CS5132
CS5132
双CPU输出降压控制器
描述
该CS5132是一款双输出CPU
电源控制器。它CON组
含有一个同步双NFET
利用V降压控制器
2
TM
控制方法，实现了
最快的瞬态响应
和最佳的整体调节。该
CS5132还包含一个第二非
NFET同步降压转换
控制器。这些同步和
非同步降压型稳压器
设计的核心动力和
I / O最新的高perfor-的逻辑
曼斯的CPU。该CS5132其纳入
率的附加功能
需要，以确保正确
操作和保护
CPU和电源系统。该
CS5132双输出提供
业界集成度最高的
解决方案，最大限度地减小外部的COM
分量计数，总解决方案尺寸，
和成本。
的CS5132是专
来驱动英特尔的奔腾
¨
二亲
处理器，并且包括以下
特点： 5位DAC和固定
1.23V基准，电源就绪输出
放，打嗝模式过电流亲
tection ，自适应电压位置 -
荷兰国际集团，以及过压保护。
该CS5132将工作在一个
8.4V至14V的范围和可用
在24引脚表面贴装封装。
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
C6-C11
1200mF ×6
10V
+5V
C3-C5
1200mF ×3
10V
23
C2
1mF
20
16
C1
1mF
Q1
FS70VSJ-03
L1
1.2mH
1200mF ×8
10V
17
19
+3.3V (V
I / O
)
1
2
PCB走线
（ FreeCurrent
传感元件）
特点
同步开关
稳压器控制器（V
CORE
)
双N沟道MOSFET
同步降压设计
V
2
TM
控制拓扑
200ns的瞬态响应循环
5位DAC，具有1 ％的容差
打嗝模式过电流
保护
65ns自适应场效应管的非重叠
时间
非同步切换
稳压器控制器（V
I / O
)
单N沟道MOSFET
降压设计
可调输出与2 ％
公差
系统电源管理
奔腾
¨
II系统V
CORE
和V
I / O
通过控制
单芯片
应用框图
+12V
+12V
+5V
PCB走线（免费
电流检测
元）
3.3mW
C23-C30
V
CC （核心）
V
ID0
V
CC1
V
CC2
门（H）的
门（L）的
13
V
ID3
V
ID4
门
V
FFB2
V
FFB1
V
OUT1
V
FB2
C
OFF2
PWRGD
OVP
COMP1
22
21
5
4
C15
680pF
C14
0.1mF
R9
51W
8
6
C13
0.1mF
COMP2
C12
0.1mF
C22
100pF
R8
Q2
电源就绪输出
监视V
CORE
开关
稳压器输出
OVP信号监视器V
CORE
开关稳压器输出
24 V
ID1
V
ID2
FS70VSJ-03
Q3
L2
FS70VSJ-03
3
15
10
10K
R7
R1
510W
R5
510W
6.6mW
3.5mH
C18-C21
MBRD835L
封装选项
24L这么宽
V
ID2
V
ID3
V
ID4
C
OFF1
COMP1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
14
V
OUT2
D1
1200mF
10V
x4
V
ID1
V
ID0
PWRGD
OVP
V
CC1
GATEL
保护地
GATEH
V
CC2
门
C
OFF2
COMP2
R2
510W
C17
7 V
FB1
0.1mF
9
R3
LGND
C
OFF1
保护地
18
R6
510W
0.01mF
2K
1%
100W
R10
C25
10K
V
OUT1
V
FB1
R4
1.18K
1%
C16
390pF
V
FFB1
LGND
V
FFB2
5V / 12V至2V / 16A的
奔腾
¨
II
V
CC （核心）
， 5V / 12V至3.3V / 8A的V
I / O
V
FB2
V
OUT2
V
2
是开关电源的商标。
Pentium是Intel Corporation的注册商标。
樱桃半导体公司
2000县南径，东格林威治， RI 02818
联系电话： (401)885-3600传真： (401)885-5786
电子邮件： info@cherry-semi.com
网站： www.cherry-semi.com
牧师98年11月3日
1
A
¨
公司
CS5132
绝对最大额定值
引脚符号
V
CC1
V
CC2
COMP1 ， COMP2
引脚名称
IC逻辑和低侧驱动器电源输入
IC高侧驱动器电源输入
补偿引脚为V
CORE
和V
