添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第208页 > CS5126
CS5124 , CS5126
高性能,
集成的电流模式
PWM控制器
的CS5124 / 6是一个固定频率电流模式控制器
专门用于在发现DC-DC变换器的设计
电信业。该CS5124 / 6集成了很多
通常所需的电流模式电源的功能,并允许
电源设计人员能够实现大量的成本和电路板空间
节约。积矩阵如下:
CS5124 : 400 kHz的W / V
BIAS
针, 195 mV的第一个电流检测门限。
CS5126 : 200 kHz的W / SYNC引脚, 335 mV的第一个电流检测门限。
该CS5124 / 6集成了以下功能:内部振荡器,
斜率补偿,休眠/关机,欠压锁定,热
关断,软启动定时器,低电压电流检测电阻式
传感,第二电流阈值脉冲通过脉冲过流
保护,一个直接光电耦合器接口和前沿电流
消隐。
该CS5124 / 6有7.7 V至20 V电源电压范围,并提供中
8引脚SOIC窄封装。
特点
http://onsemi.com
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
引脚连接和
标记图
1
CS5124
8
CS512
ALYW4
G
1
CS5126
8
5126
ALYW
G
V
CC
BIAS
UVLO
SS
GND
I
SENSE
V
FB
在线监测UVLO
低电流检测电压的电阻电流检测
外部同步到更高或更低频率振荡器
(仅CS5126 )
偏置启动电路( CS5124只)
热关断
睡眠ON / OFF端子
软启动计时器
前沿消隐
直接光电耦合器接口
90 ns的传播延迟
35 ns的驱动器上升和下降时间
睡眠模式
无铅包可用
V
CC
UVLO
SYNC
SS
GND
I
SENSE
V
FB
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
CS5124XD8
CS5124XD8G
CS5124XDR8
CS5124XDR8G
CS5126XD8
CS5126XDR8
SOIC8
SOIC8
(无铅)
SOIC8
SOIC8
(无铅)
SOIC8
SOIC8
航运
95单位/铁
95单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
95单位/铁
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年9月 - 修订版6
出版订单号:
CS5124/D
CS5124 , CS5126
3675V
IN
L1
10
mH
R2
200 k
C2
1.5
mF
100 V
R5
17.4 k
R1
510 k
CTX1514514
T1
Q1
ZVN3310A D4
R4
10
W
BAS16LT1
Q2
IRFR220
C4
0.47
mF
25 V
V
CC
BIAS
启用
UVLO
CS5124
C9
1000 pF的
SS
C7
0.1
mF
V
FB
C8
1000 pF的
GND
U2
I
S
0.01
mF
D1
5V
OUT
MBRD360CT
R3
47
W
C1
0.1
mF
100 V
C3
0.022
mF
R6
1.0 k
R7
30.1 k
R8
0.39
W
C6
C5
47
mF
10 V
TPS5908
R9
10 k
48VRTN
隔离
RTN
图1. CS5124应用框图
最大额定值
等级
工作结温,T
J
存储温度范围,T
S
ESD敏感性(人体模型)
焊接温度焊接:
回流焊: (只SMD样式) (注1 )
价值
-40至135
-40至150
2.0
230峰
单位
°C
°C
kV
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
第二个最大以上183℃一60 。
最大额定值
引脚名称
V
CC
电源输入
时钟同步输入
V
CC
钳位输出
UVLO关断输入
软启动电容输入
电压反馈输入。
电流检测输入
栅极驱动输出
引脚符号
V
CC
SYNC ( CS5126 )
V
BIAS
(CS5124)
UVLO
SS
V
FB
I
SENSE
V
最大
20 V
20 V
20 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
0V
20 V
V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0V
0.3 V
I
来源
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
3.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
1.5 A峰值
200毫安DC
I
SINK
1.5 A峰值
