CS5150

CPU 4位同步

降压控制器

该CS5150是一个4位的同步双N通道降压

控制器。它的目的是提供一个前所未有的瞬态响应

为当今要求苛刻的高密度，高速逻辑。该稳压器

操作使用专有的控制方法，它允许一个100纳秒

响应时间负载瞬变。的CS5150被设计来操作

在一个4.25-16 V范围（V

CC

）采用12 V供电IC和5.0 V或

12 V作为主电源进行转换。

该CS5150是专为供电奔腾临

处理器和其它高性能的核心逻辑。它包括

特点如下：在船上， 4位DAC ，短路保护，

1.0 ％的输出容差，V

CC

监视器和可编程软启动

能力。的CS5150是与5比特向上兼容

CS5155H ，使主板设计者使用的能力

无论是CS5150 ，或在布局没有变化的CS5155 。该

CS5150为16引脚表面贴装。

特点

双N沟道设计

1.0 MHz工作过剩

100 ns的瞬态响应

4位DAC

向上兼容5位CS5155 / CS5156

30纳秒门上升/下降时间

1.0 ％精度的DAC

5.0 V & 12 V操作

遥感

可编程软启动

无损短路保护

V

CC

MONITOR

25纳秒FET非重叠时间

自适应电压定位

V

2

控制拓扑

电流共享

过压保护

16

1

DIP16

SUF科幻X

CASE 648

A

WL ，L

YY, Y

WW, W

1

http://onsemi.com

记号

图表

16

16

CS5150

AWLYWW

1

1

SOIC16

后缀

CASE 751B

16

CS5150

AWLYYWW

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

引脚连接

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

SS

NC

C

关闭

V

FFB

1

V

FB

COMP

LGND

V

CC1

V

门（L）的

保护地

V

门（H）的

V

CC2

订购信息

设备

CS5150GD16

CS5150GDR16

CS5150GN16

包

SO16

SO16

DIP16

航运

48单位/铁

2500磁带&卷轴

25单位/铁

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年7月

启5

1

出版订单号：

CS5150/D

CS5150

12 V

5.0 V

0.1

μF

V

CC1

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

C

关闭

330 pF的

SS

0.1

μF

COMP

LGND

IRL3103

V

门（L）的

保护地

V

CC2

IRL3103

2.0

μH

1200

μF/16

V

×

3

AIEI

V

门（H）的

2.1 V至3.5 V @ 13的

CS5150

V

FB

3.3 k

V

FFB

100 pF的

0.33

μF

1200

μF/16

V

×

5

AIEI

图1.应用图，开关电源的核心逻辑

奔腾

)

Pro处理器

绝对最大额定值*

等级

工作结温，T

J

焊接温度焊接：

存储温度范围，T

S

ESD敏感性（人体模型）

1。10第二最大值。

第二个最大以上183℃ 2。 60 。

*最大包装功耗必须遵守。

波峰焊（通孔样式只） （注1 ）

回流焊： （只SMD样式） （注2 ）

价值

0至150

260峰

230峰

65

+150

2.0

单位

°C

°C

°C

kV

绝对最大额定值

引脚名称

V

CC1

V

CC2

SS

COMP

V

FB

C

关闭

V

FFB

V

ID0

V

ID3

V

门（H）的

V

门（L）的

LGND

保护地

最大工作电压

16 V/0.3 V

16 V/0.3 V

6.0 V/0.3 V

6.0 V/0.3 V

6.0 V/0.3 V

6.0 V/0.3 V

6.0 V/0.3 V

6.0 V/0.3 V

16 V/0.3 V

16 V/0.3 V

0V

0V

MAX CURRENT

25毫安DC / 1.5 A峰值

20毫安DC / 1.5 A峰值

100

μA

200

μA

0.2

μA

0.2

μA

0.2

μA

50

μA

百毫安DC / 1.5 A峰值

百毫安DC / 1.5 A峰值

25毫安

百毫安DC / 1.5 A峰值

http://onsemi.com

2

CS5150

电气特性

（ 0 ° C＆ LT ;吨

A

＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼

J

< + 85°C ; 8.0 V < V

CC1

< 14 V ; 5.0 V < V

CC2

< 14 V ;

