CS51312
CS51312
CPU同步降压控制器
对于只有12V的应用
描述
该CS51312是同步双
NFET降压稳压器控制器。这是
设计的核心逻辑供电
最新的高性能CPU和
从ASIC的单路12V的输入。它使用
TM
在V
2
控制方法来实现
最快的瞬态响应
和最佳的整体调节。该断路器中
porates许多附加功能
必须确保正确操作
化和保护的CPU和
动力系统。该CS51312提供
业界集成度最高的
解决方案，最大限度地减少外部元件
新界东北计数，总解决方案尺寸和
成本。
该CS51312是专
来驱动英特尔的奔腾
II处理器
并包括以下功能：
5位DAC， 1.2 ％的容差，
电源良好输出，过流保护打嗝
杯模式，过压保护
保护，V
CC
监控，软启动，
自适应电压定位，适配
略去场效应晶体管非重叠时间，以及
远程感。该CS51312将能操作
吃了一个9V至20V （V
CC2
）范围
采用单或双输入电压
年龄和提供16引脚窄
机身表面贴装封装。
特点
s
同步开关
稳压器控制器的CPU
V
CORE
s
双N沟道MOSFET
同步降压设计
s
V
2
TM
控制拓扑
s
200ns的瞬态响应循环
s
5位DAC，具有1.2 ％容差
s
打嗝模式过电流
保护
s
40ns的门上升和下降时间
（为3.3nF负载）
s
65ns自适应场效应管的非重叠
时间
s
自适应电压定位
s
电源就绪输出监视器
稳压器输出
s
5V / 12V或12V-只操作
s
V
CC
显示器提供下
欠压锁定
s
输出过压保护稳压器显示器
产量
s
多功能COMP引脚
提供使能，软启动，
和打嗝的时间
除了控制回路
赔偿金
应用框图
12V
C1
1.0F
D1
SS16GICT-ND
C2 C3 C4
+
+
+
12V
R1
22
D2
ZM4746ACT-ND
R2
200
C9
0.01F
220F
16SV220
FY10AAJ-03A
Q1
R3
FY10AAJ-03A
Q2
FY10AAJ-03A
10
12
11
13
14
C6
0.010F
C11 C12 C13
L1
1.2H
R4
0.004
+
+
+
+
+
封装选项
470F
C10
1F
10k
15
16
1
2
3
4
5
9
8
16引脚SO窄
VID0
VID1
1
C19
1000pF
启用
C
关闭
V
CC2
V
CC1
V
FB
COMP
V
ID0
门（H）的
门（L）的
V
ID1
CS51312
V
ID2
GND
OVP
V
ID3
V
ID4
V
OUT
PWRGD
7
6
Q3
1.25V至3.5V
470F
T510X477K006AS4394
C14 C15
COMP
C
关闭
PWRGD
OVP
门（L）的
GND
门（H）的
V
CC2
FY10AAJ-03A
OVP
1
1
VID2
VID3
VID4
Q4
DAC
PWRGD
D3
SS12GICT-ND
V
FB
V
OUT
V
CC1
12V到16A的高性能变频器。
V
2
是开关电源的商标。
Pentium是Intel Corporation的注册商标。
樱桃半导体公司
2000县南径，东格林威治， RI 02818
联系电话： (401)885-3600传真： (401)885-5786
电子邮件： info@cherry-semi.com
网站： www.cherry-semi.com
牧师99年3月11日
1
A
公司
CS51312
绝对最大额定值
工作结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
无铅焊接温度
回流焊（ SMD风格只） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.60秒。上面最大183 ° C， 230 ° C峰值
存储温度范围，T
S
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °到150℃
ESD敏感性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2kV的
引脚符号
引脚名称
V
最大
16V
20V
6V
6V
V
民
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
I
来源
不适用
不适用
1mA
1mA
I
SINK
1.5A峰值
200mA
1.5A峰值
200mA
5mA
1mA
V
CC1
V
CC2
COMP
V
FB
, V
OUT
, V
ID0-4
C
关闭
门（H）的
门（L）的
PWRGD
OVP
GND
IC偏置电压和低侧驱动器
电源输入
IC高侧驱动器电源输入
补偿引脚
电压反馈输入，输出
电压检测引脚，电压
ID DAC输入
关断时间引脚
高侧FET驱动器
低边FET驱动器
电源就绪输出
过压保护
地
6V
20V
16V
6V
15V
0V
-0.3V
-0.3V DC
-0.3V
-0.3V
0V
1mA
50mA
1.5APeak
1.5A峰值
200毫安DC 200毫安DC
1mA
30mA
30mA
1mA
1.5A峰值
不适用
200毫安DC
封装引脚说明
封装引脚＃
引脚符号
功能
1,2,3,4,5
V
IDO
– V
ID4
6
V
FB
V
OUT
V
CC1
V
CC2
门（H）的
GND
门（L）的
OVP
PWRGD
C
关闭
COMP
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
电压ID DAC输入。这些引脚内部上拉至
5.65V ，如果不开放。 V
ID4
选择DAC范围。当V
ID4
is
高（逻辑1 ）时，误差放大器的参考范围是2.125V至
3.525V ，具有100mV的增量。当V
ID4
低（逻辑0 ） ，
误差放大器的参考电压为1.325V至2.075V以50mV的
增量。
误差放大器的反相输入端， PWM比较器的非反相
输入时，电流限制比较器的非反相输入端， PWRGD
和OVP比较器输入。
电流限制比较器的反相输入端。
输入电源引脚的内部电路和低压侧
栅极驱动器。与去耦滤波电容到GND。
输入电源引脚为高侧栅极驱动器。
与去耦滤波电容到GND。
高侧开关FET驱动器引脚。
接地引脚与IC载板的连接。
低侧同步FET驱动器引脚。
过压保护引脚。驱动高过压时，
在V检测条件
FB
.
