CS4124
高侧FET的PWM
调节器
的CS4124是主要设计成一个单片集成电路
控制永久磁铁的转子速度，直流（DC ）
有刷电机。它驱动一个N沟道功率MOSFET的门或
IGBT具有用户可调节的，固定频率，占空比可变，
脉冲宽度调制（PWM）信号。的CS4124还可以用来
控制其它负载，如白炽灯泡和螺线管。
从电动机或螺线管的感应电流通过一个循环
外部二极管。
的CS4124接受0 5.0 V ，以控制的DC电平输入信号
的脉冲宽度的输出信号。可以通过生成这个信号
电位器参照的是片上5.0 V的线性稳压器，或一个
过滤0 ％至100％的PWM信号，也参照的是5.0 V的
调节器。
在IC被放置在睡眠状态中通过拉动的CTL铅小于0.5 V.
在这种模式下所有的芯片上是关闭除了片上
调节器和整体电流消耗小于275
A.
有一
片上诊断功能的数字，寻找潜在的失效模式
并且可以禁用外部功率MOSFET 。
特点
150毫安山顶PWM栅极驱动输出
专利的电压补偿电路
100 ％占空比能力
5.0 V,
±
3.0 ％线性稳压器
低电流睡眠模式
过压保护
升压式电源供应器
输出禁止
http://onsemi.com
16
1
DIP–16
SUF科幻X
CASE 648
引脚连接和
标记图
1
产量
BOOST
FLT
R
OSC
C
OSC
CTL
保护地
V
CC
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
CS4124
AWLYYWW
16
GND
INH
I
ADJ
I
SENSE +
I
感
PMP
SNI
V
REG
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息*
设备
CS4124YN16
包
DIP–16
航运
25单位/铁
*请联系您当地的销售代表， 16引脚SOIC封装宽。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年11月 - 修订版6
出版订单号：
CS4124/D
CS4124
V
BAT
42.5
H
1000
F
1000
F
R
S
10
470
H
1.5
F
10 k
10 nF的
C
FLT
R
OSC
C
OSC
输出GND
BOOST
INH
.25
F
FLT
I
ADJ
I
+
R
OSC SENSE
I
感
470 pF的
C
OSC
PMP
R
SNI
CTL
SNI
保护地
4
V
REG
V
CC
93.1 k
R
CS1
C
CS
51
0.022
F
R
CS2
51
R
SENSE
4.0 m
100
F
.01
F
10 k
1.0
F
P1
10 k
100 k
10
F
10 k
1.0 M
MOT +
10 k
R
门
6
PWM
输入
N1
10 k
10 k
MOT-
图1.应用图
绝对最大额定值*
等级
存储温度范围
V
CC
V
CC
峰值瞬态电压（负载突降= 26 V W / 10系列
电阻器）
输入电压范围（任何输入）
最高结温
无铅焊接温度
ESD敏感性（人体模型）
1.最长10秒。
*最大包装功耗必须遵守。
波峰焊（通孔样式只）注1 。
价值
-65到150
-0.3 30
40
-0.3至10
150
260峰
2.0
单位
°C
V
V
V
°C
°C
kV
http://onsemi.com
2
CS4124
初步
CS4124
高侧FET的PWM控制器
描述
该CS4124是一款单芯片integrat-
编辑电路设计主要是为了
控制perma-的转子速度
新界东北磁铁，直流（DC ）
有刷电机。它推动的门
一个N沟道功率MOSFET或
IGBT具有用户可调节的，固定
频率，占空比可调，
脉冲宽度调制（PWM）显
宇空。的CS4124还可以用来
控制其它负载，如incan-
血统灯泡和螺线管。
从电动机感应电流或
螺线管通过一再循环
外部二极管。
的CS4124接收DC电平
0输入信号为5V ，以控制
脉冲宽度的输出信号。
可以通过生成这个信号
电位器参照的是导通
芯片的5V线性稳压器，或进行过滤
篇幅中0％至100％的PWM信号，也
引用到5V稳压器。
在IC被放置在睡眠状态中由
拉CTL铅低于0.5V 。在
这种模式下所有的芯片上是
关闭除了片上
调节器和总电流
平局小于275μA 。有一
片诊断的数
寻找潜在失效模式及
可以禁用外部电源
MOSFET。
特点
s
150mA峰值电流PWM门
输出驱动器
s
专利的电压
补偿电路
s
100％占空比
能力
s
5V ，± 3 ％线性稳压器
s
低电流睡眠模式
s
过压保护
s
升压式电源
供应
s
输出禁止
应用图
封装选项
V
BAT
42.5H
16引脚PDIP
1000F
1000F
R
S
10
470H
10K
10nF
1.5F
C
FLT
.25F
R
OSC
93.1K
C
OSC
470pF
输出GND
BOOST
INH
FLT
I
ADJ
R
OSC
C
OSC
CTL
保护地
I
SENSE +
I
SENSE-
PMP
SNI
R
SNI
4
R
CS1
C
CS
51
.022F
R
CS2
51
R
SENSE
4m
产量
BOOST
FLT
R
OSC
C
OSC
CTL
保护地
V
CC
1
GND
INH
I
ADJ
I
SENSE +
I
SENSE-
PMP
SNI
V
REG
V
CC
100F
.01F
10K
1F
P1
10K
100K
V
REG
输入
10K
R
门
6
10K
N1
10K
10K
10F
1M
MOT +