DAC代码： V

ID2

= V

ID1

= V

ID0

= 1; V

ID3

= 0

;

CV

门（L）的

和CV

门（H）的

= 1.0 nF的;

关闭

= 330 pF的;

SS

= 0.1

μF,

除非另有规定）。

特征

误差放大器器

V

FB

偏置电流

开环增益

单位增益带宽

COMP灌电流

COMP源电流

COMP钳位电流

COMP高压

COMP低压

PSRR

V

CC1

MONITOR

启动阈值

停止阈值

迟滞

DAC

输入阈值

输入上拉电阻

拉电压

准确性

V

ID3

1

1

1

1

1

1

1

1

0

0

0

0

0

0

0

0

V

ID2

1

1

1

1

0

0

0

0

1

1

1

1

0

0

0

0

V

ID1

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

1

1

0

0

V

ID0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1.2315

2.1186

2.2176

2.3166

2.4156

2.5146

2.6136

2.7126

2.8116

2.9106

3.0096

3.1086

3.2076

3.3066

3.4056

3.5046

1.2440

2.1400

2.2400

2.3400

2.4400

2.5400

2.6400

2.7400

2.8400

2.9400

3.0400

3.1400

3.2400

3.3400

3.4400

3.5400

1.2564

2.1614

2.2624

2.3634

2.4644

2.5654

2.6664

2.7674

2.8684

2.9694

3.0704

3.1714

3.2724

3.3734

3.4744

3.5754

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

ID0,

V

ID1

, V

ID2

, V

ID3

V

ID0,

V

ID1

, V

ID2

, V

ID3

测量V

FB

= COMP ，25°C

≤

T

J

≤

85°C

1.00

25

4.85

1.25

50

5.00

2.40

100

5.15

1.0

V

kΩ

V

%

输出开关

输出不切换

起止

3.75

3.70

3.90

3.85

50

4.05

4.00

V

V

mV

V

FB

= 0 V

1.25 V < V

COMP

< 4.0 V ;注3

注3

V

COMP

= 1.5 V; V

FB

= 3.0 V; V

SS

> 2.0 V

V

COMP

= 1.2 V; V

FB

= 2.7 V; V

SS

= 5.0 V

V

COMP

= 0 V; V

FB

= 2.7 V

V

FB

= 2.7 V; V

SS

= 5.0 V

V

FB

= 3.0 V

8.0 V < V

CC1

< 14 V @ 1.0千赫;注3

50

500

0.4

30

0.4

4.0

60

0.3

60

3000

2.5

50

1.0

4.3

160

85

1.0

8.0

70

1.6

5.0

600

μA

dB

千赫

mA

μA

mA

V

mV

dB

测试条件

民

典型值

最大

单位

3.由设计保证，而不是100 ％生产测试。

http://onsemi.com

3

CS5150

电气特性（续）

（ 0 ° C＆ LT ;吨

A

＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼

J

< + 85°C ; 8.0 V < V

CC1

< 14 V ;

5.0 V < V

CC2

< 14 V ; DAC代码： V

ID2

= V

ID1

= V

ID0

=1; V

ID3

=

0;

CV

门（L）的

和CV

门（H）的

= 1.0 nF的;

关闭

= 330 pF的;

SS

= 0.1

μF,

除非

另有规定编）

特征

V

门（H）的

和V

门（L）的

输出源坐在100毫安

出水槽坐在100毫安

输出上升时间

OUT下降时间

直通电流

延迟V

门（H）的

到V

门（L）的

延迟V

门（L）的

到V

门（H）的

V

门（H）

V

门（L）的

阻力

V

门（H）

V

门（L）的

肖特基

软启动（ SS ）

充电时间

脉冲周期

占空比

COMP钳位电压

V

FFB

SS故障停用

高门槛

PWM比较器

瞬态响应

V

FFB

偏置电流

电源电流

I

CC1

I

CC2

我的操作

CC1

我的操作

CC2

C

关闭

正常充电时间

延长充电时间

放电电流

超时定时器

超时时间

故障模式占空比

V

FB

= V

COMP

; V

FFB

= 2.0 V;