电源就绪输出。集电极开路输出驱动器时低
V
FB
超出规定的。
关断时间的电容引脚。此引脚与GND台电容器
关断时间的调节器
误差放大器的输出。 PWM比较器的反相输入。
该引脚上的电容提供误差放大器补偿和
决定了软启动和打嗝时间。拉COMP
低于1.1V （典型值）关闭两个栅极驱动器和关闭
的调节器。
2
CS51312
电气特性：0°C <牛逼
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125℃ ; 9V < V
CC1
< 14V ; 9V
≤
V
CC2
≤
20V;
2.0V DAC码（V
ID4
= V
ID3
=V
ID2
= V
ID1
= 0, V
ID0
= 1), C
门（H）的
= C
门（L）的
=为3.3nF ，C
关闭
= 390pF ;除非另有说明。
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
线路调整
输入阈值
输入上拉电阻
上拉电压
s
门（H）和门（L）的
高压电流100mA
低压电流100mA
上升时间
下降时间
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
栅极下拉
s
过电流保护
OVC比较器的失调电压
放电阈值电压
V
OUT
偏置电流
OVC锁存放电电流
s
PWM比较器
9V
≤
V
CC1
≤
14V
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
1.00
25
5.48
0.01
1.25
50
5.65
2.40
100
5.82
%/V
V
k
V
测量V
CC1/2
-GATE （L） / （H）的
测量门（ L） / （H ）
1.6V < GATE （H） / （L） < （Ⅴ
CC1/2
– 2.5V)
(V
CC1/2
- 2.5V ） > GATE （ L） / （H ） > 1.6V
GATE （H ） <2V ， GATE （ L） >2V ，V
CC1/2
= 12V 30
GATE （L ） <2V ， GATE （H ） >2V ，V
CC1/2
= 12V
电阻到GND （注2）
30
20
1.2
1.0
40
40
65
65
50
2.1
1.5
80
80
110
110
115
V
V
ns
ns
ns
ns
k
0V
≤
V
OUT
≤
3.5V
0.2V
≤
V
OUT
≤
3.5V
V
COMP
= 1V
77
0.2
-7.0
100
86
0.25
0.1
800
101
0.3
7.0
2500
mV
V
A
A
PWM比较器的失调电压为0V
≤
V
FB
≤
3.5V
瞬态响应
s
C
关闭
关断时间
充电电流
放电电流
s
电源就绪输出
PWRGD灌电流
PWRGD阈值上限
PWRGD阈值下限
PWRGD输出低电压
V
FB
= 1.7V, V
PWRGD
= 1V
％标称DAC的代码
％标称DAC的代码
V
FB
= 1.7V ，我
PWRGD
= 500A
V
COFF
= 1.5V
V
COFF
= 1.5V
V
FB
= 0 3.5V
0.99
1.10
200
1.23
300
V
ns
1.0
1.6
550
25
2.3
s
A
mA
0.5
5
-12
4
8.5
-8.5
0.2
15
12
-5
0.3
mA
%
%
V
s
过电压保护（ OVP ）输出
OVP源电流
OVP阈值
OVP上拉电压
OVP = 1V
％标称DAC的代码
I
OVP
= 1mA时， V
CC1
- V
OVP
1
5
10
8.5
1.1
25
12
1.5
mA
%
V
4
CS51312
电气特性：0°C <牛逼
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125℃ ; 9V < V
CC1
< 14V ; 9V
≤
V
CC2
≤
20V;
2.0V DAC码（V
ID4
= V
ID3
=V
ID2
= V
ID1
= 0, V
ID0
= 1), C
门（H）的
= C
门（L）的
=为3.3nF ，C
关闭
= 390pF ;除非另有说明。
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
s
通用电气规格
V
CC1
显示器启动阈值
V
CC1
监视停止阈值
迟滞
V
CC1
电源电流
V
CC2
电源电流
启动 - 停止
到GATE （ 1H），门（L）的无负载
到GATE （ 1H），门（L）的无负载
7.9
7.6
0.15
8.4
8.1
0.30
9.5
2.5
8.9
8.6
0.60
16
4.5
V
V
V
mA
mA
注1 ：在一个典型的应用与V的IC功耗
CC
= 12V ，开关频率f
SW
= 250kHz的， 50NC
的MOSFET和R
θJA
= 115 ° C / W产生的工作结温上升约52 ℃，结温
77℃ perature为25 ° C的环境温度。
注2 ：设计保证，而不是100 ％生产测试。
框图
V
FB
1.1V
-
+
-
+
EA
COMP
PWM COMP
+
-
关闭
时间
C
关闭
V
OUT
+
-
0.25V
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
DAC
UVLO
V
CC1
V
CC2
门（H）的
+
-
+
-
V
CC1
OVP
PWRGD
5
+
-
电流限制
+
86mV
-
-
+
放电
COMP
R
Q
故障
LATCH
S
非重叠
逻辑
门（L）的
GND
CS51312
同步CPU
降压控制器
