CS5150H

CS5150H

CPU 4位同步降压控制器

描述

该CS5150H是一个4位同步

双N通道降压控制器。它

旨在提供unprece-

对于凹陷瞬态响应

当今要求苛刻的高密度，

高速逻辑。该稳压器

操作采用了专有的控制

法，它允许一个100ns的

响应时间负载瞬变。

该CS5150H被设计来操作

在一个4.25-20V范围（V

CC

）使用

12V供电IC和5V或12V

作为主电源进行转换。

该CS5150H是专门

设计的奔腾动力

亲

处理器和其他高perfor-

曼斯核心逻辑。它包括跟着

降脂功能：在船上， 4位

DAC ，短路保护， 1.0 ％

输出容限，V

CC

显示器和

可编程软启动功能。

该CS5150H是向上兼容

用5位CS5155H ，允许

主板设计师

使用的能力无论是

CS5150H或无的CS5155H

改变布局。该CS5150H是

在16引脚表面贴装。

特点

s

双N沟道设计

s

1MHz的操作过剩

s

100ns的瞬态响应

s

4位DAC

s

与向上兼容

5位CS5155H / 5156H

和可调

CS5120/5121

s

门为30ns上升/下降时间

s

1 ％精度的DAC

s

5V & 12V操作

s

遥感

s

可编程软启动

s

无损短路

保护

s

V

CC

MONITOR

s

25ns的FET非重叠时间

s

自适应电压

定位

s

V

2

控制拓扑

s

电流共享

s

过压保护

应用框图

开关电源的核心逻辑 - 奔腾

Pro处理器

12V

5V

0.1F

1200μF / 16V ×3

ALEL

IRL3103

2H

2.1V至3.5V @ 13A

V

CC1

V

CC2

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

C

关闭

330pF

SS

0.1F

0.33F

COMP

LGND

V

门（H）的

封装选项

CS5150H

V

门（L）的

IRL3103

1200μF / 16V ×5

ALEL

16引脚SO窄

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

SS

NC

C

关闭

V

FFB

1

保护地

V

FB

V

FFB

3.3k

V

FB

COMP

LGND

V

CC1

V

门（L）的

保护地

V

门（H）的

V

CC2

100pF

V

2

是开关电源的商标。

Pentium是Intel Corporation的注册商标。

樱桃半导体公司

2000县南径，东格林威治， RI 02818

联系电话： (401)885-3600传真： (401)885-5786

电子邮件： info@cherry-semi.com

网站： www.cherry-semi.com

牧师99年1月21日

1

A

公司

CS5150H

绝对最大额定值

引脚名称

最大工作电压

MAX CURRENT

V

CC1

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .16V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.25毫安DC / 1.5A峰值

V

CC2

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .20V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20毫安DC / 1.5A峰值

SS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 100μA

COMP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .200μA

V

FB

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2μA

C

关闭

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2μA

V

FFB

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2μA

V

ID0

- V

ID3

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 50μA

V

门（H）的

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .20V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.100毫安DC / 1.5A峰值

V

门（L）的

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .16V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.100毫安DC / 1.5A峰值

LGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.25毫安

保护地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.100毫安DC / 1.5A峰值

工作结温，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 °0 150℃下

无铅焊接温度

回流焊（ SMD风格只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.60秒。上面最大183 ° C， 230 ° C峰值

存储温度范围，T

S

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65℃ 150℃下

ESD敏感性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2kV

电气特性：

0° ℃下牛逼

A

＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼

J

< + 125°C ; 8V < V

CC1

< 14V ; 5V < V

CC2

< 20V ; DAC代码： V

ID2

= V

ID1

=

V

ID0

= 1; V

ID3

= 0;简历

门（L）的

和CV

门（H）的

= 1nF的;

关闭

= 330pF的;

