CS51221
CS51221
增强型电压模式PWM控制器
描述
该CS51221固定频率
前馈电压模式
PWM控制器包含了所有的
需要的基本功能
电压模式操作。这
PWM控制器已经opti-
得到优化的高频prima-
RY侧控制操作。在
此外,该装置包括
这样的功能:软启动,精确
率占空比限制的控制,少
超过50μA启动电流,过
和欠电压保护,
和双向的同步
化。该CS51221是可用
16引脚PDIP和SO狭窄
表面贴装封装。
s
s
特点
频率1MHz的能力
固定频率电压
模式操作,与饲料
前锋
热关断
欠压锁定
准确的可编程最大
占空比限制
1A的吸入/源栅极驱动
通过可编程的脉冲
脉冲过流
保护
前沿电流检测
消隐
75ns关闭传播
延迟
可编程软启动
欠压保护
过电压保护带
可编程迟滞
双向
同步
25ns的闸门起落
时间(1NF负载)
3.3V 3 %的基准电压
产量
s
s
s
s
s
s
s
应用框图
36V - 72V至5V / 5A转换器
s
s
s
s
s
BAS21
V
IN
( 36V至72V )
51k
FZT688
11V
10
100
1F
22F
18V
160k
T3
100:1
0.1F
24.3k
V
C
V
REF
V
CC
UV
OV
I
SET
FF
门
I
SENSE
U1
s
T2
2:5
V
OUT
(5V/5A)
100F
SGND
510k
10k
T1
4:1
MBRB2545CT
10
CS51221/2
0.22F
10k
1F
SYNC
330pF
0.01F
200
2200pF
4.3k
D11
BAS21
100pF
COMP
V
FB
R
T
/C
T
SYNC
SS
LGND
680pF
D13
V33MLA1206A23
20.25k
13k
10
IRF634
封装选项
16引脚SO窄& PDIP
门
I
SENSE
1
保护地
470pF
62
10
VC
保护地
V
CC
V
REF
LGND
SS
COMP
V
FB
0.1μF 5.1K
SYNC
2k
5.6k
180
1k
TL431
2k
150
4700pF
MOC81025
FF
UV
OV
R
T
C
T
I
SET
1k
樱桃半导体公司
2000县南径,东格林威治, RI 02818
联系电话: (401)885-3600传真: (401)885-5786
电子邮件: info@cherry-semi.com
网站: www.cherry-semi.com
牧师99年3月26日
1
A
公司
CS51221
绝对最大额定值
工作结温,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。内部限制
焊接温度焊接:
波峰焊(只通过孔样式) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10秒。最大260 ° C峰值
回流焊( SMD风格只) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60秒最大。上述183 ° C, 230 ° C峰值
存储温度范围,T
S
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
ESD(人体模型) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2kV的
引脚符号
引脚名称
V
最大
15V
6V
6V
6V
6V
6V
6V
6V
6V
6V
6V
15V
15V
6V
不适用
V
民
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
不适用
I
来源
1.0A峰值
200毫安DC
1mA
1mA
1mA
10mA
1mA
10mA
1mA
1mA
1mA
1mA
10mA
10mA
国内
有限
1.0A峰值
200毫安DC
不适用
I
SINK
1.0A峰值
200毫安DC
1mA
10mA
25mA
20mA
1mA
10mA
1mA
1mA
1mA
10mA
50mA
1.0A峰值
200毫安DC
10mA
不适用
门
I
SENSE
R
T
C
T
FF
COMP
V
FB
SYNC
UV
OV
I
SET
SS
V
CC
V
C
V
REF
保护地
栅极驱动输出
电流检测输入
定时电阻/电容
前馈
误差放大器的输出
反馈电压
SYNC输入
欠压
过电压
当前设置
软启动
逻辑部分供应
电源部分供应
参考电压
电源地
LGND
逻辑地
不适用
不适用
不适用
2
电气特性: -40°C <牛逼
A
< 85℃ ; -40℃ <牛逼
J
< 125℃ ; 3V < V
C
< 15V ; 4.7V < V
CC
< 15V ; RT = 12K ,CT = 390pF
除非另有说明。
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
