
= COMP ,
CS5160 : 25℃
T
J
85°C
1.00
25
4.85
1.25
50
5.00
2.40
110
5.15
1.0
V
k
V
%
V
FFB
= 0 5.0 V到V
门(H)的
= 9.0 V至1.0 V ;
V
CC1
= V
CC2
= 12 V
V
FFB
= 0 V
100
0.3
125
ns
A
测试条件
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
CS5160
电气特性(续)
( 0 ° C& LT ;吨
A
& LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼
J
< + 85°C ; 9.5 V < V
CC1
< 14 V ; 5.0 V < V
CC2
< 16 V ; DAC
代码: V
ID4
= V
ID2
= V
ID1
= V
ID0
=1; V
ID3
=
0;
CV
门(L)的
和CV
门(H)的
= 1.0 nF的;
关闭
= 330 pF的;
SS
= 0.1
F,
除非另有规定)。
特征
DAC
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
3.1360
3.2340
3.3320
3.4300
3.2000
3.3000
3.4000
3.5000
3.2640
3.3660
3.4680
3.5700
V
V
V
V
测试条件
典型值
最大
单位
V
门(H)的
和V
门(L)的
输出源坐在100毫安
出水槽坐在100毫安
输出上升时间
OUT下降时间
延迟V
门(H)的
到V
门(L)的
延迟V
门(L)的
到V
门(H)的
V
门(H)
V
门(L)的
阻力
V
门(H)
V
门(L)的
肖特基
电源电流
I
CC1
无开关
I
CC2
无开关
我的操作
CC1
我的操作
CC2
C
关闭
正常充电时间
放电电流
超时定时器
超时时间
故障模式占空比
V
FB
= V
COMP
; V
FFB
= 2.0 V;
记录V
门(H)的
高脉冲持续时间
V
FFB
= 0V
10
35
30
50
65
70
s
%
V
FFB
= 1.5 V; V
SS
= 5.0 V
C
关闭
至5.0 V ; V
FB
> 1.0 V
1.0
5.0
1.6
2.2
s
mA
V
FB
COMP = = V
FFB
V
FB
COMP = = V
FFB
9.5
2.0
9.0
2.5
14.5
3.5
14
5.5
mA
mA
mA
mA
测量V
CC1
– V
门(L)的
; V
CC2
– V
门(H)的
测量V
门(H)的
– V
保护地
; V
门(L)的
– V
保护地
1.0 V < V
门(H)的
< 9.0 V ; 1.0 V < V
门(L)的
< 9.0 V ; V
CC1
= V
CC2
= 12 V
9.0 V < V
门(H)的
> 1.0 V ; 9.0 V > V
门(L)的
> 1.0 V ; V
CC1
= V
CC2
= 12 V
V
门(H)的
下降到1.0 V
;
V
CC1
= V
CC2
= 8.0 V
CV
门(H)的
= 3.3 nF的; V
门(L)的
上升到1.0 V
V
门(L)的
下降到1.0 V ; V
CC1
= V
CC2
= 8.0 V
CV
门(H)的
= 3.3 nF的; V
门(H)的
上升到1.0 V
电阻LGND 。注3 。
LGND到V
门(H)的
@ 10毫安;
LGND到V
门(L)的
@ 10毫安
45
45
20
1.2
1.0
30
30
70
70
50
600
2.0
1.5
50
50
95
95
100
800
V
V
ns
ns
ns
ns
k
mV
3.由设计保证,而不是100 %生产测试。
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