记录V

门（H）的

高脉冲持续时间

V

FFB

= 0V

10

35

30

50

50

65

μs

%

V

FFB

= 1.5 V; V

SS

= 5.0 V

V

SS

= V

FFB

= 0

C

关闭

至5.0 V ; V

FB

> 1.0 V

1.0

5.0

5.0

1.6

8.0

2.2

11.0

μs

μs

mA

无开关

无开关

V

FB

COMP = = V

FFB

V

FB

COMP = = V

FFB

8.5

1.6

8.0

2.0

13.5

3.0

13

5.0

mA

mA

mA

mA

V

FFB

= 0 5.0 V到V

门（H）的

= 9.0 V至1.0 V ;

V

CC1

= V

CC2

= 12 V

V

FFB

= 0 V

100

0.3

125

ns

μA

（充电时间/脉冲周期）

×

100

V

FB

= 0 V; V

SS

= 0

V

门（H）的

=低; V

门（L）的

= LOW

1.6

25

1.0

0.50

0.9

3.3

100

3.3

0.95

1.0

2.5

5.0

200

6.0

1.10

1.1

3.0

ms

ms

%

V

V

V

测量V

CC1

V

门（L）的

; V

CC2

V

门（H）的

测量V

门（H）的

V

保护地

; V

门（L）的

V

保护地

1.0 V < V

门（H）的

< 9.0 V ;

1.0 V < V

门（L）的

< 9.0 V ; V

CC1

= V

CC2

= 12 V

9.0 V > V

门（H）的

> 1.0 V ;

9.0 V > V

门（L）的

> 1.0 V ; V

CC1

= V

CC2

= 12 V

注4

V

门（H）的

下降到2.0 V

;

V

CC1

= V

CC2

= 8.0 V

V

门（L）的

上升至2.0V

V

门（L）的

下降到2.0 V ; V

CC1

= V

CC2

= 8.0 V

V

门（H）的

上升至2.0V

电阻LGND 。

LGND到V

门（H）的

@ 10毫安;