I / O
误差放大器。
V
最大
16V
16V
6V
V
民
-0.3V
-0.3V
-0.3V
I
来源
不适用
不适用
1mA
I
SINK
1.5A峰值
200毫安DC
3A峰值
400毫安DC
5mA
V
FB1
, V
OUT1
, V
ID0-4
, V
CORE
电压反馈输入引脚，
V
OUT2
, V
FB2
, V
FFB1
, V
CORE
输出电压检测引脚，
V
FFB2
电压ID DAC输入引脚，V
I / O
输出电压
针感，V
I / O
电压反馈输入引脚，
V
CORE
PWM比较器的快速反馈引脚，V
I / O
PWM比较器的快速反馈引脚。
C
OFF1
, C
OFF2
门（ 1H），门
关闭时间引脚为V
CORE
和V
I / O
稳压器
高侧FET驱动器的V
CORE
和V
I / O
监管机构。
低边FET驱动器
电源就绪输出
过压保护
电源地
6V
-0.3V
1mA
1mA
6V
16V
-0.3V
-0.3V
1mA
1.5A峰值
200毫安DC
1.5A峰值
200毫安DC
1mA
30mA
3A峰值
400毫安DC
40mA
50mA
1.5A峰值
200毫安DC
1.5A峰值
200毫安DC
30mA
1mA
不适用
门（L）的
PWRGD
OVP
保护地
16V
6V
15V
0V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
0V
LGND
逻辑地
0V
0V
不适用
工作结温，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至125℃的
焊接温度焊接：
回流焊（ SMD风格只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60秒最大。上述183 ° C， 230 ° C峰值
存储温度范围，T
S
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
ESD敏感性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
封装引脚说明
封装引脚＃
引脚符号
功能
23,24,1,2,3
V
IDO
V
ID4
20
17
18
19
16
15
21
22
V
CC1
门（H）的
保护地
门（L）的
V
CC2
门
OVP
PWRGD
电压ID DAC输入。这些引脚内部上拉至5.65V ，如果
敞开。 V
ID4
选择DAC范围。当V
ID4
为高电平（逻辑1 ） ，
误差放大器的参考范围是2.125V至3.525V ，具有100mV的增量
求。当V
ID4
低（逻辑0 ）时，误差放大器的参考电压
为1.325V至2.075V与50mV的增量。
输入电源引脚的内部电路和低侧栅极
驱动程序。与去耦滤波电容到PGND 。
高侧开关FET驱动器引脚V
CORE
部分。
电源地为V
CORE
和V
I / O
部分。
低侧同步FET驱动器引脚。
输入电源引脚用于机载高侧栅极驱动器。脱钩
与滤波电容到PGND 。
高侧开关FET驱动器引脚V
I / O
部分。
过压保护引脚。变高时，过压条件
在V检测
FB1
.
电源就绪输出。集电极开路输出驱动器的低时， V
FB1
is
出调控。
2
CS5132
封装引脚说明：持续
封装引脚＃
引脚符号
功能
14
13
12
11
10
9
7
6
5
C
OFF2
COMP2
V
OUT2
V
FB2
V
FFB2
LGND
V
FB1
V
OUT1
COMP1
4
8
C
OFF1
V
FFB1
关断时间的电容引脚。从这个引脚LGND电容设置关闭
时间的非同步调节器（Ⅴ
I / O
).
V
I / O
部分误差放大器的输出。 PWM比较器的反相输入。一
电容LGND提供误差放大器补偿。
V
I / O
部分限流比较器的反相输入端。
V
I / O
部分误差放大器的反相输入端的反馈。
V
I / O
PWM比较器的快速反馈的非反相输入端。 V
I / O
节
化电流限制比较器的非反相输入端。
逻辑地。
V
CORE
部分误差放大器的反相输入端， PWRGD和OVP compara-
器的输入。
V
CORE
部分限流比较器的反相输入端。
V
CORE
部分误差放大器的输出。
V
CORE
第PWM比较器
反相输入端。电容器，以提供LGND误差放大器补偿
化。
关断时间的电容引脚。从这个引脚LGND电容设置关闭
时间同步调节器（
V
CORE
).