200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
2.0毫安
20毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.5 A峰值
200毫安DC
http://onsemi.com
2
CS5124 , CS5126
电气特性
(40°C
T
J
125°C; 40°C
T
A
105 ° C, 7.60 V
V
CC
20 V , UVLO = 3.0 V,
I
SENSE
= 0 V ,C
V( CC )
= 0.33
MF,
C
= 1.0 nF的( ESR = 10
W);
C
SS
= 470 pF的;
V( FB )
= 100pF的,除非另有说明)。
特征
一般
I
CC
工作 - V
不转换
I
CC
在V
CC
I
CC
睡觉
低V
CC
封锁
V
CC
导通阈值电压
V
CC
关断阈值电压
V
CC
迟滞
UVLO
睡眠阈值电压
睡眠阈值电压
睡眠滞后
UVLO关断阈值电压
UVLO开启阈值电压
UVLO迟滞
UVLO迟滞
UVLO输入偏置电流
UVLO钳位
V
CC
钳位和偏置引脚
V
CC
钳位电压
BIAS最小电压
BIAS钳
稳压V之间的差异
CC
&放大器; V
CC
导通阈值电压
200 kHz振荡器
工作频率
最大占空比钳位
斜率补偿
(正常操作)
斜率补偿
(同步操作)
SYNC输入阈值电压
SYNC输入阻抗
400 kHz振荡器
工作频率
最大占空比钳位
斜率补偿
(注2 )
测量SYNC = 1.0 V & 10 V
CS5124仅
360
80.0
15
400
82.5
21
440
85.0
26
千赫
%
毫伏/ M
σ
(注2 )
(注2 )
导通 - 关断( -40°C
T
J
100 ° C) (注2 )
导通 - 关断( 100℃
T
J
125°C ) (注2 )
随着UVLO下沉1.0毫安
UVLO下降
UVLO增加
1.5
35
2.3
2.50
170
50
1.0
5.0
1.8
1.88
85
2.45
2.63
185
185
7.5
2.3
2.45
150
2.6
2.76
200
400
1.0
12
V
V
mV
V
V
mV
mV
mA
V
7.2
6.8
350
7.7
7.3
425
8.3
7.8
500
V
V
mV
V
CC
= 6.0 V
V
UVL
= 1.0 V
10
500
210
13
750
275
mA
mA
mA
测试条件
典型值
最大
单位
CS5124而已。连接一个NFET如下: BIAS = G ,V
CC
= S ,V
IN
= D.
36 V
V
IN
60 V , 200 nF的
C
SS
500 nF的,
R = 500千
测量电压的偏压:
10 V
V
CC
20 V & 50
mA
I
BIAS
1.0毫安
随着BIAS引脚下沉1.0毫安
(V
CC
钳位电压) - (V
CC
导通阈值)
CS5126仅
175
78
12
200
82.5
18
225
85
23
千赫
%
毫伏/ M
σ
毫伏/ M
σ
V
kW
7.275
1.6
12
100
7.9
2.8
15
8.625
4.0
20
V
V
V
mV
7.0
1.0
50
12
2.0
120
16
3.0
230
2.在生产测试。规格为设计保证。
http://onsemi.com
3
CS5124 , CS5126
电气特性(续)
(40°C
T
J
125°C; 40°C
T
A
105 ° C, 7.60 V
V
CC
20 V , UVLO = 3.0 V,
I
SENSE
= 0 V ,C
V( CC )
= 0.33
MF,
C
= 1.0 nF的( ESR = 10
W);
C
SS
= 470 pF的;
V( FB )
= 100pF的,除非另有说明)。
特征
软启动
软启动充电电流
软启动放电电流
V
SS
电压时, V
FB
开始
上升
山顶软启动充电电压
谷软启动放电电压
电流检测
第一个电流检测门限
第二电流检测门限
I
SENSE
到GATE支柱。延迟
前沿消隐时间
内部偏移
电流检测
第一个电流检测门限
第二电流检测门限
I
SENSE
到GATE支柱。延迟
前沿消隐时间
内部偏移
电压反馈
V
FB
拉RES 。
V
FB
钳位电压
V
FB
钳位电压
V
FB
故障电压阈值
输出栅极驱动
最大睡眠下拉电压
门高(AC)的
门低(交流)
门高钳位电压
上升时间
下降时间
热关断
热关断温度
热启动温度
热滞
(注3)栅极低
(注3 )栅极开关
(注3)
135
100
15
150
125
25
165
150
35
°C
°C
°C
V
CC
= 6.0 V,I
OUT
= 1.0毫安
串联电阻< 1.0
W,
(注3)
串联电阻< 1.0
W,
(注3)
V
CC
= 20 V
测量门的上升时间,
1.0 V < GATE < 9.0 V V
CC
= 12 V
测量门下降时间,
9.0 V > GATE > 1.0 V V
CC