MOT-
咨询工厂的16引脚SOIC
全包。
樱桃半导体公司
2000县南径，东格林威治， RI 02818
联系电话： (401)885-3600传真： (401)885-5786
电子邮件： info@cherry-semi.com
网站： www.cherry-semi.com
牧师99年4月26日
1195
A
公司
CS4124
绝对最大额定值
储存温度................................................................................................................................................-65C到150C
V
CC
.................................................................................................................................................................................-0.3V至30V
V
CC
峰值瞬态电压（负载突降= 26V W /串联10Ω电阻） .................................... ....................................... 40V
输入电压范围（任何输入） ...........................................................................................................................-0.3V至10V
最高结温..........................................................................................................................................150C
无铅焊接温度
波峰焊（只通过孔样式） .......................................... ............................................ 10秒。最大260 ° C峰值
ESD能力（人体模型） ....................................................................................................................................2kV
电气特性：
4V
≤
V
CC
≤
26V ， -40℃ <牛逼
A
< 125℃ ， （除非另有规定）
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
s
V
CC
供应
工作电流供应
静态电流
过压关断
s
控制（ CTL ）
控制输入电流
睡眠模式阈值
睡眠模式滞后
7V
≤
V
CC
≤
18V
4V
≤
V
CC
< 7V ， 18V < V
CC
≤
26V
V
CC
= 12V
26.5
5
170
10
15
275
29
mA
mA
A
V
CTL = 0V至5V
7V
≤
V
CC
≤
26V
4V
≤
V
CC
< 7V
-2
8%
50
10
0.1
10%
100
2
12%
150
150
A
V
REG
mV
mV
s
电流检测
差分电压检测
7V
≤
V
CC
≤
18V
I
ADJ
= 1V和R
CS1
= 51
I
ADJ
= 4V和R
CS1
= 51
4V
≤
V
CC
< 7V
I
ADJ
= 1V和R
CS1
= 51
18V < V
CC
≤
26V
I
ADJ
= 1V和R
CS1
= 51
I
ADJ
= 4V和R
CS1
= 51
18
104
15
34
125
39
mV
mV
mV
15
102
-2
0.3
39
130
2
mV
mV
A
I
ADJ
输入电流
4V
≤
V
CC
≤
26V
I
ADJ
= 0V至5V
s
线性稳压器
输出电压V
REG
V
CC
= 4V
V
CC
= 13.2V
V
CC
= 26V
2.0
4.85
4.85
5.15
5.20
V
V
V
s
抑制
抑制阈值
禁止迟滞
4V
≤
V
CC
≤
7V
7V
≤
V
CC
≤
26V
40%
100
150
50%
325
60%
500
500
V
REG
mV
mV
s
外置驱动器（输出）
输出频率
4V
≤
V
CC
< 7V
R
OSC
= 93.1kΩ ，C
OSC
= 470pF的
7V
≤
V
CC
≤
18V,
R
OSC
= 93.1kΩ ，C
OSC
= 470pF的
18V < V
CC
≤
26V
R
OSC
= 93.1kΩ ，C
OSC
= 470pF的
1196
10
17
17
20
20
25
23
25
千赫
千赫
千赫
CS4124
应用信息
工作原理
振荡器
该集成电路设置了一个恒定频率的三角波在
C
OSC
引线，其频率与外部的COM
ponents
OSC
和C
OSC
，通过下面的等式：
频率=
0.83
R
OSC
×
C
OSC
120%
V
CC
= 8V
100%
补偿的占空比。转移设置，使得当
V
CC
= 14V ，占空比将等于V
CTL
用V划分
REG
.