CS51221
s
启动/停止电压
启动阈值
停止阈值
迟滞
I
CC
@启动
s
电源电流
I
CC
操作
I
C
操作
I
C
操作
s
参考电压
总精度
线路调整
负载调整率
噪声电压
OP人生转变
故障电压
V
REF ( OK)
电压
V
REF ( OK)
迟滞
电流限制
s
误差放大器
参考电压
V
FB
输入电流
开环增益
单位增益带宽
COMP灌电流
COMP源电流
COMP高压
COMP低压
PSRR
不锈钢卡箍,V
COMP
COMP最大钳位
V
FB
= COMP
V
FB
= 1.2V
(注1 )
(注1 )
COMP = 1.4V ,V
FB
= 1.45V
COMP = 1.4V ,V
FB
= 1.15V
V
FB
= 1.15V
V
FB
= 1.45V
FREQ = 120Hz的(注1 )
SS = 1.4V ,V
FB
= 0V时,我
SET
= 2V
注1
60
1.5
3
1
2.8
75
60
1.3
1.7
12
1.6
3.1
125
85
1.4
1.8
1.5
1.9
32
2.0
3.4
300
1.234
1.263
1.3
1.285
2
V
A
dB
兆赫
mA
mA
V
mV
dB
V
V
0毫安& LT ;我
REF
< 2毫安
为10Hz < F < 10kHz的(注1 )
T = 1000小时。 (注1 )
2.8
2.9
30
2
0毫安& LT ;我
REF
< 2毫安
3.2
3.3
6
6
50
4
2.95
3.05
100
40
20
3.1
3.2
150
100
3.4
20
15
V
mV
mV
V
mV
V
V
mV
mA
在1nF的负载门
无开关
9.5
12
2
14
18
4
mA
mA
mA
4.4
3.2
400
4.6
3.8
850
38
4.7
4.1
1400
75
V
V
mV
A
启动 - 停止
V
CC
< UVL启动阈值
3
CS51221
电气特性: -40°C <牛逼
A
< 85℃ ; -40℃ <牛逼
J
< 125℃ ; 3V < V
C
< 15V ; 4.7V < V
CC
< 15V ; RT = 12K ,CT = 390pF
除非另有说明。
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
s
振荡器
频率精度
电压稳定
温度稳定性
最大频率
占空比
峰值电压
谷钳位电压
谷电压
放电电流
s
同步
输入阈值
输出脉冲宽度
输出高电压
输入阻抗
SYNC来驱动延迟
输出驱动电流
s
栅极驱动器
高饱和电压
低饱和电压
高压钳形
输出电流
输出UVL泄漏
上升时间
下降时间
最大栅极电压
在UVL /睡眠
s
前馈( FF)。
放电电压
放电电流
FF到门延迟
I
FF
= 2毫安
FF = 1V
2
50
0.3
16
75
0.7
30
125
V
mA
ns
1 nF的负载(注1 )
GATE = 0V
1nF的负载,V
C
= 20V , 1V < GATE < 9V
1nF的负载,V
C
= 20V , 9V < GATE < 1V
I
门
= 500A
.4
V
C
-GATE ,V
C
= 10V,
I
来源
= 200毫安
GATE -保护地,我
SINK
= 200毫安
11.0
1.5
1.2
13.5
1
1
60
25
.7
2.0
1.5
16.0
1.25
50
100
50
1.0
V
V
V
A
A
ns
ns
V
从时间到SYNC
栅极关断
R
SYNC
= 1
100μA LOAD
0.9
200
2.1
35
100
1.00
1.4
320
2.5
70
140
1.50
1.8
450
2.8
140
180
2.25
V
ns
V
k
ns
mA
(注1 )
(注1 )
(注1 ) -40℃ <牛逼
J
& LT ; 125°C
(注1 )
1
80
1.94
0.90
0.85
0.85
85
2.00
0.95
1.00
1.00
90
2.06
1.00
1.15
1.15
260
273
1
8
320
2
千赫
%
%
兆赫
%
V
V
V
mA
4
CS51221
电气特性: -40°C <牛逼
A
< 85℃ ; -40℃ <牛逼
J
< 125℃ ; 3V < V
C
< 15V ; 4.7V < V
CC
< 15V ; RT = 12K ,CT = 390pF
除非另有说明。
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
s
过电流保护
过流阈值
I
SENSE
到门延迟
s
外部电压监视器
过电压阈值
过电压滞后
当前
欠压阈值
欠压滞后
s
软启动( SS )
充电电流
放电电流
充电电压
放电电压
软启动钳位偏移
软启动故障电压
s
消隐
消隐时间
SS消隐禁用
门槛
COMP消隐禁用
门槛
s
热关断
热关断
热滞
(注1 )
(注1 )
