CS51031
快速P沟道FET
降压控制器
该CS51031是用于在直流 - 直流使用一个开关控制器
转换器。它可以用在降压拓扑结构以最小
外部元件的数目。该CS51031由五世
CC
监视用于控制所述装置的状态, 1.0的动力驱动
控制离散P沟道晶体管的栅极,固定频率
振荡器,短路保护定时器,可编程软启动,
精密基准源,快速输出电压监测比较,并
与锁存器输出级驱动器逻辑。
高频振荡器,允许使用小的电感器和
输出电容器,最大限度地减少PCB面积和系统成本。该
可编程软启动降低浪涌电流在启动时。短
电路保护定时器显著减小占空比来
大约在短路情况下的循环1/30 。
特点
http://onsemi.com
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1.0图腾柱输出驱动器
高速振荡器( 700 kHz的最大值)
没有稳定的补偿要求
无损短路保护
V
CC
MONITOR
2.0 %精密基准
可编程软启动
宽工作温度范围:
工业级: -40 ° C至85°C
商业级: 0 ° C至70℃
无铅包可用
5.0 V12 V
标记图
8
51031
ALYWX
G
1
C
IN
47
mF
MP
1
IRF7416
51031
A
L
Y
W
x
G
器件代码
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
延续器件代码
X = Y或G
= Pb-Free包装
=
=
=
=
=
=
V
门
V
门
V
C
MBRS360
D
1
引脚连接
1
CS51031
保护地
CS
RV
CC
100
W
V
CC
CV
CC
0.1
mF
CS
0.1
mF
V
门
L
4.7
mH
V
C
CS
V
CC
V
FB
保护地
C
OSC
GND
C
OSC
470 pF的
C
OSC
GND
V
FB
R
B
2.5千瓦
V
O
3.3 V @ 3一
R
A
1.5千瓦
C
RR
0.1
mF
订购信息
C
O
100
mF
×
2
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
图1.典型应用图
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年10月 - 11牧师
出版订单号:
CS51031/D
CS51031
订购信息
设备
CS51031YD8
CS51031YD8G
CS51031YDR8
CS51031YDR8G
CS51031GD8
CS51031GD8G
CS51031GDR8
CS51031GDR8G
0° ℃下牛逼
A
& LT ; 70℃
-40°C <牛逼
A
& LT ; 85°C
操作
温度范围
包
SOIC8
SOIC8
(无铅)
SOIC8
SOIC8
(无铅)
SOIC8
SOIC8
(无铅)
SOIC8
SOIC8
(无铅)
航运
98单位/铁
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
98单位/铁
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
最大额定值
等级
电源电压,V
CC
驱动器电源电压,V
C
驱动器输出电压,V
门
C
OSC
, CS ,V
FB
(逻辑引脚)
峰值输出电流
稳态输出电流
工作结温,T
J
工作温度范围,T
A
存储温度范围,T
S
ESD(人体模型)
焊接温度焊接:
波峰焊(通孔样式只) (注1 )
回流焊(仅限SMD样式) (注2 )
价值
20
20
20
6.0
1.0
200
150
-40到85
-65到150
2.0
260峰
230峰
单位
V
V
V
V
A
mA
°C
°C
°C
kV
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. 10秒。最大。
2. 60秒。上面最大183℃ 。
封装引线说明
封装引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚符号
V
门
保护地
C
OSC
GND
V
FB
V
CC
CS
V
C
功能
驱动引脚与外部P沟道FET的栅极。
输出功率级的接地连接。
振荡器频率编程电容。
逻辑地。
反馈电压输入。
逻辑电源电压。
软启动和故障定时电容。
驱动器电源电压。
http://onsemi.com
2
CS51031
启动
该CS51031具有外部可编程软启动
功能,允许输出电压慢慢上来了,
抑制了对输出电压的过冲。
在启动时,所有引脚上的电压为零。由于V
CC
上升,则
V
C
电压随着内部电阻R
G
保持
P沟道FET关断。由于V
CC
和V
C
继续上升,振荡器
电容(C
OSC
)和软启动/故障定时电容
通过内部电流源( CS)的费用。
OSC
被收费
由电流源集成电路和CS被通过I带电
T
来源
组合描述:
ICS
+
IT
*
IT
I
)
T
55
5
比较器( A4)的设置在V
FB
比较器参考
1.25 V完成启动周期。
无损短路保护
内部触发释抑比较器确保了外部
P沟道FET关断,直到V
CS
> 0.7伏,从而防止门
从被设置触发器(F2)。这使得振荡器
启用驱动器之前达到其工作频率
输出。被夹持在V获得软启动
FB
比较器的(A6)的参考输入,以约1/2
的电压在启动期间在CS引脚,允许
控制回路和输出电压缓慢增加。一旦
CS引脚收费高于抑比较器跳变点
0.7 V的低反馈到V
FB
比较器设置
在GATE触发器
OSC
的充电周期。一旦
GATE触发器置,V
门
变为低电平,导通该
P沟道FET 。当V
CS
超过2.3 V时, CS充电感
该CS51031具有“无损”,因为短路保护
也无需电流检测电阻。当电压
在CS引脚(故障定时电容电压)达到
2.5V的启动过程中,故障的定时电路由使能
A2 。正常工作期间的CS电压是2.6 V.期间
短路或瞬态条件下,输出电压
移动下和在V的电压
FB
下降。如果V
FB
滴剂
下面1.15 V时,故障比较器的输出变高
和CS51031进入一个快速放电模式。故障
定时电容, CS ,放电至2.4 V.如果V
FB
电压
仍低于1.15 V时, CS引脚达到2.4V时,一个有效的
故障状态已被检测到。慢放
比较器的输出变高,使门G5 ,订
慢放触发器。在V
门
触发器复位和
输出开关被关断。故障定时电容是
慢慢地排出到1.5伏。 CS51031然后进入
正常的启动程序。如果故障依旧存在,当
故障时序电容电压达到2.5 V时,速度快,
缓慢放电循环重复,如图3 。
如果在V
FB
电压高于1.15 V时, CS达到2.4 V
未检测到故障状态,正常操作履历
和CS充电回至2.6 V.这降低的可能性
错误地检测到负载瞬变为故障状态。
2.6 V
V
CS
2.4 V
S1
1.5 V
0.7 V
0V
T
开始
开始
正常工作
S2
S1
S2
S3
S3
S1
S2
S3
S3
2.5 V
0V
td1
t
故障
t
重新开始
故障
td2
t
故障
V
门
1.25 V
1.15 V
V
FB
图3.电压的启动电容(V
GS
) ,门(V
门
) ,并在
反馈回路(V
FB
) ,在启动过程中,正常和故障条件
http://onsemi.com
5