例如在V
CC
= 14V, V
REG
= 5V和V
CTL
= 2.5V时，
占空比为50 ％时的输出。这将使一个
7V负载两端的平均电压。如果V
CC
然后下降到
10V时，IC会改变占空比70％ ，因此
守在7V的平均负载电压。
峰值与三角波的谷成正比
到V
CC
通过执行以下操作：
V
谷
= 0.1
×
V
CC
V
PEAK
= 0.7
×
V
CC
这是必需的，以使所述电压补偿功能
正常。以保持振荡器的频率
恒定电流对C充电
OSC
也必须随
供应量。
OSC
设立这对C充电电流
OSC
。该
R两端的电压
OSC
为V的50％
CC
因此：
I
ROSC
= 0.5
×
V
CC
R
OSC
占空比（ ％ ）
80%
V
CC
= 14V
60%
V
CC
= 16V
40%
20%
0%
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
CTL电压V （ ％
REG
)
I
ROSC
由式（ 2）乘以内部并传送到
C
OSC
导致。因此：
I
COSC
= ±
所述振荡器的周期是：
T = 2C
OSC
×
V
PEAK
- V
谷
I
COSC
V
CC
R
OSC
图1 ：电压补偿
5V线性稳压器
有可在V为5V ， 5毫安线性稳压器
REG
导致外用药。这个电压可充当参考
许多内部和外部的功能。它有一个砸出来的
约1.5V ，在室温下进行。
电流检测和定时器
在IC差分监视上一个周期的负载电流
通过在I周期的基础
SENSE +
我
SENSE-
导致。该differen-
跨越这两个线索TiAl基电压在内部放大
并且相比于在I上的电压
ADJ
导致。增益的
V
在内部和外部设置的由下面的等式：
A
V
=
V
我（ ADJ ）
I
SENSE +
- I
SENSE-
=
37000
1000 + R
CS
第r
OSC
和C
OSC
组件可以变化以创建频
quencies超过15Hz的至25kHz的范围内。随着伊赛格
93.1kΩ和470pF的的的R gested值
OSC
和C
OSC
中，
标称频率将是大约20千赫。我
ROSC
在
V
CC
= 14V ，将66.7 μA 。我
ROSC
不应该在改变
大于2 ：1的比例，并因此
OSC
应该改变
来调整振荡器的频率。
电压占空比转换
该转换IC的输入电压在CTL领先进入
占空比输出引线。的传递函数
采用樱桃Semiconductors专利的电压
补偿的方法，以保持平均电压和
负载两端的恒定电流无关的波动
在电源电压。占空比是根据向变
在输入电压和电源电压由下面的
公式：
2.8
×
V
CTL
占空比= 100 ％
×
V
CC
内部直流电压等于：
V
DC
= (1.683
×
V
CTL
) + V
谷
是相对于振荡器的电压以产生所述的COM
电流限制（我
LIM
）由外部电流检测设
电阻器（R
SENSE
）跨接在我
SENSE +
我
SENSE-
之三
minals并在I上的电压
ADJ
导致。
1000 + R
CS
37000
V
我（ ADJ ）
R
SENSE
I
LIM
=
×
第r
CS
电阻器和C
CS
部件构成差动
低通滤波器，该滤波器滤除高频噪声gen-
通过外部MOSFET和所述的开关erated
有关铅的噪音。
CS
同样的形式和误差项的
在我的增益
LIM