SS

= 0.1μF ，除非另有规定。

测试条件

民

典型值

最大

参数

单位

s

误差放大器器

V

FB

偏置电流

开环增益

单位增益带宽

COMP灌电流

COMP源电流

COMP钳位电流

COMP高压

COMP低压

PSRR

s

V

CC1

MONITOR

启动阈值

停止阈值

迟滞

V

FB

= 0V

1.25V < V

COMP

< 4V ;注1

注1

V

COMP

= 1.5V; V

FB

= 3V; V

SS

＆ GT ; 2V

V

COMP

= 1.2V; V

FB

= 2.7V; V

SS

= 5V

V

COMP

= 0V; V

FB

= 2.7V

V

FB

= 2.7V; V

SS

= 5V

V

FB

=3V

8V < V

CC1

< 14V @ 1kHz的;注1

50

500

0.4

30

0.4

4.0

60

0.3

60

3000

2.5

50

1.0

4.3

160

85

1.0

8.0

80

1.6

5.0

600

A

dB

kH

mA

A

mA

V

mV

dB

输出开关

输出不切换

起止

3.75

3.70

3.90

3.85

50

4.05

4.00

V

V

mV

s

DAC

输入阈值

V

ID0

, V

ID1

, V

ID2

, V

ID3

输入上拉电阻

V

ID0

, V

ID1

, V

ID2

, V

ID3

拉电压

准确性

（除1111的所有代码）

测量V

FB

= V

COMP

, 25°C

≤

T

J

≤

125°C

V

ID3

V

ID2

V

ID1

V

ID0

1

1

1

1

1

1

1

0

1

1

0

1

1

1

0

0

1

0

1

1

1

0

1

0

1

0

0

1

1

0

0

0

0

1

1

1

0

1

1

0

2

1.00

25

4.85

1.25

50

5.00

2.40

100

5.15

1.0

1.2689

2.1614

2.2624

2.3634

2.4644

2.5654

2.6664

2.7674

2.8684

2.9694

V

k

V

%

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

1.2191

2.1186

2.2176

2.3166

2.4156

2.5146

2.6136

2.7126

2.8116

2.9106

1.2440

2.1400

2.2400

2.3400

2.4400

2.5400

2.6400

2.7400

2.8400

2.9400

CS5150H

电气特性：

0° ℃下牛逼

A

＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼

J

< + 125°C ; 8V < V

CC1

< 14V ; 5V < V

CC2

< 20V ; DAC代码： V

ID2

= V

ID1

=

V

ID0

= 1; V

ID3

= 0;简历

门（L）的

和CV

门（H）的

= 1nF的;

关闭

= 330pF的;

SS

= 0.1μF ，除非另有规定。

测试条件

民

典型值

最大

参数

单位

s

DAC ：继续

V

ID3

V

ID2

V

ID1

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

0

1

0

0

0

0

0

0

V

ID0

1

0

1

0

1

0

3.0096

3.1086

3.2076

3.3066

3.4056

3.5046

3.0400

3.1400

3.2400

3.3400

3.4400

3.5400

3.0704

3.1714

3.2724

3.3734

3.4744

3.5754

V

V

V

V

V

V

s

V

门（H）的

和V

门（L）的

输出源周六在100mA

出水槽周六在100mA

输出上升时间

OUT下降时间

直通电流

延迟V

门（H）的

到V

门（L）的

延迟V

门（L）的

到V

门（H）的

V

门（H）的

, V

门（L）的

阻力

V

门（H）的

, V

门（L）的

肖特基

测量V

CC1

– V

门（L）

;V

CC2

– V

门（H）的

测量V

门（H）的

- VPGND ;