= 12 V
V
CC
1.0
11.0
1.2
V
CC
0.5
0.0
13.5
45
25
2.0
0.5
16.0
65
55
V
V
V
V
ns
ns
CS5124仅
CS5126仅
2.9
2.63
2.40
460
4.3
2.90
2.65
490
8.1
3.15
290
520
kW
V
V
mV
CS5124仅
在最大占空比
0 700 mV的脉冲进入我
SENSE
(消隐时间后)
0至400 mV的脉冲进入我
SENSE
注3
CS5126仅
在最大占空比
0 800 mV的脉冲进入我
SENSE
(消隐时间后)
0至550 mV的脉冲进入我
SENSE
(注3)
300
485
60
110
335
525
90
175
125
360
575
130
210
mV
mV
ns
ns
mV
170
250
60
90
195
275
90
130
60
215
315
130
180
mV
mV
ns
ns
mV
V
FB
- 300毫伏
7.0
0.5
1.40
4.7
200
10
10.0
1.62
4.9
275
13
1.80
400
mA
mA
V
V
mV
测试条件
典型值
最大
单位
3.在生产测试。规格为设计保证。
http://onsemi.com
4
CS5124 , CS5126
封装引脚说明
封装引脚#
CS5124
1
2
3
4
5
CS5126
1
3
2
4
5
V
CC
BIAS
SYNC
UVLO
SS
V
FB
V
CC
电源输入引脚。
V
CC
钳制输出引脚。该管脚控制的N沟道MOSFET,进而调节Vcc的栅极。
该引脚在内部钳位在15 V时, IC处于睡眠模式。
时钟同步引脚。一个上升沿将终止在当前PWM周期。该接地引脚,当
不被使用。
睡眠和欠压锁定引脚。电压大于1.8 V导致芯片“唤醒”然而,
在GATE仍然很低。电压大于2.6 V这个引脚允许输出切换。
软启动电容引脚。电容器放置SS和地之间装有10
mA
并显示
充电10毫安。软启动电容同时控制软启动时间和打嗝模式频率。
电压反馈引脚。光耦合器的集电极通常连接到该引脚。这个引脚上拉
内部由一个4.3千瓦的电阻, 5.0 V和内部钳位在2.9 V( 2.65 V) 。如果V
FB
拉> 4.0 V,
振荡器被禁止, GATE将保持高位。如果在V
FB
引脚被拉低< 0.49 V, GATE将保持在低水平。
电流检测引脚。该引脚被连接到初级侧上的电流检测电阻。如果V
FB
是悬空
ING的GATE将变低,如果我
SENSE
= 195毫伏( 335毫伏) 。如果我
SENSE
> 275毫伏( 525毫伏) ,软启动会
发起。
栅极驱动输出引脚。能够驱动一个3.0 nF的负载。 GATE名义上钳位到13.5 V.
接地引脚。
描述
6
6
I
SENSE
7
8
7
8
GND
http://onsemi.com
5
CS5124/6
CS5124/6
高性能,集成的电流模式
PWM控制器
描述
的CS5124 / 6是一个固定频率
电流模式控制器设计
专为DC-DC转换
在电信中找到
业。该CS5124 / 6集成
许多常用所需的电流
式电源的功能和
允许电源设计人员
实现大量的成本和电路板
节省空间。积矩阵是
如下:
CS5124 : 400kHz的W / V
BIAS
销,
195mV第一电流检测门限
CS5126 : 200kHz的W / SYNC引脚,
335mV第一电流检测门限
该CS5124 / 6集成了后续
荷兰国际集团的特点:内部振荡器,斜坡
补偿,睡眠开/关,下
欠压锁定,热
关机,软启动定时器,低
电压电流检测电阻式
传感,第二电流阈值
对于逐脉冲过流保护
保护,一个直接光电耦合器
接口和前沿电流
消隐。
该CS5124 / 6的供应范围
7.7V至20V ,并采用8引脚
如此狭窄包。
特点
s
在线监测UVLO
s
低电流检测
电压电阻
电流检测
s
外部同步
以较高或较低
频率振荡器
(仅CS5126 )
s
偏置启动了电路
( CS5124 ONLY)
s
热关断
s
睡眠ON / OFF端子
s
软启动计时器
s
前沿消隐
s
直接光电耦合器
接口
s
为90ns传播延迟
应用图
s
为35ns驱动兴衰
s
睡眠模式
D1
36-75VIN
L1
10H
R2
200k
C2
1.5F,
100V
R1
510k
Q1
ZVN3310A
R4
10
R5
17.4k
CTX15-14514
T1
5VOUT
MBRD360CT
D4
R3
47
Q2
IRFR220
R8
0.39
封装选项
8引脚SO窄
CS5124
BAS16LT1
C1
0.1F,
100V
C4
0.47F,
25V
C3
.022F
R6
1k
C6
R7
30.1k
C5
47F,
10V
V
CC
BIAS
UVLO
1
GND
V
CC
BIAS
启用
UVLO
SS
C7
0.1F
GND
IS
U2
I
SENSE
V
FB
.01F
CS5124
C9
1000pF
SS
C8
1000pF