V
CORE
部用PWM比较器的快速反馈的非反相输入端。
V
CORE
部分电流限制比较非反相输入端。
框图
V
FFB1
COMP1
C
OFF1
PWM
COMP1
V
CC1
V
CC2
- +
+
-
+
+
EA1
-
UVLO
V
FB1
1.06V
当前
Limit1
-
+
+
-
0.25V
放电
比较
R
Q
故障
Latch1
关时间1
单次
保护地
非重叠
逻辑
门（H）的
86mV
V
OUT1
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
- +
-
DAC
S
保护地
门（L）的
C
OFF2
PWM
COMP2
门
+
1.10V
-
+ -
-
+
关时间2
单次
保护地
V
FFB2
V
FB2
-
+
-
+
PWRGD
V
CC1
OVP
-
86mV
+
-
1.23V
EA2
+
+
-
0.25V
放电
比较
-
当前
Limit2
+
+ -
Q
故障
Latch2
R
V
OUT2
S
COMP2
LGND
保护地
3
CS5132
电气特性：0°C <牛逼
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; V
OUT2
3.5V, 9V V
CC1
14V, 9V V
CC2
14V ; 2.0V DAC码
(V
ID4
= V
ID3
= V
ID2
= V
ID1
= 0, V
ID0
= 1), C
门（H）的
= C
门（L）的
= C
门
=为3.3nF ，C
关闭
= 390pF ;除非另有说明。
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
输入上拉电阻
上拉电压
s
门（H）和门（L）的
高压电流100mA
低压电流100mA
上升时间
下降时间
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
栅极下拉
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
25
5.48
50
5.65
100
5.82
k½
V
测量V
CC1/2
-GATE （L） / （H）的
测量门（ L） / （H ）
1.6V < GATE （H） / （L） < （Ⅴ
CC1/2
2.5V)
(V
CC1/2
- 2.5V ） > GATE （ L） / （H ） > 1.6V
门（H）的<2V ， GATE （L）的>2V
30
门（L）的<2V ， GATE （H）的>2V
30
抗地线（注1 ）
20
1.2
1.0
40
40
65
65
50
2.1
1.5
80
80
100
100
115
V
V
ns
ns
ns
ns
k½
s
V
CORE
过电流保护
OVC比较器的失调电压为0V < V
OUT1
3.5V
放电阈值电压
V
OUT1
偏置电流
0.2V V
OUT1
3.5V
OVC锁存放电电流
V
COMP
= 1V
s
PWM比较器1
PWM比较器的失调电压为0V V
FFB1
3.5V
瞬态响应
V
FFB1
= 0 3.5V
0.2V V
FFB1
3.5V
V
FFB1
偏置电流
s
C
OFF1
关断时间
充电电流
放电电流
s
电源就绪输出
PWRGD灌电流
PWRGD阈值上限
PWRGD阈值下限
PWRGD输出低电压
77
0.2
-7.0
100
86
0.25
0.1
800
101
0.3
7.0
2500
mV
V
A
A
0.95
-7.0
1.06
200
0.1
1.18
300
7.0
V
ns
A
1.0
V
COFF1
= 1.5V
V
COFF1
= 1.5V
1.6
550
25
2.3
s
A
mA
V
FB1
= 1.7V, V
PWRGD
= 5V
％标称DAC的代码
％标称DAC的代码
V
FB1
= 1.7V ，我
PWRGD
= 500A
0.5
5
-12
4
8.5
-8.5
0.2
15
12
-5
0.3
mA
%
%
V
s
过电压保护（ OVP ）输出
OVP源电流
OVP = 1V
OVP阈值
％标称DAC的代码
OVP上拉电压
I
OVP
= 1mA时， V
CC1
- V
OVP
s
V
I / O
开关稳压误差放大器
V
FB2
= 0V
V
FB2
偏置电流
COMP2源电流
COMP2 = 1.2V至3.6V ; V
FB2
= 1V
COMP2灌电流
COMP2 = 1.2V ; V
FB2
=1.4V;
开环增益
C
COMP2
= 0.1F
1
5
10
8.5
1.1
25
12
1.5
mA
%
V
-1.0
15
30
0.1
30
60
80
1.0
60
120
A
A
A
dB
5
QQ：2880707522 复制
