【CS5159CPU 5位同步降压控制器该CS5159是一个5位的同步双N通道降压控制器。它的目的是提】,IC型号CS5159,CS5159 PDF资料,CS5159经销商,ic,电子元器件-51电子网

CS5159

CPU 5位同步

降压控制器

该CS5159是一个5位的同步双N通道降压

控制器。它的目的是提供一个前所未有的瞬态响应

为当今要求苛刻的高密度，高速逻辑。该稳压器

操作使用专有的控制方法，它允许一个100纳秒

响应时间负载瞬变。的CS5159被设计来操作

在一个4.25-16 V范围（V

）采用12 V供电IC和5.0 V或

12V的主电源进行转换。

的CS5159是专门设计来提供动力奔腾II

处理器和其它高性能的核心逻辑。它包括

特点如下：在船上， 5位DAC ，短路保护，

1.0 ％的输出容差，V

监视器和可编程软启动

能力。该CS5159是16引脚表面贴装。

特点

双N沟道设计

1.0 MHz工作过剩

100 ns的瞬态响应

5位DAC

向下兼容可调CS5157

30纳秒门上升/下降时间

1.0 ％精度的DAC

5.0 V & 12 V操作

遥感

可编程软启动

无损短路保护

MONITOR

25纳秒FET非重叠时间

控制拓扑

电流共享

过压保护

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记号

图

CS5159

AWLYWW

SOIC16

后缀

CASE 751B

WL ，L

YY, Y

WW, W

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

引脚连接

ID0

ID1

ID2

ID3

ID4

关闭

FFB

COMP

LGND

CC1

门（L）的

保护地

门（H）的

CC2

订购信息

设备

CS5159GD16

CS5159GDR16

包

SO16

航运

48单位/铁

2500磁带&卷轴

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年7月

启5

出版订单号：

CS5159/D

CS5159

12 V

5.0 V

0.1

μF

CC1

ID0

ID1

ID2

ID3

ID4

330 pF的

ID0

ID1

ID2

ID3

ID4

关闭

COMP

LGND

门（L）的

IRL3103

CC2

IRL3103

2.0

μH

1200

μF/10

AIEI

门（H）的

1.3 V至3.5 V @ 13的

CS5159

保护地

0.1

μF

3.3 k

FFB

100 pF的

0.33

μF

1200

μF/10

AIEI

图1.应用图，开关电源的核心逻辑

奔腾

)

II处理器

绝对最大额定值*

等级

工作结温，T

焊接温度焊接：

存储温度范围，T

ESD敏感性（人体模型）

第二个最大以上183℃一60 。

*最大包装功耗必须遵守。

回流焊：（只SMD样式）（注1 ）

价值

0至150

230峰

+150

2.0

单位

°C

绝对最大额定值

引脚名称

CC1

CC2

COMP

关闭

FFB

ID0

ID4

门（H）的

门（L）的

LGND

保护地

最大工作电压

16 V/0.3 V

18 V/0.3 V

6.0 V/0.3 V

18 V/0.3 V

16 V/0.3 V

MAX CURRENT

25毫安DC / 1.5 A峰值

20毫安DC / 1.5 A峰值

100

μA

200

μA

0.2

μA

0.2

μA

0.2

μA

百毫安DC / 1.5 A峰值

25毫安

百毫安DC / 1.5 A峰值

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CS5159

电气特性

（ 0 ° C＆ LT ;吨

＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼

< + 85°C ; 8.0 V < V

CC1

< 14 V ; 5.0 V < V

CC2

< 18 V ; DAC

代码： V

ID4

= V

ID2

= V

ID1

= V

ID0

= 1; V

ID3

= 0

;

门（L）的

和CV

门（H）的

= 1.0 nF的;

关闭

= 330 pF的;