125
5
150
10
180
15
C
C
V
FB
& LT ; 1
V
FB
< 1 , SS > 3V
50
2.8
2.8
150
3.0
3.0
250
3.3
3.3
ns
V
V
FF = 1.25V
OV = 2.15V或LV = 0.85V
SS = 2V
SS = 2V
40
4
2.8
0.25
1.15
50
5
3.0
0.3
1.25
0.1
70
7
3.4
0.35
1.35
0.2
A
A
V
V
V
V
OV增加
OV 2.15V =
紫外线增加
1.9
10.0
0.95
25
2.0
12.5
1.00
75
2.1
15.0
1.05
125
V
A
V
mV
I
SET
= 0.5V ,斜坡我
SENSE
0.475
50
0.500
90
0.525
125
V
ns
注1 :由设计保证,而不是100 %生产测试。
5
CS51221
增强的电压模式
PWM控制器
该CS51221固定频率前馈电压模式PWM
控制器包含所有的功能所必需的基本电压模式
操作。该PWM控制器经过优化,用于高
高频初级端控制操作。另外,该设备
包括这样的功能:软启动,精确的占空比限制的控制,
小于50mA的启动电流,过压和欠压保护,
双向同步。该CS51221是采用16引线
SOIC窄的表面贴装封装。
特点
http://onsemi.com
SOIC16
后缀
CASE 751B
TSSOP16
DTB后缀
CASE 948F
1
16
1
1.0 MHz频率能力
固定频率电压模式操作,具有前馈
热关断
欠压锁定
准确的可编程最大占空比限制
1.0吸入/源栅极驱动
可编程脉冲到脉冲过流保护
前沿电流检测消隐
75 ns的关闭传播延迟
可编程软启动
欠压保护
过压保护,可编程迟滞
双向同步
25纳秒GATE上升和下降时间( 1.0 nF的负载)
3.3 V 3 %的基准电压输出
无铅包可用*
16
引脚连接和
标记图
1
门
I
SENSE
SYNC
FF
UV
OV
R
T
C
T
I
SET
1
CS51
221
ALYWG
CS51221 =具体设备守则
A
=大会地点
WL , L =晶圆地段
YY, Y
=年
WW ,W =工作周
G
= Pb-Free包装
CS51221
AWLYWW
16
16
V
C
保护地
V
CC
V
REF
LGND
SS
COMP
V
FB
订购信息
设备
CS51221ED16
CS51221ED16G
CS51221EDR16
CS51221EDR16G
CS51221EDTB16G
包
SOIC16
航运
48单位/铁
SOIC -16 48单位/铁
(无铅)
SOIC -16 2500磁带&卷轴
SOIC -16 2500磁带&卷轴
(无铅)
TSSOP -16 96单位/铁
(无铅)
CS51221EDTB16R2G TSSOP- 16 2500磁带&卷轴
(无铅)
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年9月 - 修订版8
出版订单号:
CS51221/D
BAS21
100
V
IN
( 36 V至72 V)
FZT688
22
mF
18 V
160 k
T3
100:1
24.3 k
510 k
10 k
T1
4:1
10
4.3 k
D11
BAS21
100 pF的
680 pF的
D13
V33MLA1206A23
MBRB2545CT
0.1
mF
T2
2:5
1.0
mF
51 k
11 V
10
V
OUT
( 5.0 V / 5.0 A)
0.22
mF
V
C
V
CC
UV
OV
I
SET
13 k
20.25 k
10
IRF634
SS
I
SENSE
保护地
62
470 pF的
0.1
mF
5.1 k
10
LGND
FF
门
V
REF
COMP
2200 pF的
V
FB
R
T
C
T
SYNC
CS51221
100
mF
SGND
10 k
200
1.0
mF
CS51221
图1.应用图, 36 V , 72 V至5.0 V / 5.0 A转换器
http://onsemi.com
5.6 k
180
150
4700 pF的
MOC81025
1.0 k
2
330 pF的
0.01
mF
2.0 k
1.0 k
TL431
2.0 k
CS51221
最大额定值
等级
工作结温,T
J
焊接温度焊接:
存储温度范围,T
S
ESD(人体模型)
回流焊: (只SMD样式) (注1 )
价值
国内
有限
230峰
-65到+150
2.0
单位
°C
°C
kV
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
第二个最大以上183℃一60 。
最大额定值
引脚名称
栅极驱动输出
电流检测输入
定时电阻/电容
前馈
误差放大器的输出
反馈电压
SYNC输入
欠压
过压
当前设置
软启动
逻辑部分供应
电源部分供应
参考电压