LGND到V

门（L）的

@ 10毫安

20

1.2

1.0

30

30

25

25

50

600

2.0

1.5

50

50

50

50

50

100

800

V

V

ns

ns

mA

ns

ns

kΩ

mV

测试条件

民

典型值

最大

单位

4.通过设计保证，而不是100 ％生产测试。

http://onsemi.com

4

CS5150

封装引脚说明

封装引脚＃

SO- 16 ， DIP- 16

1, 2, 3, 4

引脚符号

V

ID0

V

ID3

功能

电压ID DAC输入引脚。这些引脚在内部上拉

高达5.0 V提供逻辑的，如果悬空。该DAC范围

为2.14 V至3.54 V ，100 mV递增。 V

ID0

V

ID3

选择所需的DAC输出电压。保留所有4 DAC

输入引脚开路结果在1.244 V DAC的输出电压，

允许用于调节输出电压，使用传统的

电阻分压器。

软启动引脚。从这个引脚LGND要结合电容器

化内部60

μA

电流源提供软启动

功能的控制器。该引脚禁用故障检测功能

在软起动化。当检测到故障时，软启动

电容器由内部2.0慢慢排出

μA

当前

源设置超时时间试图重新启动IC之前。

充电/放电30套的占空比电流比

该IC时，调节器的输出被短路。

无连接。

此引脚与地之间的电容设置的持续时间

所述上板一杆，其被用于恒定的关断时间

体系结构。

快速反馈连接到PWM比较器。该引脚

连接到所述调节器的输出。内部反馈环路

终止时间。

提高了电源的高压侧栅极驱动器。

高FET驱动器引脚能1.5 A峰值开关电流。

内部电路防止V

门（H）的

和V

门（L）的

被中

高邦同时进行。

大电流地为IC 。该MOSFET驱动器

参考这个引脚。输入电容接地和源

较低的FET应连接到该引脚。

较低的FET驱动器引脚能1.5 A峰值开关电流。

输入功率IC和低侧栅极驱动器。

信号地为IC 。所有的控制电路是参照

该引脚。

误差放大器补偿引脚。一个电容到地

应提供外部以补偿放大器。

误差放大器的直流反馈输入。这是主电压

反馈，设置输出电压。该引脚可CON组

直接连接至输出端或远端检测跟踪。

5

SS

6

7

NC

C

关闭

8

V

FFB

9

10

V

CC2

V

门（H）的

11

保护地

12

13

14

15

16

V

门（L）的

V

CC1

LGND

COMP

V

FB

http://onsemi.com

5

CS5150

CS5150

CPU 4位同步降压控制器

描述

该CS5150是一个4位同步

双N通道降压控制器。它

旨在提供unprece-

对于凹陷瞬态响应

当今要求苛刻的高密度，

高速逻辑。该稳压器

操作采用了专有的控制

法，它允许一个100ns的

响应时间负载瞬变。

的CS5150被设计来操作

在一个4.25-16V范围（V

CC

）使用

12V供电IC和5V的

主电源转换。

的CS5150是专

给力奔腾

Pro处理器

和其他高性能核心

逻辑。它包括下列性能

Tures的：在船上， 4位DAC ，短

电路保护， 1.0 ％的输出允差

差为，V

CC

监控和亲

可编程软启动功能。该

CS5150是向上兼容

5位CS5155 ，允许

主板设计了capabili-

无论使用的CS5150或对TY

CS5155与布局没有变化。

该CS5150采用16引脚

表面安装和DIP封装。

特点

s

双N沟道设计

s

1MHz的操作过剩

s

100ns的瞬态响应

s

4位DAC

s

与向上兼容

5位CS5155 / 5156和

可调CS5120 / 5121

s

门为30ns上升/下降时间

s

1 ％精度的DAC

s

5V & 12V操作

s

遥感

s

可编程软启动

s

无损短路

保护

应用框图

开关电源的核心逻辑 - 奔腾

Pro处理器

12V

5V

s

V

CC

MONITOR

s

25ns的FET非重叠时间

s

自适应电压

定位

s

V

2

控制拓扑

s

电流共享

s

过压保护

2H

2.1V至3.5V @ 13A

0.1F

1200μF / 16V ×3

ALEL

IRL3103

V

CC1

V

CC2

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

C

关闭

330pF

SS

0.1F

0.33F

COMP

LGND

V

门（H）的

封装选项

CS5150

V

门（L）的

IRL3103

1200μF / 16V ×5

ALEL

保护地

V

FB

V

FFB

3.3k

16引脚SO窄& PDIP

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

SS

NC

C

关闭

V

FFB

1

V

FB

COMP

LGND

V

CC1

V

门（L）的

保护地

V

门（H）的

V

CC2

100pF

V

2

是开关电源的商标。

Pentium是Intel Corporation的注册商标。

樱桃半导体公司

2000县南径，东格林威治， RI 02818

联系电话： (401)885-3600传真： (401)885-5786

电子邮件： info@cherry-semi.com

网站： www.cherry-semi.com

牧师99年1月4日

1

A

公司

CS5150

绝对最大额定值

引脚名称

最大工作电压

MAX CURRENT

V

CC1

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .16V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.25毫安DC / 1.5A峰值

V

CC2

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .16V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20毫安DC / 1.5A峰值

SS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 100μA

COMP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .200μA

V

FB

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2μA

C

关闭

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2μA

V

FFB

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2μA

V

ID0

- V

ID3

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 50μA

V

门（H）的

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .16V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.100毫安DC / 1.5A峰值

V

门（L）的

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .16V / -0.3V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.100毫安DC / 1.5A峰值

LGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.25毫安

保护地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.100毫安DC / 1.5A峰值

工作结温，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 °0 150℃下

无铅焊接温度

波峰焊（只通过孔样式） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.10秒。最大， 260C高峰

回流焊（ SMD风格只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.60秒。上面最大183 ° C， 230 ° C峰值