= 0.1

μF,

除非另有规定）。

特征

误差放大器器

偏置电流

开环增益

单位增益带宽

COMP灌电流

COMP源电流

COMP钳位电流

COMP高压

COMP低压

PSRR

CC1

MONITOR

启动阈值

停止阈值

迟滞

门（H）的

和V

门（L）的

输出源坐在100毫安

出水槽坐在100毫安

输出上升时间

OUT下降时间

延迟V

门（H）的

到V

门（L）的

延迟V

门（L）的

到V

门（H）的

, V

门（L）的

阻力

门（H）的

, V

门（L）的

肖特基

软启动（ SS ）

充电时间

脉冲周期

占空比

COMP钳位电压

FFB

SS故障停用

高门槛

PWM比较器

瞬态响应

FFB

偏置电流

FFB

= 0 5.0 V到V

门（H）的

= 9.0 V至1.0 V ;

CC1

= V

CC2

= 12 V

FFB

= 0 V

100

0.3

125

μA

（充电时间/脉冲周期）

100

= 0 V; V

= 0

门（H）的

=低; V

门（L）的

= LOW

1.6

1.0

0.50

0.9

3.3

100

3.3

0.95

1.0

2.5

5.0

200

6.0

1.10

1.1

3.0

测量V

CC1

门（L）的

; V

CC2

门（H）的

测量V

门（H）的

保护地

; V

门（L）的

保护地

1.0 V < V

门（H）的

< 9.0 V ; 1.0 V < V

门（L）的

< 9.0 V ;

CC1

= V

CC2

= 12 V

9.0 V > V

门（H）的

> 1.0 V ; 9.0 V > V

门（L）的

> 1.0 V ;

CC1

= V

CC2

= 12 V

门（H）的

下降到2.0 V ; V

CC1

= V

CC2

= 8.0 V;

门（L）的

上升至2.0V

门（L）的

下降到2.0 V ; V

CC1

= V

CC2

= 8.0 V;

门（H）的

上升至2.0V

电阻LGND ，注2

LGND到V

门（H）的

@ 10毫安

LGND到V

门（L）的

@ 10毫安

1.2

1.0

600

2.0

1.5

100

800

kΩ

输出开关

输出不切换

起止

3.75

3.70

3.90

3.85

4.05

4.00

= 0 V

1.25 V < V

COMP

< 4.0 V ;注2

注2

COMP

= 1.5 V; V

= 3.0 V; V

> 2.0 V

COMP

= 1.2 V; V

= 2.7 V; V

= 5.0 V

COMP

= 0 V; V

= 2.7 V

= 2.7 V; V

= 5.0 V

= 3.0 V

8.0 V < V

CC1

< 14 V @ 1.0千赫;注2

500

0.4

4.0

0.3

3000

2.5

1.0

4.3

160

1.0

8.0

1.6

5.0

600

μA

千赫

μA

测试条件

民

典型值

最大

单位

2.通过设计保证，而不是100 ％生产测试。

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CS5159

电气特性（续）

（ 0 ° C＆ LT ;吨

＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼

< + 85°C ; 8.0 V < V

CC1

< 14 V ; 5.0 V < V

CC2

< 18 V ; DAC

代码： V

ID4

= V

ID2

= V

ID1

= V

ID0

= 1; V

ID3

= 0

;

门（L）的

和CV

门（H）的

= 1.0 nF的;

关闭

= 330 pF的;

= 0.1

μF,

除非另有规定）。

特征

DAC

输入阈值

输入上拉电阻

拉电压

精度（除了11111的所有代码，

10110, 10101, 10100, 10011,

10010, 10001, 10000)