V
FB
TPS5908
R9
10.0k
隔离
RTN
CS5126
V
CC
UVLO
SYNC
1
GND
48VRTN
I
SENSE
V
FB
48V至5V , 1A反激转换器使用的CS5124
SS
樱桃半导体公司
2000县南径,东格林威治, RI 02818
联系电话: (401)885-3600传真: (401)885-5786
电子邮件: info@cherry-semi.com
网站: www.cherry-semi.com
牧师99年3月12日
1
A
公司
CS5124/6
绝对最大额定值
引脚符号
铅名称
V
最大
20V
20V
20V
6V
6V
6V
6V
0V
20V
V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
0V
-0.3V
I
来源
1mA
1mA
1mA
1mA
1mA
3mA
1mA
1.5A峰值
200毫安DC
1.5A峰值
200毫安DC
I
SINK
1.5A峰值
200毫安DC
1mA
1mA
1mA
2mA
20mA
1mA
1mA
1.5A峰值
200毫安DC
V
CC
SYNC ( CS5126 )
V
BIAS
(CS5124)
UVLO
SS
V
FB
I
SENSE
V
CC
电源输入
时钟同步输入
V
CC
钳位输出
UVLO关断输入
软启动电容输入
电压反馈输入
电流检测输入
栅极驱动输出
工作结温,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ℃135℃
存储温度范围,T
S
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ℃150℃
ESD(人体模型) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2kV
ESD(机器型号) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .200V
焊接温度焊接:
回流焊( SMD风格只) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.60秒。上面最大183 ° C, 230 ° C峰值
电气特性: -40°C
T
J
125°C, -40°C
T
A
105 ° C, 7.60V
V
CC
20V , UVLO = 3.0V ,我
SENSE
= 0V,
C
V( CC )
= 0.33μF ,C
= 1nF的( ESR = 10Ω ) ,C
SS
= 470pF的
V( FB )
= 100pF的
,
除非另有说明。
参数
测试条件
典型值
最大
单位
s
一般
I
CC
工作 - V
不切换。
I
CC
在V
CC
I
CC
睡觉
s
低V
CC
封锁
V
CC
导通阈值电压
V
CC
关断阈值电压
V
CC
迟滞
s
UVLO
睡眠阈值电压
睡眠阈值电压
睡眠滞后
UVLO TURN -OFF
阈值电压
UVLO开启
阈值电压
UVLO迟滞
UVLO迟滞
UVLO输入偏置电流
UVLO钳位
V
CC
= 6V
V
UVL
= 1V
10
500
210
13
750
275
mA
A
A
7.2
6.8
350
7.7
7.3
425
8.3
7.8
500
V
V
mV
UVLO下降
UVLO增加
(注1 )
(注1 )
开启 - 关机( -40°C
T
J
100°C)
(注1 )
导通 - 关断的( 100℃
T
J
125°C)
(注1 )
随着UVLO下沉为1mA。
1.5
35
2.3
2.50
170
50
-1
5
1.8
1.88
85
2.45
2.63
185
185
2.3
2.45
150
2.6
2.76
200
400
1
12
V
V
mV
V
V
mV
mV
A
V
7.5
2
CS5124/6
电气特性: -40°C
T
J
125°C, -40°C
T
A
105 ° C, 7.60V
V
CC
20V , UVLO = 3.0V ,我
SENSE
= 0V,
C
V( CC )
= 0.33μF ,C
= 1nF的( ESR = 10Ω ) ,C
SS
= 470pF的
V( FB )
= 100pF的
,
除非另有说明。
参数
测试条件
典型值
最大
单位
s
V
CC
钳位和偏置引脚
V
CC
钳位电压
BIAS最小电压
BIAS钳
s
在200kHz振荡器
工作频率
最大占空比钳位
CS5124而已。连接一个NFET如下: BIAS = G ,V
CC
= S ,V
IN
= D.
36V
V
IN
60V , 220nF的
C
SS
500nF , R = 500K
测量电压的偏压:
10V
V
CC
20V和50μA
I
BIAS
1mA
随着BIAS引脚下沉1毫安
CS5126仅
175
78
12
200
82.5
18
225
85
23
千赫
%
毫伏/微秒
7.275
1.6
12
7.9
2.8