存储温度范围，T

S

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65℃ 150℃下

ESD敏感性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2kV

电气特性：

0° ℃下牛逼

A

＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼

J

< + 85°C ; 8V < V

CC1

< 14V ; 5V < V

CC2

< 14V ; DAC代码： V

ID2

= V

ID1

=

V

ID0

= 1; V

ID3

= 0;简历

门（L）的

和CV

门（H）的

= 1nF的;

关闭

= 330pF的;

SS

= 0.1μF ，除非另有规定。

测试条件

民

典型值

最大

参数

单位

s

误差放大器器

V

FB

偏置电流

开环增益

单位增益带宽

COMP灌电流

COMP源电流

COMP钳位电流

COMP高压

COMP低压

PSRR

s

V

CC1

MONITOR

启动阈值

停止阈值

迟滞

s

DAC

输入阈值

输入上拉电阻

拉电压

准确性

V

ID3

V

ID2

V

ID1

V

ID0

1

1

1

1

1

1

1

0

1

1

0

1

1

1

0

0

1

0

1

1

1

0

1

0

1

0

0

1

1

0

0

0

0

1

1

1

0

1

1

0

V

FB

= 0V

1.25V < V

COMP

< 4V ;注1

注1

V

COMP

= 1.5V; V

FB

= 3V; V

SS

＆ GT ; 2V

V

COMP

= 1.2V; V

FB

= 2.7V; V

SS

= 5V

V

COMP

= 0V; V

FB

= 2.7V

V

FB

= 2.7V; V

SS

= 5V

V

FB

=3V

8V < V

CC1

< 14V @ 1kHz的;注1

50

500

0.4

30

0.4

4.0

60

0.3

60

3000

2.5

50

1.0

4.3

160

85

1.0

8.0

70

1.6

5.0

600

A

dB

kH

mA

A

mA

V

mV

dB

输出开关

输出不切换

起止

3.75

3.70

3.90

3.85

50

4.05

4.00

V

V

mV

V

ID0

, V

ID1

, V

ID2

, V

ID3

V

ID0

, V

ID1

, V

ID2

, V

ID3

测量V

FB

= V

COMP

, 25°C

≤

T

J

≤

85°C

1.00

25

4.85

1.25

50

5.00

2.40

100

5.15

1.0

1.2564

2.1614

2.2624

2.3634

2.4644

2.5654

2.6664

2.7674

2.8684

2.9694

V

k

V

%

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

1.2315

2.1186

2.2176

2.3166

2.4156

2.5146

2.6136

2.7126

2.8116

2.9106

2

1.2440

2.1400

2.2400

2.3400

2.4400

2.5400

2.6400

2.7400

2.8400

2.9400

CS5150

电气特性：

0° ℃下牛逼

A

＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼

J

< + 85°C ; 8V < V

CC1

< 14V ; 5V < V

CC2

< 14V ; DAC代码： V

ID2

= V

ID1

=

V

ID0

= 1; V

ID3

= 0;简历

门（L）的

和CV

门（H）的

= 1nF的;

关闭

= 330pF的;

SS

= 0.1μF ，除非另有规定。

测试条件

民

典型值

最大

参数

单位

s

DAC ：继续

V

ID3

V

ID2

V

ID1

0

1

0

0

1

0

0

0

1

0

0

1

0

0

0

0

0

0

V

ID0

1

0

1

0

1

0

3.0096

3.1086

3.2076

3.3066

3.4056

3.5046

3.0400

3.1400

3.2400

3.3400

3.4400

3.5400

3.0704

3.1714

3.2724

3.3734

3.4744

3.5754

V

V

V

V

V

V

s

V

门（H）的

和V

门（L）的

输出源周六在100mA

出水槽周六在100mA

输出上升时间

OUT下降时间

直通电流

延迟V

门（H）的

到V

门（L）的

延迟V

门（L）的

到V

门（H）的

V

门（H）的

, V

门（L）的

阻力

V

门（H）的

, V

门（L）的

肖特基

测量V

CC1

– V

门（L）

;V

CC2

– V

门（H）的

测量V

门（H）的

- VPGND ;