电源地
逻辑地
引脚符号
门
I
SENSE
R
T
C
T
FF
COMP
V
FB
SYNC
UV
OV
I
SET
SS
V
CC
V
C
V
REF
保护地
LGND
V
最大
15 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
6.0 V
15 V
15 V
6.0 V
不适用
不适用
V
民
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0.3 V
不适用
不适用
I
来源
1.0 A峰值, 200毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
10毫安
1.0毫安
10毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
10毫安
10毫安
lnternally有限公司
1.0 A峰值, 200毫安DC
不适用
I
SINK
1.0 A峰值, 200毫安DC
1.0毫安
10毫安
25毫安
20毫安
1.0毫安
10毫安
1.0毫安
1.0毫安
1.0毫安
10毫安
50毫安
1.0 A峰值, 200毫安DC
10毫安
不适用
不适用
电气特性
( -40°C <牛逼
A
< 85°C ; -40°C <牛逼
J
< 125°C ; 3.0 V < V
C
< 15 V ; 4.7 V < V
CC
< 15 V ;
R
T
= 12 K表;
T
= 390 pF的;除非另有规定)。
特征
启动/停止电压
启动阈值
停止阈值
迟滞
I
CC
@启动
电源电流
I
CC
操作
I
C
操作
I
C
操作
在GATE 1.0 nF的负载
无开关
9.5
12
2.0
14
18
4.0
mA
mA
mA
起止
V
CC
< UVL启动阈值
4.4
3.2
400
4.6
3.8
850
38
4.7
4.1
1400
75
V
V
mV
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
CS51221
电气特性
( -40°C <牛逼
A
< 85°C ; -40°C <牛逼
J
< 125°C ; 3.0 V < V
C
< 15 V ; 4.7 V < V
CC
< 15 V ;
R
T
= 12 K表;
T
= 390 pF的;除非另有规定)。
特征
栅极驱动器
高饱和电压
低饱和电压
高压钳形
输出电流
输出UVL泄漏
上升时间
下降时间
最大栅极电压在UVL /睡眠
前馈( FF )
放电电压
放电电流
FF到门延迟
过电流保护
过流阈值
I
SENSE
到门延迟
外部电压监视器
过电压阈值
过电压滞环电流
欠压阈值
欠压滞后
软启动( SS )
充电电流
放电电流
充电电压
放电电压
软启动钳位偏移
软启动故障电压
消隐
消隐时间
SS消隐关断阈值
COMP消隐关断阈值
热关断
热关断
热滞
注3
注3
125
5.0
150
10
180
15
°C
°C
V
FB
& LT ; 1.0
V
FB
< 1.0 , SS > 3.0 V
50
2.8
2.8
150
3.0
3.0
250
3.3
3.3
ns
V
V
FF = 1.25 V
OV = 2.15 V或LV = 0.85 V
SS = 2.0 V
SS = 2.0 V
40
4.0
2.8
0.25
1.15
50
5.0
3.0
0.3
1.25
0.1
70
7.0
3.4
0.35
1.35
0.2
mA
mA
V
V
V
V
OV增加
OV = 2.15 V
紫外线增加
1.9
10
0.95
25
2.0
12.5
1.0
75
2.1
15
1.05
125
V
mA
V
mV
I
SET
= 0.5 V ,斜坡我
SENSE
0.475
50
0.5
90
0.525
125
V
ns
I
FF
= 2.0毫安
FF = 1.0 V
2.0
50
0.3
16
75
0.7
30
125
V
mA
ns
1.0 nF的负载。注3
GATE = 0 V
1.0 nF的负载,V
C
= 20 V , 1.0 V < GATE < 9.0 V
1.0 nF的负载,V
C
= 20 V , 9.0 V < GATE < 1.0 V
I
门
= 500
mA
V
C
- GATE ,V
C
= 10 V,I
来源
= 200毫安
GATE - 保护地,我
SINK
= 200毫安
11
0.4
1.5
1.2
13.5
1.0
1.0
60
25
0.7
2.0
1.5
16
1.25
50
100
50
1.0
V
V
V
A
mA
ns
ns
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
3.由设计保证,而不是100 %生产测试。
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