15
8.625
4
20
V
V
V
斜率补偿
(正常操作)
斜率补偿
(同步操作)
(注1 )
SYNC输入阈值电压
SYNC输入阻抗
测量SYNC = 1V &10V
s
400kHz的振荡器
工作频率
最大占空比钳位
斜率补偿
s
软启动
软启动充电电流
软启动放电电流
V
SS
电压时, V
FB
开始上升
V
FB
= 300mV的
CS5124仅
7
1
50
12
2
120
16
3
230
毫伏/微秒
V
k
360
80.0
15
400
82.5
21
440
85.0
26
千赫
%
毫伏/微秒
7
0.5
1.40
4.7
200
10
10.0
1.62
4.9
275
13
1.80
A
mA
V
V
mV
山顶软启动充电电压
谷软启动放电电压
s
电流检测
CS5124仅
第一个电流检测门限
在最大占空比。
第二电流检测门限
I
SENSE
到GATE支柱。延迟
前沿消隐时间
内部偏移
s
电流检测
第一个电流检测门限
第二电流检测
门槛
I
SENSE
到GATE支柱。延迟
前沿消隐时间
内部偏移
0 700mV的脉冲进入我
SENSE
(消隐时间后)
0 400mV的脉冲进入我
SENSE
(注1 )
CS5126仅
在最大占空比
400
170
250
60
90
195
275
90
130
60
215
315
130
180
mV
mV
ns
ns
mV
300
485
60
110
335
525
90
175
125
360
575
130
210
mV
mV
ns
ns
mV
0 800mV的脉冲进入我
SENSE
(消隐时间后)
0 550mV脉冲进入我
SENSE
(注1 )
3
CS5124/6
电气特性: -40°C
T
J
125°C, -40°C
T
A
105 ° C, 7.60V
V
CC
20V , UVLO = 3.0V ,我
SENSE
= 0V,
C
V( CC )
= 0.33μF ,C
= 1nF的( ESR = 10Ω ) ,C
SS
= 470pF的
V( FB )
= 100pF的
,
除非另有说明。
参数
测试条件
典型值
最大
单位
s
电压反馈
V
FB
拉RES 。
V
FB
钳位电压
V
FB
钳位电压
V
FB
故障电压阈值
s
输出栅极驱动
最大睡眠
下拉电压
门高(AC)的
门低(交流)
门高钳位电压
上升时间
下降时间
CS5124仅
CS5126仅
2.9
2.63
2.40
460
4.3
2.90
2.65
490
8.1
3.15
2.90
520
k
V
V
mV
V
CC
= 6.0V ,我
OUT
= 1毫安
串联电阻< 1Ω (注1 )
串联电阻< 1Ω (注1 )
V
CC
= 20V
测量门的上升时间,
1V < GATE < 9V ; V
CC
=12V
测量门下降时间,
9V > GATE > 1V ; V
CC
= 12V
V
CC
-1
11.0
1.2
V
CC
-0.5
0.0
13.5
45
25
2.0
V
V
0.5
16.0
65
55
V
V
ns
ns
s
热关断
热关断温度(注1 ) ( GATE低)
热启动温度
(注1 ) (门开关)
热滞
(注1 )
笔记
1.在生产测试。规格为设计保证。
封装引线说明
封装引线#
LEAD符号
功能
135
100
15
150
125
25
165
150
35
°C
°C
°C
8引脚SO窄
CS5124
1
2
CS5126
1
-
V
CC
BIAS
V
CC
电源输入引脚。
V
CC
钳制输出引脚。该管脚将控制N沟道的栅极MOSFET导
场效应管,反过来调节V
CC
。该引脚在内部钳位在15V时,
IC处于睡眠模式。
时钟同步引脚。一个上升沿将终止当前PWM
周期。该接地引脚,当它不被使用。
睡眠和欠压锁定引脚。电压大于1.8V使
芯片"wake up"但是门仍然很低。比A更高的电压
2.6V在这个引脚允许输出切换。
软启动电容引脚。电容器放置SS和地之间
被控10μA和排出于10mA 。软启动电容CON-
trols既软启动时间和打嗝模式频率。
电压反馈引脚。光耦合器的集电极通常依赖于这种
引脚。该引脚拉高内部由一个4.3kΩ电阻到5V和钳位
在内部2.9V ( 2.65V ) 。如果V
FB
拉> 4V时,振荡器被禁止,
GATE将保持在高位。如果在V
FB
引脚被拉低< 0.49V , GATE将保持在低水平。
电流检测引脚。该引脚连接到的电流检测电阻
初级侧。如果V
FB
是浮动的,在GATE将变低,如果我
SENSE
= 195mV
( 335mV ) 。如果我
SENSE
> 275mV ( 525mV的) ,软启动将启动。
栅极驱动输出引脚。能够驱动3nF的负荷。 GATE是名义上
钳位到13.5V 。
接地引脚。
4
-
3
3
2
SYNC
UVLO
4
4
SS
5
5
V
FB
6
6
I
SENSE
7
8
7
8
GND
CS5124/6
框图
{ CS5126 ONLY }
SYNC
V
CC
UVLO COMP