V

门（L）的

VPGND

1V < V

门（H）的

< 9V ; 1V < V

门（L）的

< 9V

V

CC1

= V

CC2

= 12V

9V > V

门（H）的

> 1V ; 9V > V

门（L）的

＆ GT ; 1V

V

CC1

= V

CC2

= 12V

注1

V

门（H）的

下降到2V ; V

CC1

= V

CC2

= 8V

V

门（L）的

上升到2V

V

门（L）的

下降到2V ; V

CC1

= V

CC2

= 8V

V

门（H）的

上升到2V

电阻LGND

20

LGND到V

门（H）的

@ 10毫安

LGND到V

门（L）的

@ 10毫安

1.2

1.0

30

30

2.0

1.5

50

50

50

50

50

100

800

V

V

ns

ns

mA

ns

ns

k

mV

25

25

50

600

s

软启动（ SS ）

充电时间

脉冲周期

占空比

COMP钳位电压

V

FFB

SS故障停用

高门槛

s

PWM比较器

瞬态响应

V

FFB

偏置电流

s

电源电流

I

CC1

I

CC2

我的操作

CC1

我的操作

CC2

s

C

关闭

正常充电时间

延长充电时间

放电电流

（充电时间/脉冲周期）

×

100

V

FB

= 0V; V

SS

= 0

V

门（H）的

=低; V

门（L）的

= LOW

1.6

25

1.0

0.50

0.9

3.3

100

3.3

0.95

1.0

2.5

5.0

200

6.0

1.10

1.1

3.0

ms

ms

%

V

V

V

V

FFB

= 0至5V到V

门（H）的

= 9V至1V ;

V

CC1

= V

CC2

= 12V

V

FFB

= 0V

100

0.3

125

ns

A

无开关

无开关

V

FB

COMP = = V

FFB

V

FB

COMP = = V

FFB

8.5

1.6

8

2

13.5

3.0

13

5

mA

mA

mA

mA

V

FFB

= 1.5V; V

SS

= 5V

V

SS

= V

FFB

= 0

C

关闭

至5V ; V

FB

>1V

3

1.0

5.0

5.0

1.6

8.0

2.2

11.0

s

s

mA

CS5150

电气特性：

0° ℃下牛逼

A

＆ LT ; + 70°C ; 0° ℃下牛逼

J

< + 85°C ; 8V < V

CC1

< 14V ; 5V < V

CC2

< 14V ; DAC代码： V

ID2

= V

ID1

=

V

ID0

= 1; V

ID3

= 0;简历

门（L）的

和CV

门（H）的

= 1nF的;

关闭

= 330pF的;

SS

= 0.1μF ，除非另有规定。

测试条件

民

典型值

最大

参数

单位

s

超时定时器

超时时间

故障模式占空比

V

FB

= V

COMP

; V

FFB

= 2V;