V

门（L）的

VPGND

1V < V

门（H）的

< 9V ; 1V < V

门（L）的

< 9V

V

CC1

= V

CC2

= 12V

9V > V

门（H）的

> 1V ; 9V > V

门（L）的

＆ GT ; 1V

V

CC1

= V

CC2

= 12V

注1

V

门（H）的

下降到2V ; V

CC1

= V

CC2

= 8V

V

门（L）的

上升到2V

V

门（L）的

下降到2V ; V

CC1

= V

CC2

= 8V

V

门（H）的

上升到2V

电阻LGND （注1 ）

20

LGND到V

门（H）的

@ 10毫安

LGND到V

门（L）的

@ 10毫安

1.2

1.0

30

30

2.0

1.5

50

50

50

50

50

100

800

V

V

ns

ns

mA

ns

ns

k

mV

25

25

50

600

s

软启动（ SS ）

充电时间

脉冲周期

占空比

COMP钳位电压

V

FFB

SS故障停用

高门槛

s

PWM比较器

瞬态响应

V

FFB

偏置电流

s

电源电流

I

CC1

I

CC2

我的操作

CC1

我的操作

CC2

s

C

关闭

正常充电时间

延长充电时间

放电电流

（充电时间/脉冲周期）

×

100

V

FB

= 0V; V

SS

= 0

V

门（H）的

=低; V

门（L）的

= LOW

1.6

25

1.0

0.50

0.9

3.3

100

3.3

0.95

1.0

2.5

5.0

200

6.0

1.10

1.1

3.0

ms

ms

%

V

V

V

V

FFB

= 0至5V到V

门（H）的

= 9V至1V ;

V

CC1

= V

CC2

= 12V

V

FFB

= 0V

100

0.3

125

ns

A

无开关

无开关

V

FB

COMP = = V

FFB

V

FB

COMP = = V

FFB

8.5

1.6

8

2

13.5

3.0

13

5

mA

mA

mA

mA

V

FFB

= 1.5V; V

SS

= 5V

V

SS

= V

FFB

= 0

C

关闭

至5V ; V

FB

>1V

3

1.0

5.0

5.0

1.6

8.0

2.2

11.0

s

s

mA

CS5150H

电气特性：

0° ℃下牛逼

A

＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼

J

< + 125°C ; 8V < V

CC1

< 14V ; 5V < V

CC2

< 20V ; DAC代码： V

ID2

= V

ID1

=

V

ID0

= 1; V

ID3

= 0;简历

门（L）的

和CV

门（H）的

= 1nF的;

关闭

= 330pF的;

SS

= 0.1μF ，除非另有规定。

测试条件

民

典型值

最大

参数

单位

s

超时定时器

超时时间

故障模式占空比

V

FB

= V

COMP

; V

FFB

= 2V;