V
CC
OSC
DIS
G2
启用
F3
R
F1
司机
Q
V
CC
+
+
-
V
7.7 V/7.275V
V
REF
= 5V
Q
G1
S
R
坡道
S
V5
REF
RESET DOMAIN
{ 85毫伏/我们}
170mV的我们
G7
G3
V5
REF
4500
V
REFOK
LINE UVLO COMP
V
+
V5
REF
10A
TSHUT
150°C/125°C
+
V
2.62 V/2.45V
V
FB
COMP
UVLO
+
-
BIAS
( CS5124 ONLY)
V
1.91 V/1.83V
+
软启动LATCH
F2
V
CC
2.9 R
G5
-
第二个我
COMP
+
V
{525mV}
275mV
消隐
空白
G6
S
R
Q
{2.65V}
2.90V
+
V
2.0V
V
+
R
SS COMP
275mV
V
SS
供电IC
V
CC
可以直接从稳压电源供电
并要求启动电流为500μA 。该CS5124 / 6
包括一个线路偏压销( BIAS) ,可用于控制一个
操作串联调整管在很宽的输入电压
年龄。 BIAS引脚将控制的栅极电压的N-
沟道MOSFET放置V之间
IN
和V
CC
规范
V
CC
在8V 。
V
CC
和UVLO引脚
UVLO引脚有三种不同的模式;低功耗关断模式
下来,线路欠压锁定,并正常运行。为了说明
如何将UVLO引脚工作;假设V
IN
,如图
应用原理,首先被加速开始在0V与
UVLO引脚开路。 SS和我
SENSE
引脚也开始为0V 。
当UVLO低于1.8V时,IC将保持在一个较低的
当前的睡眠模式和CS5124的BIAS引脚是互
应受钳位到最大为15V 。当在电压
UVLO引脚上升到1.8V和2.6V的参考值之间
对于V
CC
UVLO启用和V
CC
被调节到8V
BIAS引脚(仅CS5124 ),但在IC保持在UVLO
状态和输出驱动程序不切换。当
UVLO引脚电压超过2.6V和V
CC
脚超过7.7V时,
GATE引脚从低状态释放,就可以开始
基于我的比较切换
SENSE
和V
FB
销。软启动电容开始从0V充电,
5
+
-
+
-
LINE AMP
SET结构域
V5
REF
+
-
SS AMP
+
1.32V
+
V
工作原理
10μA 。由于电容充电,的缓冲版本
电容电压出现在V
FB
引脚和V
FB
电压
年龄开始上升。由于V
FB
上升占空比增大
直到电源进入调节。
软启动
软启动是通过夹紧V完成
FB
脚1.32V
下面在正常的SS引脚启动和重新启动时,
后一个故障状态。当CS5124 / 6开始,软
启动电容从10μA源从0V到充电
4.9V 。在V
FB
销遵循软启动引脚由-1.32V偏置
直到电源进入调控或至软
启动误差放大器被钳制在2.9V ( 2.65V为CS5126 ) 。
在故障条件下的软启动电容器显示
充电可达10mA 。
故障条件
该CS5124 / 6可识别下列故障: UVLO关,
热关断,V
REF ( OK)
,和第二电流
门槛。一旦故障被识别时,故障锁存F2设定
和IC立即关闭输出驱动器和
排出的软启动电容。软启动开始
所有故障已消除,软启动后,才
电容器已经放电到小于0.275V 。每
的故障将在下面的章节进行说明。
+
-
远程
( SLEEP ) COMP
+
PWM COMP
+
{125mV}
60mV
+
-
+
-
+
-
+
V
490mV
{1/5}
1/10
÷
V
V
FB
1000
I
SENSE
GND
CS5126
16位立体声A / D转换器,用于数字音频
特点
l
单片
描述
CMOS A / D转换器
的CS5126 CMOS模拟 - 数字转换器是一个理想情况
人的前端为立体声或单声道的数字音频系统。
的CS5126可以被配置来处理两个通道
在高达每通道50 kHz的采样,或者可以CON组
想通采样速率高达100 kHz的一个通道。
该CS5126执行逐次逼近algo-
rithm使用电荷再分配架构。片上
自校准电路具有18位分辨率从而avoid-
荷兰国际集团的任何退化与低级别的性能
信号。电荷再分配技术还亲
志愿组织固有的取样函数,这避免了
需要外部采样/保持放大器。
信号与(噪声+失真)立体声操作为92分贝,
并通过内部的宽带噪声(1/2 LSB为主
RMS) 。当CS5126配置为2X oversam-
耦,数字滤波后的频带限制这种白噪声
20千赫兹,增加动态范围95分贝。
订购信息
CS5126 -KP 0°至70℃
CS5126-KL
0°至70℃
28引脚塑料DIP
28引脚PLCC
-
固有的采样架构
-
立体声或单声道功能
-
串行输出
l
单声道
采样率高达100 kHz
92分贝
-
50千赫/声道立体声采样
l
信号与(噪声+失真) :
l
动态
范围: 92分贝
-
95分贝在2倍过采样方案
l
通道间
隔离: 90分贝
l
2的补码或二进制编码
l
低功耗: 260毫瓦
-
用于便携式应用掉电模式
l
评价
提供电路板
I
+2/'