方程，因为我
SENSE +
我
SENSE-
导线是低阻抗输入，从而创造一个良好的
电流检测放大器。这两个导致源50μA ，而
该芯片在运行模式。我
ADJ
应该1V之间有偏差
和4V 。当电流通过外部MOSFET
1198
CS4124
应用信息：继续
超过我
LIM
，内部锁存器设置和输出拉
MOSFET的低，为的振荡的其余部分的栅极
荡器周期（故障模式） 。在下一循环的开始，则
锁存器复位，并在IC恢复到运行模式，直至
另一种故障。如果出现在一个给定的若干缺点
一段时间内，将IC “超时” ，并禁止MOSFET导
FET为很长一段时间，让它冷静下来。这是
收取了C完成
FLT
电容器每次一个
在目前的条件下发生。如果一个周期的推移，没有
过电流故障发生，甚至更小的量的
将负责从C中删除
FLT
。如果有足够的故障发生
在一起，最终
FLT
将充电至2.4V和
故障锁存器将被设定。故障锁存器将不会被重置，直到
C
FLT
放电至0.6V 。这一行动将无限期延续
奈特雷如果故障依旧。
关断时间和时间由以下设置：
关闭时间= C
FLT
×
2.4V - 0.6V
4.5A
2.4V - 0.6V
I
AVG
睡眠状态
该设备将进入一个低电流模式（ < 275μA ）
当CTL铅被带到小于0.5V 。所有功能
被禁止在该模式下，除了调节器。
抑制
当抑制大于2.5V的内部锁存器
置和外部MOSFET将被关断的
其余振荡器周期。该锁存器复位，然后在
下一个周期的开始。
过压关断
IC将过压时禁止输出
事件。这是一个实时的故障事件，并没有设置
内部锁存器，因此是独立的振荡器的
定时（即，异步） 。还有就是325mV （典型值）
滞后的过压功能。有没有不足
欠压锁定。该装置将关闭，一旦摆好
它运行的余量。
电池反接
该CS4124将无法生存反向电池状况。一
串联二极管所需的电池和V之间
CC
导致反向电池。
负载突降
10Ω的电阻（R
S
）被放置在一系列V
CC
限制本
目前进入IC在40V峰值瞬态条件。
在时间= C
FLT
×
其中：
I
AVG
= (295.5A
×
直流） - [ 4.5μA
×
（ 1 - DC ） ]
I
AVG
= (300A
×
DC ） - 4.5μA
DC = PWM占空比
升压开关电源
该CS4124具有一个集成的升压型电源
该充电外部高边MOSFET的栅极
到大于5V高于V
CC
。三根引线被用于
升压。他们是升压， PMP和SNI 。在PMP
铅是一个达林顿并列NPN型功率管的集电极
体管。该器件在其上一次充电电感。
升压铅是输入到芯片从外部reser-
案中案电容。 SNI部引线是电源的发射极
NPN和外部连接到R
SNI
电阻器。
该电源由振荡器控制。在
开始一个周期的RS触发器设置内部电源
NPN晶体管导通，能量开始建立
在电感中。第r
SNI
电阻设置峰值电流
电感器由跳闸比较器，当电压
在电阻是450mV 。触发器被复位，并且
电感器提供其储存的能量向负载供电。纹波
电压（V
纹波
）在升压铅为C控制
BOOST
.
缓冲电路，由一个串联电阻和电容的
器，需要抑制电感的铃声。一
建议4Ω价值的R
SNI
.
齐纳二极管所需的升压输出电压之间
和电池。这将夹住提升导致了试样
电池上方田间值，以防止损坏IC 。
一个9伏的齐纳二极管建议。
1199
QQ：2881677436 复制
