华晶分立器件
硅
概述
：
CS4N60A8HD,
该
硅
N沟道
增强
VDMOSFETs ，通过自对准的平面技术得到
这减少了传导损耗，提高开关
性能和增强的雪崩能量。晶体管
可以为系统中的各种功率开关电路，用于
小型化和更高的效率。封装形式为
TO- 220AB ，符合RoHS标准。
R
○
N沟道
功率MOSFET
CS4N60A8HD
V
DSS
I
D
P
D
(T
C
=25℃)
R
DS （ ON）
600
4
75
1.9
V
A
W
产品特点：
快速开关
ESD能力的改进
低栅电荷
（典型数据： 18nC ）
低反向传输电容
（典型： 14pF ）
100％的单脉冲雪崩能量测试
应用
：
适配器和充电器的功率开关电路。
绝对
“ TC ”
25 ℃除非另有规定）
：
符号
V
DSS
I
D
I
DM
a1
参数
漏极至源极电压
连续漏电流
连续漏电流T
C
= 100 °C
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
等级
600
4
2.9
16
±30
300
30
7.7
4.5
75
0.60
3000
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V / ns的
W
W/℃
V
V
GS
E
AS
E
AR
I
AR
a2
a1
单脉冲雪崩能量
雪崩能量，重复
雪崩电流
a1
a3
dv / dt的
P
D
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
降额系数高于25 ℃，
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5kΩ上）
工作结存储温度范围
MaximumTemperature焊锡
V
ESD （G -S ）
T
J
，T
英镑
T
L
150 ， -55至150
300
℃
℃
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
分页： 10 1
2008
华晶分立器件
R
○
CS4N60A8HD
电气特性
“ TC ”
25 ℃除非另有规定）
：
开关特性
符号
V
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
DSS
I
GSS （ F）
I
GSS （r）的
参数
漏源击穿电压
BVDSS温度系数
漏极至源极漏电流
门源正向漏
栅极至源极反向漏
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
ID=250uA,Reference25℃
V
DS
=600V, V
GS
= 0V
V
GS
=+20V
V
GS
=-20V
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
Un
ITS
V
V/
℃
A
A
A
600
--
--
--
--
--
0.67
--
--
--
--
--
1
10
-10
基本特征
符号
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
参数
漏极 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
测试条件
V
GS
=10V,I
D
=2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
--
2.0
1.9
3.2
2.3
4.0
脉冲宽度tp≤380μs ， δ≤2 ％
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0V V
DS
= 25V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
=2A
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
S
pF
5.0
--
--
--
470
58
15
--
电阻开关特性
符号
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏（ “米勒” ）费
I
D
= 4A V
DD
=400V
V
GS
= 10V
I
D
= 4A V
DD
= 250V
R
G
=25
测试条件
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
--
--
--
--
--
--
--
12
46
50
48
18
2.2
10
--
--
--
--
nC
ns
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
P A G e 2的华氏度1 0
2008
华晶分立器件
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
参数
连续源电流（体二极管）
最大脉冲电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
=4.0A,V
GS
=0V
I
S
=4.0A,T
j
= 25°C
dI
F
/dt=100A/us,
V
GS
=0V
R
○
C4N60A8HD
测试条件
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
A
A
V
ns
C
--
--
--
--
--
--
--
--
270
1.9
4
16
1.5
--
--
脉冲宽度tp≤380μs ， δ≤2 ％
符号
R
θ
JC
R
θ
JA
参数
结到外壳
结到环境
典型值。
1.67
62.5
单位
℃/W
℃/W
门源稳压二极管
符号
V
GSO
参数
栅源击穿电压
测试条件
I
GS
= ± 1毫安（漏极开路）
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
20
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
a1
a2
*重复
评级;脉冲宽度有限的最高结温
：L=10mH,
I
D
= 4A ，启动T
J
=25℃
a3
：I
SD
=4A,di/dt
≤100A/us,V
DD
ΔBV
DS ，
启动T
J
=25℃
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
第10 3
2008
华晶分立器件
特性曲线：
100
R
○
C4N60A8HD
80
PD ，功率耗散
沃茨
70
60
50
40
30
20
10
0
10
100
V DS ，D RA的 - 到 - S环境允许的V LTA GE ，V LTS
1000
100μs
ID ，漏电流，安培
10
1
在这一领域
可能是有限的R
DS （ ON）
T
J
=最大额定
T
C
= 25℃时单脉冲
1ms
0 .1
10ms
DC
100ms
0 .0 1
1
0
25
图1最高可正向偏置安全工作区
6
ID ，漏电流，安培
5
ID ，漏电流，安培
75
50
100
TC ，外壳温度，C
125
150
图2最高可功耗与外壳温度
6
脉冲持续时间为10μs =
占空比系数= 0.5 ％ MAX
TC = 25 ？
4.5
V
GS
=15V
4
3
2
1
0
0
25
75
100
125
50
TC，案例tem温度，C
150
V
GS
=7V
3
V
GS
=6.5V
V
GS
=6V
1.5
V
GS
=4.5V
V
GS
=5.5V
0
0
5
10
15
20
VDS ，漏极 - 源极电压，电压
25
图3最大连续漏极电流与外壳温度
1
热阻抗，归一化
50%
20%
图4典型的输出特性
0.1
10%
5%
2%
P
DM
0.01
单脉冲
t1
t2
1%
注意事项：
占空比
：D=t1/
t2
PEAK TJ = P
DM
*Z
thJC
*R
thJC
+T
C
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
矩形脉冲持续时间，秒
0.1
1
图5最大有效散热交流阻抗，结到外壳
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
第10 4
2008
华晶分立器件
100
跨导可能会限制
当前在这一地区
R
○
C4N60A8HD
IDM ，峰值电流，安培
对于温度
在25℃以上降额峰值
当前，如下所示：
150
T
C
I
=
I
25
125
10
1
1.00E-05
1.00E-04
1.00E-03
1.00E-02
t
，
脉冲宽度，秒
1.00E-01
1.00E+00
1.00E+01
9
ID ，漏电流，安培
7.5
6
4.5
3
1.5
0
2
-55℃
+25℃
+150℃
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DS
=30V
图6最高可峰值电流能力
6
RDS（ON） ，漏极至源开
电阻，欧姆
5
4
3
2
1
0
3
4
5
VGS ，门源电压，电压
6
脉冲持续时间为10μs =
占空比系数= 0.5 ％ MAX
TC = 25
℃
I
D
= 4A
I
D
= 2A
I
D
= 1A
图7典型的传输特性
3
RDS（ON） ，漏极至源开
电阻，欧姆
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
TC = 25
℃
14
6
8
10
12
VGS ，门源电压
，
伏
图8典型漏极至源极导通电阻VS栅极电压
和漏极电流
4
RDS（ON） ，漏极至源极导通电阻，
Nomalized
2.5
2.25
2
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
VGS = 10V ID = 2A
2.5
2
V
GS
=20V
1.5
1
0
2
3
ID ，漏电流，安培
图9典型漏极至源极导通电阻
VS漏电流
1
4
-50
0
50
100
TJ ，结温，C
150
图10典型Drian到源通电阻
VS结温
第10个5
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
2008
QQ：2881677436 复制