6/((3

567

67%<

&2'(

75./

75.5

66+

66+

6'$7$

&/.,1
5()%8)
95()
$,1/
$,15
/5
$*1'














9$

9$

&放大器; RQWURO
&放大器; DOLEUDWLRQ
65$0
0LFURFRQWUROOHU

??? % LW &KDUJH
5HGLVWULEXWLRQ
'$ &放大器;


&RPSDUDWRU


6&/.
7(67
6&.02'
28702'

'*1'

9'

9'
Cirrus Logic公司,公司
晶半导体产品事业部
P.O.箱17847 ,奥斯汀,德克萨斯州78760
( 512 ) 445 7222传真: ( 512 ) 445 7581
http://www.crystal.com
版权
Cirrus Logic公司,1997公司
(版权所有)
MAR '95
DS32F1
1
CS5126
VA- , VD- = -5V ;
满量程输入正弦波, 1kHz时; F
CLK
= 24.576MHz的; VREF = 4.5V ;模拟信号源阻抗= 200Ω ;
立体声操作,左/右肘频率为48KHz ,除非另有规定)。
参数*
决议
符号
-
S /(N + D)的
90
70
THD
立体声模式
单声道( 20kHz的带宽)
(注1 )
DR
V
N( IC )
I
ic
M
ic
FSE
业务流程外包
t
APT
t
AJT
(注2 )
正模拟
负模拟
正面的数字
消极的数字
( SLEEP高)
( SLEEP低)
(注3)
C
in
I
A+
I
A-
I
D+
I
D-
P
do
P
ds
-
90
-
-
88
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
92
72
0.001
92
95
1/2
90
0.01
±4
±4
30
100
200
18
-18
8
-8
260
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
-23
12
-12
350
-
dB
dB
%
dB
dB
最低位
RMS
dB
dB
最低位
最低位
ns
ps
pF
mA
mA
mA
mA
mW
mW
dB
dB
典型值
-
最大
16
单位
模拟特性
(T
A
= 25°C ; VA + VD + = 5V ;
动态性能
信号对(噪声和失真)
VIN =
· FS
(10赫兹到20千赫兹)
VIN = -20dB
( F = 20千赫)
总谐波失真
动态范围
空闲信道噪声
通道间隔离
通道间不匹配
DC精度
满量程误差
双极性失调误差
模拟量输入
孔径时间
孔径抖动
输入电容
电源
电源电流
( SLEEP高)
功耗
电源抑制
注:1 。
2.
3.
4.
5.
(注3,4)
正电源
(注5 )
PSR
-
84
-
负电源
-
84
-
一个输入接地;直流到20kHz ,在另一个通道满量程输入。
通过特性保证。
只适用于跟踪模式。当转换或校准,输入电容通常会
在10 pF 。
所有输出卸载。所有输入CMOS电平。
在睡眠模式下的功耗适用无主时钟应用( CLKIN高或低) 。
一个300mV PP, 1kHz的纹波应用到每个单独的供应。典型电源的阴谋
拒绝出现在
模拟的电路连接
部分。
*请参阅
参数德网络nitions
在此数据表的末尾。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
2
DS32F1
CS5126
数字特性
(T
A
= T
给T
最大
; VA + VD + = 5V ±10 % ; VA- , VD- = -5V ± 10%)的
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
IOUT = 1.6毫安
(注6 )
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
in
2.0
-
(VD+)-1.0V
-
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
-
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
A
注: 6.我
OUT
= -100
A.
本规范保证每个数字输出驱动一个TTL负载
(V
OH
= 2.4V @我
OUT
= -40
A).
推荐工作条件
( AGND , DGND = 0V ,见注7 )
参数
直流电源:
正面的数字
消极的数字
正模拟
负模拟
符号
VD +
VD-
VA +
VA-
VREF
4.5
-4.5
4.5
-4.5
2.5
典型值
5.0
-5.0
5.0
-5.0
4.5
最大
VA +
-5.5
5.5
-5.5
(VA+)-0.5
单位
V
V
V
V
V
V
模拟参考电压
-VREF
-
VREF
模拟输入电压
(注8 )V
艾因
注释: 7.所有相对于地电压。
8. CS5126可以接受输入电压高达模拟电源( VA + , VA- ) 。会产生一个
全1的输出输入高于VREF和全0低于-VREF的投入。
绝对最大额定值
( AGND , DGND = 0V ,相对于地所有的电压。 )
参数
直流电源:
正面的数字
消极的数字
正模拟
负模拟
(注9 )
( AIN和VREF引脚)
(电源应用)
符号
VD +
VD-
VA +
VA-
I
in
V
INA
V
IND
T
A
-0.3
0.3
-0.3
0.3
-
(VA-)-0.3
-0.3
-55
-65
最大
(VA+)+0.3
-6.0
6.0
-6.0
±10
(VA+)+0.3
(VD+)+0.3
125
150
单位
V
V
V
V
mA
V
V
°C
°C
输入电流,任何引脚除外用品
模拟输入电压
数字输入电压
环境温度
储存温度
T
英镑
注:高达100 mA的9瞬态电流不会造成SCR闩锁。
警告:操作达到或超过这些限制可能导致器件的永久性损坏。
正常运行,不能保证在这两个极端。
DS32F1
3
CS5126
开关特性
(T
A
= 25
°C;
输入:逻辑0 = 0V ,逻辑1 = VD + ;