记录V

门（H）的

高脉冲持续时间

V

FFB

= 0V

10

35

30

50

65

70

s

%

注1 ：由设计保证，而不是100 ％生产测试。

封装引脚说明

封装引脚＃

引脚符号

功能

16L很窄

1,2,3,4

V

ID0

– V

ID3

电压ID DAC输入引脚。这些引脚内部上拉至5V

如果不开放提供了逻辑的。该DAC的范围是2.14V到3.54V带

100mV的增量。 V

ID0

- V

ID3

选择所需的DAC输出电压。

保留所有4 DAC输入引脚开路导致的DAC输出电压

1.244V ，允许可调的输出电压，使用传统的电阻

器分压器。

软启动引脚。从这个引脚LGND结合电容器

内部60μA电流源提供软启动功能CON组

控制器。该引脚禁止在软启动故障检测功能。当一个

检测到故障时，软启动电容由内部缓慢放电

2μA电流源设置超时时间试图重新启动IC之前。

充电/放电的30套占空比电流比为IC时，

稳压器的输出被短路。

无连接。

此引脚与地之间的电容设置的时间段为上

板一杆，其被用于恒定的关断时间的体系结构。

快速反馈连接到PWM比较器。该引脚连接

到调节器输出。内部反馈循环终止时间。

提高了电源的高压侧栅极驱动器。

高FET驱动器引脚能够1.5A峰值开关电流。内部电路

CUIT防止V

门（H）的

和V

门（L）的

从高状态的同步对

发声。

大电流地为IC 。 MOSFET驱动器是参照

该引脚。输入电容接地和较低的FET的源应该是

绑到该引脚。

较低的FET驱动器引脚能够1.5A峰值开关电流。

输入功率IC和低侧栅极驱动器。

信号地为IC 。所有的控制电路都参考该引脚。

误差放大器补偿引脚。一个接地电容应该是亲

vided外部补偿的放大器。

误差放大器的直流反馈输入。这是主电压反馈

用于设置输出电压。该管脚可以直接连接到所述

输出或遥感跟踪。

5

SS

6

7

8

9

10

NC

C

关闭

V

FFB

V

CC2

V

门（H）的

11

保护地

12

13

14

15

16

V

门（L）的

V

CC1

LGND

COMP

V

FB

4

CS5150H

框图

V

CC2

V

CC1

-

+

3.90V

3.85V

V

CC1

MONITOR

比较

5V

-

60A

0.7V

+

SS低

比较

R

S

Q

Q

V

门（H）的

故障

故障

保护地

SS

2A

+

-

SS高

比较

故障

LATCH

V

CC1

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

4位

DAC

+

-

错误

扩音器

2.5V

V

门（L）的

保护地

PWM

比较

-

GATE （H ） = ON

门（H ）= OFF

C

关闭

单次

R

S

Q

V

FB

COMP

V

FFB

慢反馈

+

最大

ON- TIME

TIMEOUT

正常

关断时间

TIMEOUT

R

S

Q

Q

PWM

LATCH

快速反馈

-

+

EXTENDED

关断时间

TIMEOUT

V

FFB

低

比较

关断时间

TIMEOUT

C

关闭

LGND

1V

PWM

COMP

暂停

定时器

(30s)

边沿触发

应用信息

工作原理

V

2

控制方法

在V

2

控制的方法，采用的是斜坡信号，该信号gen-

由输出电容ESR的产生的。这是坡道

成正比的AC电流通过主电感

并且通过DC输出电压的值的偏移量。这

控制方案固有的补偿变化

无论是线路或负载条件下，由于斜波信号是gen-

从输出电压本身产生的。这种控制方案

不同于诸如电压模式的传统技术，

它产生一个人为的坡道，以及电流模式，

其产生从电感电流的斜坡。

PWM

比较

+

C

–

坡道

信号

COMP

错误

信号

V

门（H）的

V

门（L）的

V

FFB

产量

电压

反馈

V

FB

–

错误

扩音器

E

+

参考

电压

图1 ： V

2

控制图

在V

2

控制方法示于图1中的输出

放电压被用来产生两个误差信号和

斜坡信号。由于斜波信号是简单地输出

电压，它是通过在输出的任何变化的影响考虑以下各项

小于变化的起源。斜坡信号还CON组

包括作为输出电压，这使得装置的直流部分

该控制电路以驱动主开关为0 ％或100％

根据需要的占空比。

电源电压的变化而变化的电流斜坡的

电感器，影响斜坡信号，这将导致在V

2

控制方案，以补偿占空比。自从

改变在电感电流改变斜坡信号，如在

电流模式控制，在V

2

控制方案有

在线路瞬态响应相同的优点。

在负载电流的变化会对输出的影响

电压，改变斜波信号。立即载荷步

改变比较器的输出，它控制的状态

主开关。负载瞬态响应确定

仅由比较器的响应时间和过渡

速主开关。反应时间为输出

负载阶跃没有任何关系的交叉频率

误差信号循环中，如在传统的控制方法。

该误差信号回路可以具有低交叉频率，

因为瞬态响应是由斜坡信号循环处理。

此“慢”反馈回路的主要目的是提供一种

DC准确度。抗噪能力显著改善，

由于误差放大器的带宽可以在低被轧断

频率。增强抗噪声能力提高远程sens-

5