记录V

门（H）的

高脉冲持续时间

V

FFB

= 0V

10

35

30

50

50

65

s

%

注1 ：由设计保证，而不是100 ％生产测试。

封装引脚说明

封装引脚＃

引脚符号

功能

16L很窄& PDIP

1,2,3,4

V

ID0

– V

ID3

电压ID DAC输入引脚。这些引脚内部上拉至5V

如果不开放提供了逻辑的。该DAC的范围是2.14V到3.54V带

100mV的增量。 V

ID0

- V

ID3

选择所需的DAC输出电压。

保留所有4 DAC输入引脚开路导致的DAC输出电压

1.244V ，允许可调的输出电压，使用传统的电阻

器分压器。

软启动引脚。从这个引脚LGND结合电容器

内部60μA电流源提供软启动功能CON组

控制器。该引脚禁止在软启动故障检测功能。当一个

检测到故障时，软启动电容由内部缓慢放电

2μA电流源设置超时时间试图重新启动IC之前。

充电/放电的30套占空比电流比为IC时，

稳压器的输出被短路。

无连接。

此引脚与地之间的电容设置的时间段为上

板一杆，其被用于恒定的关断时间的体系结构。

快速反馈连接到PWM比较器。该引脚连接

到调节器输出。内部反馈循环终止时间。

提高了电源的高压侧栅极驱动器。

高FET驱动器引脚能够1.5A峰值开关电流。内部电路

CUIT防止V

门（H）的

和V

门（L）的

从高状态的同步对

发声。

大电流地为IC 。 MOSFET驱动器是参照

该引脚。输入电容接地和较低的FET的源应该是

绑到该引脚。

较低的FET驱动器引脚能够1.5A峰值开关电流。

输入功率IC和低侧栅极驱动器。

信号地为IC 。所有的控制电路都参考该引脚。

误差放大器补偿引脚。一个接地电容应该是亲

vided外部补偿的放大器。

误差放大器的直流反馈输入。这是主电压反馈

用于设置输出电压。该管脚可以直接连接到所述

输出或遥感跟踪。

5

SS

6

7

8

9

10

NC

C

关闭

V

FFB

V

CC2

V

门（H）的

11

保护地

12

13

14

15

16

V

门（L）的

V

CC1

LGND

COMP

V

FB

4

CS5150

框图

V

CC2

V

CC1

-

+

3.90V

3.85V

V

CC1

MONITOR

比较

5V

-

60A

0.7V

+

SS低

比较

R

S

Q

Q

V

门（H）的

故障

故障

保护地

SS

2A

+

-

SS高

比较

故障

LATCH

V

CC1

V

ID0

V

ID1

V

ID2

V

ID3

4位

DAC

+

-

PWM

比较

-

慢反馈

+

错误

扩音器

2.5V

V

门（L）的

保护地

V

FB

COMP

V

FFB

最大

ON- TIME

TIMEOUT

正常

关断时间

TIMEOUT

R

S

Q

Q

PWM

LATCH

GATE （H ） = ON

门（H ）= OFF

C

关闭

单次

R

S

Q

快速反馈

-

+

EXTENDED

关断时间

TIMEOUT

V

FFB

低

比较

关断时间

TIMEOUT

C

关闭

LGND

1V

PWM

COMP

暂停

定时器

(30s)

边沿触发

应用信息

工作原理

V

2

控制方法

在V

2

控制的方法，采用的是斜坡信号，该信号gen-

由输出电容ESR的产生的。这是坡道

成正比的AC电流通过主电感

并且通过DC输出电压的值的偏移量。这

控制方案固有的补偿变化

无论是线路或负载条件下，由于斜波信号是gen-

从输出电压本身产生的。这种控制方案

不同于诸如电压模式的传统技术，

它产生一个人为的坡道，以及电流模式，

其产生从电感电流的斜坡。

PWM

比较

+

C

–

坡道

信号

COMP

错误

信号

V

门（H）的

V

门（L）的

V

FFB

产量

电压

反馈

V

FB

–

错误

扩音器

E

+

参考

电压

图1 ： V

2

控制图

在V

2

控制方法示于图1中的输出

放电压被用来产生两个误差信号和

斜坡信号。由于斜波信号是简单地输出

电压，它是通过在输出的任何变化的影响考虑以下各项

小于变化的起源。斜坡信号还CON组

包括作为输出电压，这使得装置的直流部分

该控制电路以驱动主开关为0 ％或100％

根据需要的占空比。

电源电压的变化而变化的电流斜坡的

电感器，影响斜坡信号，这将导致在V

2

控制方案，以补偿占空比。自从

改变在电感电流改变斜坡信号，如在

电流模式控制，在V

2

控制方案有

在线路瞬态响应相同的优点。

在负载电流的变化会对输出的影响

电压，改变斜波信号。立即载荷步

改变比较器的输出，它控制的状态

主开关。负载瞬态响应确定

仅由比较器的响应时间和过渡

速主开关。反应时间为输出

负载阶跃没有任何关系的交叉频率

误差信号循环中，如在传统的控制方法。

该误差信号回路可以具有低交叉频率，

因为瞬态响应是由斜坡信号循环处理。

此“慢”反馈回路的主要目的是提供一种

DC准确度。抗噪能力显著改善，

由于误差放大器的带宽可以在低被轧断

频率。增强抗噪声能力提高远程sens-

5