ID4

ID3

ID2

ID1

ID0

1.2870

1.3365

1.3860

1.4355

1.4850

1.5345

1.5840

1.6335

1.6830

1.7325

1.7820

1.8315

1.8810

1.9305

1.9800

2.0295

1.2191

2.0790

2.1780

2.2770

2.3760

2.4750

2.5740

2.6730

2.7720

2.8420

2.9400

3.0380

3.1360

3.2340

3.3320

3.4300

1.3000

1.3500

1.4000

1.4500

1.5000

1.5500

1.6000

1.6500

1.7000

1.7500

1.8000

1.8500

1.9000

1.9500

2.0000

2.0500

1.2440

2.1000

2.2000

2.3000

2.4000

2.5000

2.6000

2.7000

2.8000

2.9000

3.0000

3.1000

3.2000

3.3000

3.4000

3.5000

1.3130

1.3635

1.4140

1.4645

1.5150

1.5655

1.6160

1.6665

1.7170

1.7675

1.8180

1.8685

1.9190

1.9695

2.0200

2.0705

1.2689

2.1210

2.2220

2.3230

2.4240

2.5250

2.6260

2.7270

2.8280

2.9580

3.0600

3.1620

3.2640

3.3660

3.4680

3.5700

ID0,

ID1

, V

ID2

, V

ID3

, V

ID4

ID0,

ID1

, V

ID2

, V

ID3

, V

ID4

测量V

= V

COMP

, 25°C

≤

85°C

1.00

4.85

1.25

5.00

2.40

100

5.15

1.0

kΩ

测试条件

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

CS5159

电气特性（续）

（ 0 ° C＆ LT ;吨

＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼

< + 85°C ; 8.0 V < V

CC1

< 14 V ; 5.0 V < V

CC2

< 18 V ; DAC

代码： V

ID4

= V

ID2

= V

ID1

= V

ID0

= 1; V

ID3

= 0

;

门（L）的

和CV

门（H）的

= 1.0 nF的;

关闭

= 330 pF的;

= 0.1

μF,

除非另有规定）。

特征

电源电流

CC1

CC2

我的操作

CC1

我的操作

CC2

关闭

正常充电时间

延长充电时间

放电电流

超时定时器

超时时间

故障模式占空比

= V

COMP

; V

FFB

= 2.0 V;

记录V

门（H）的

高脉冲持续时间

FFB

= 0V

μs

FFB

= 1.5 V; V

= 5.0 V

= V

FFB

= 0

关闭

至5.0 V ; V

> 1.0 V

1.0

5.0

1.6

8.0

2.2

11.0

μs

无开关

COMP = = V

FFB

COMP = = V

FFB

8.5

1.6

8.0

2.0

13.5

3.0

5.0

测试条件

民

典型值

最大

单位

封装引脚说明

封装引脚＃

SO16

1, 2, 3, 4, 6

引脚符号

ID0

ID4

功能

电压ID DAC输入引脚。这些引脚内部上拉至5.0 V提供逻辑

的，如果悬空。 V

ID4

选择DAC范围。当V

ID4

是高（逻辑1 ）时，DAC

范围为2.10 V至3.50 V ，100 mV递增。当V

ID4

为低电平（逻辑0 ），则

DAC范围为1.30 V至2.05 V ，50 mV递增。 V

ID0

ID4

选择所需的

DAC输出电压。让所有5个DAC输入引脚开路导致DAC输出电压

的1.2440 V，允许输出电压可调，使用传统的电阻分压器。

软启动引脚。从这个引脚LGND与内部60一起电容器

μA

电流

租金来源提供了软启动功能的控制器。该引脚禁用故障检测

在软启动功能。当检测到故障时，软启动电容是慢慢显示

内部2.0充电

μA

电流源设置超时时间试图重新启动之前，

IC 。充电/放电的30套占空比电流比为IC稳压器时，

输出被短路。

此引脚与地之间的电容设置的时间长度为船上一炮打响，

这是用于在恒定关断时间的体系结构。

快速反馈连接到PWM比较器。该引脚被连接到调节器

输出。内部反馈循环终止时间。

提高了电源的高压侧栅极驱动器。

高FET驱动器引脚能1.5 A峰值开关电流。内部电路防止

门（H）的

和V

门（L）的

同时从高状态的。

大电流地为IC 。 MOSFET驱动器被引用到这个引脚。输入capac-

itor地面和较低的FET的源应连接到该引脚。

较低的FET驱动器引脚能1.5 A峰值开关电流。

输入功率IC和低侧栅极驱动器。

信号地为IC 。所有的控制电路都参考该引脚。

误差放大器补偿引脚。电容接地应在外部提供

补偿放大器。

误差放大器的直流反馈输入。这是主人的电压反馈，设置

输出电压。该管脚可被直接连接到输出或远程感跟踪。

关闭

FFB

CC2

门（H）的

保护地

门（L）的

CC1

LGND

COMP

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