L
= 50 pF的)
参数
主时钟周期
持有至SSH2落
持有至TRKL , TRKR
持有至TRKL , TRKR
RST脉冲宽度
RST到STBY落
RST瑞星瑞星STBY
HOLD脉冲宽度
持有至L / R边缘
SCLK周期
SCLK脉冲宽度低
SCLK脉冲宽高
SCLK下降沿到SDATA有效
HOLD下降沿到SDATA有效
(注10 )
SSH1下降
SSH1 , SSH2上升
(注10 )
VA + VD + = 5V
±
10% ; VA- , VD- = -5V
±
10%;
40
-
198t
CLK
-
150
-
-
2t
CLK
+50
-30
200
50
50
-
-
典型值
-
80
-
80
-
100
34,584,480
-
-
-
-
-
100
140
最大
-
-
214t
CLK
+50
-
-
-
-
192t
CLK
192t
CLK
-
-
-
140
200
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CLK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
t
CLK
t
dfsh2
t
dfsh1
t
drsh
t
RST
t
DRRS
t
CAL
t
HOLD
t
DHLRI
t
SCLK
t
SCLKL
t
SCLKH
t
DSS
t
美国国土安全部
注: 10只SSH2正常工作,如果HOLD下降沿内
±30ns
左/右边缘或者如果HOLD下降沿
HOLD上升到192吨之前为30ns之间发生
CLK
后HOLD下降。
HOLD (一)
牛逼RST
SSH2 ( O)
RST
TRKL ( O)
TRKR ( O)
t
CAL
t
dfsh2
吨drsh
STBY
吨dfsh1
t
DRRS
控制输出时序
复位和时序校准
L / R
t
SCLKL
吨SCLKH
HOLD
吨DHS
吨dhlri
HOLD
吨搁置
SCLK
t
DSS
牛逼SCLK
SDATA
最高位
SDATA
SCLK
通道选择时机
串行数据时序
数据传输开始计时
4
DS32F1
CS5126
概述
该CS5126是一款双通道, 100kHz的A / D转换
变频器的立体声数字专
音频。该装置包括一个固有SAM-
PLE /保持,片上模拟开关立体声
操作。左,右声道可以由此
采样和转换速率高达50kHz
每通道。可替换地, CS5126可
实施了2倍过采样方案的
改进的动态范围和失真。
输出数据是串行的形式提供
二进制或2的补码。控制
输出也被提供用于与外部
采样/保持放大器来实现同步对
OU中取样。
工作原理
的CS5126实现了一个标准的连续
使用一个充电 - redistri-近似算法
bution架构。取而代之的是传统的重
体管网中,DAC是二进制和阵列
加权电容。如果未进行转换时,
CS5126跟踪模拟输入信号。输入
电压加在DAC的各腿部施加
电容器阵列,由此进行电压 -
电荷转换。
当发出转换命令时,该
电荷被截留在电容器阵列与上
模拟输入被随后被忽略。实际上,该
整个DAC电容阵列用作模拟
在转换过程中的内存很像保持钙
pacitor样品中/保持放大器。
转换由操纵的双
电容阵列的进制加权腿的
参考电压和模拟地。所有的腿
在输入到CON组共享一个公共节点
变频器的比较。这形成了二进制和
加权电容分压器。由于电荷在
比较器的输入端保持不变,电压
在这一点上依赖于钙的比例
pacitance绑VREF与AGND 。该suc-
DS32F1
cessive逼近算法来找到
电容将驱动比例
的电压施加到比较器的触发点。那
电容的二进制小数表示CON组
变频器的数字输出。
校准
在CS5126的准确转换的能力
显然取决于其DAC的精度。该
CS5126采用一个片上自校准方案
以保证低失真和出色的动力
范围
独立的输入信号情况。
每个二进制加权位电容实际上CON-
的多个电容器sists其可以是而不对
迟来调节总体位重量。中
校准,一个片上微控制器而不对
鲈子阵列以精确比例的位。
每个位被调整为正好平衡的总和
所有的少显著位加上一个虚拟LSB
(例如, 16C = 8C + 4C + 2C + C + C)。
其结果是典型的差分非线性
±1/4
LSB 。即,代码范围通常为
3/4至5/4 LSB的宽。
的CS5126应在上电时进行复位,
于是开始进行校准周期这需要1.4
秒即可完成。该CS5126则存储其
在片上SRAM的校准系数,
可以在以后的任何时间重新校准。
WITH THE CS5126系统设计
所有的时序和控制输入到CS5126可以
可以很容易地从主系统时钟产生。
的CS5126输出的串行数据和各种
数字输出可以被用来控制
外部采样/保持放大器,用于同时
取样。实际电路的连接依赖
在系统架构(立体声或单声道
2X过采样) ,并在取样字符
开创性意义(同时或序贯抽样
通道之间) 。
5
查看更多CS5126PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CS5126
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CS5126
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8471
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CS5126
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9245
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885643124 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885643117 复制

电话:13530983348
联系人:朱小姐
地址:深圳市华强北赛格广场4709B
CS5126
ONSEMI
21+
32600
原封装
百分百公司原装现货,假一赔十!
查询更多CS5126供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!