12 V只有应用
该CS51312是同步双NFET降压稳压器
控制器。它被设计为最新的高核心逻辑电源
从一个单一的12 V输入性能的CPU和ASIC的。它使用
V
2
控制的方法来实现尽可能快的瞬态响应
和最佳的整体调节。它集成了许多附加功能
要求保证CPU的正常工作和保护
动力系统。该CS51312提供了业界最高度
集成的解决方案，最大限度地减少了外部元件数量，总
解决方案的尺寸和成本。
该CS51312是专门设计来驱动英特尔的奔腾II
处理器，并包括以下功能： 5位DAC， 1.2 ％
宽容，电源良好输出，过流保护打嗝模式保护，
过电压保护，V
CC
监控，软启动，自适应电压
定位，自适应FET非重叠时间，以及远程感。该
CS51312将工作在9.0到20V （Ⅴ
CC2
）使用范围或者
单路或双路输入电压，并在16引脚窄体可用
表面贴装封装。
特点
同步开关稳压控制器CPU V
CORE
双N沟道MOSFET同步降压设计
V
2
控制拓扑
200 ns的瞬态响应循环
5位DAC， 1.2 ％容差
打嗝模式过流保护
40 ns的门上升和下降时间（ 3.3 nF的负载）
65毫微秒的自适应场效应非重叠时间
自适应电压定位
电源良好输出监控稳压器输出
5.0 V / 12 V或12 V-只有操作
V
CC
显示器提供欠压锁定
OVP监视器输出稳压器输出
多功能COMP引脚提供使能，软启动和
打嗝时间除了控制环路补偿
http://onsemi.com
16
1
SO16
后缀
CASE 751B
标记图
16
CS51312
AWLYWW
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
V
ID4
V
FB
V
OUT
V
CC1
1
16
COMP
C
关闭
PWRGD
OVP
门（L）的
GND
门（H）的
V
CC2
订购信息
设备
CS51312GD16
CS51312GDR16
包
SO16
SO16
航运
48单位/铁
2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年7月
第3版
1
出版订单号：
CS51312/D
CS51312
电气特性
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 9.0 V < V
CC1
< 14 V ; 9.0 V
≤
V
CC2
≤
20 V;
2.0 V DAC码（V
ID4
= V
ID3
= V
ID2
= V
ID1
= 0, V
ID0
= 1.0) C
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的，C
关闭
= 390 pF的;除非另有规定）。
特征
电压识别DAC
测量V
FB
= V
COMP
, V
CC
= 12五，注意事项2
755C
3
T
J
3
1255C
V
ID4
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
V
ID3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
ID2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
V
ID1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
V
ID0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
民
3.483
3.384
3.285
3.186
3.087
2.989
2.890
2.791
2.692
2.594
2.495
2.396
2.297
2.198
2.099
2.050
2.001
1.953
1.904
1.854
1.805
1.755
1.706
1.656
1.607
1.558
1.508
1.459
1.409
1.360
1.310
1.225
典型值
3.525
3.425
3.325
3.225
3.125
3.025
2.925
2.825
2.725
2.625
2.525
2.425
2.325
2.225
2.125
2.075
2.025
1.975
1.925
1.875
1.825
1.775
1.725
1.675
1.625
1.575
1.525
1.475
1.425
1.375
1.325
1.250
最大
3.567
3.466
3.365
3.264
3.163
3.061
2.960
2.859
2.758
2.657
2.555
2.454
2.353
2.252
2.151
2.100
2.049
1.997
1.946
1.896
1.845
1.795
1.744
1.694
1.643
1.593
1.542
1.491
1.441
1.390
1.340
1.275
±允差
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.2%
1.1%
1.1%
1.1%
1.1%
1.1%
1.1%
1.1%
1.1%
1.1%
1.1%
1.1%
1.1%
1.1%
1.1%
2.0%
民
3.455
3.357
3.259
3.161
3.063
2.965
2.875
2.777
2.679
2.580
2.482
2.389
2.290
2.192
2.093
2.044
1.995
1.945
1.896
1.847
1.798
1.748
1.699
1.650
1.601
1.551
1.502
1.453
1.404
1.354
1.305
1.225
255C
3
T
J
3
755C
典型值
3.525
3.425
3.325
3.225
3.125
3.025
2.925
2.825
2.725
2.625
2.525
2.425
2.325
2.225
2.125
2.075
2.025
1.975
1.925
1.875
1.825
1.775
1.725
1.675
1.625
1.575
1.525
1.475
1.425
1.375
1.325
1.250
最大
3.596
3.494
3.392
3.290
3.188
3.086
2.975
2.873
2.771
2.670
2.568
2.461
2.360
2.258
2.157
2.106
2.055
2.005
1.954
1.903
1.852
1.802
1.751
1.700
1.649
1.599
1.548
1.497
1.446
1.396
1.345
1.275
±允差
2.0%
2.0%
2.0%
2.0%
2.0%
2.0%
1.7%
1.7%
1.7%
1.7%
1.7%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
1.5%
2.0%
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
测试条件
2.在一个典型的应用程序与V的IC功耗
CC
= 12 V ，开关频率f
SW
= 250千赫， 50 NC的MOSFET和R
θJA
= 115 ° C / W
产生的工作结温上升约52℃ ，和77° C的结温与环境温度
为25℃ 。
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4
CS51312
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 9.0 V < V
CC1
< 14 V ; 9.0 V
≤
V
CC2
≤
20 V;
2.0 V DAC码（V
ID4
= V
ID3
= V
ID2
= V
ID1
= 0, V
ID0
= 1.0) C
门（H）的
= C
门（L）的
= 3.3 nF的，C
关闭
= 390 pF的;除非另有规定）。
特征
电压识别DAC （续）
线路调整
输入阈值
输入上拉电阻
上拉电压
误差放大器器
V
FB
偏置电流
COMP源电流
COMP灌电流
开环增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
跨
输出阻抗
门（H）和门（L）的
高压电流为100 mA
低压电流为100 mA
上升时间
下降时间
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
栅极下拉
过电流保护
OVC比较器的失调电压
放电阈值电压
V
OUT
偏置电流
OVC锁存放电电流
PWM比较器
PWM比较器的失调电压
瞬态响应
C
关闭
关断时间
充电电流
放电电流
V
COFF
= 1.5 V
V
COFF
= 1.5 V
1.0
1.6
550
25
2.3
μs
μA
mA
0 V
≤
V
FB
≤
3.5 V
V
FB
= 0 3.5 V
0.99
1.1
200
1.23
300
V
ns
0.2 V
≤
V
OUT
≤
3.5 V
V
COMP
= 1.0 V
0 V
≤
V
OUT
≤
3.5 V
77
0.2
7.0
100
86
0.25
0.1
800
101
0.3
7.0
2500
mV
V
μA
μA
测量V
CC1/2
门（L） / （H）的
测量门（ L） / （H ）
1.6 V < GATE （H ） / （ L） < （V
CC1/2
2.5 V)
(V
CC1/2
2.5 V ） > GATE （ L） / （H ） > 1.6 V
GATE （H ） < 2.0 V， GATE （ L） > 2.0 V，
V
CC1/2
= 12 V
GATE （ L） < 2.0 V， GATE （H ） > 2.0 V，
V
CC1/2
= 12 V
电阻到GND 。注3
30
30
20
1.2
1.0
40
40
65
65
50
2.1
1.5
80
80
110
110
115
V
V
ns
ns
ns
ns
kΩ
0.2 V
≤
V
FB
≤
3.5 V
V
COMP
= 1.2 V至3.6 V ，V
FB
= 1.9 V
V
COMP
= 1.2 V, V
FB
= 2.1 V
C
COMP
= 0.1
μF
C
COMP
= 0.1
μF
C
COMP
= 0.1
μF
7.0
15
30
0.1
30
60
80
50
70
32
0.5
7.0
60
120
μA
μA
μA
dB
千赫
dB
mmho
MΩ
9.0 V
≤
V
CC
≤
14 V
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
V
ID4
, V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
1.0
25
5.48
0.01
1.25
50
5.65
2.4
100
5.82
%/V
V
kΩ
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
3.由设计保证，而不是100 ％生产测试。
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5
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