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CS3-16B
CS3-16D
CS3-16M
CS3-16N
可控硅整流器
16 AMP , 200 THRU 800伏
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体CS3-16B
串联式是可控硅整流器
设计用于检测电路的应用和
控制系统。
标识代码:全型号
TO- 3 50 MIL案例
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流( TC = 90 ° C)
峰值一个周期浪涌( T = 10毫秒)
I
2
为融合吨值(T = 10毫秒)
峰值功率门控( TP = 10微秒)
平均门功耗
峰值正向栅电流( TP = 10微秒)
峰值正向栅极电压( TP = 10微秒)
峰值反向栅极电压( TP = 10微秒)
通态电流临界上升率
储存温度
结温
热阻
VDRM , VRRM
IT ( RMS )
ITSM
I
2
t
PGM
PG (AV)
IFGM
VFGM
VRGM
的di / dt
TSTG
TJ
Θ
JC
CS3
-16B
200
CS3
-16D
400
16
160
128
40
1.0
4.0
16
5.0
100
-40到+150
-40到+125
1.5
CS3
-16M
600
CS3
-16N
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
V
A / μs的
°C
°C
° C / W
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
IDRM ,
IDRM ,
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
IRRM
IRRM
额定VDRM ,
额定VDRM ,
VRRM
VRRM , TC = 125°C
VD = 12V ,RL = 10Ω
IT=100mA
典型值
最大
10
2.0
单位
A
mA
mA
mA
V
V
V / μs的
3.4
8.8
0.64
1.40
500
15
20
1.50
1.60
VD = 12V ,RL = 10Ω
ITM = 32A , TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM , TC = 125°C
R1 ( 2004年18月)
中央
TM
半导体公司
CS3-16B
CS3-16D
CS3-16M
CS3-16N
可控硅整流器
16 AMP , 200 THRU 800伏
TO- 3 50 MIL案例 - 机械外形
前导码:
1 ) GATE
2 )阴极
3 )阳极
标识代码:
全部型号
尺寸
英寸
MILLIMETERS
符号最小值最大值最小值最大值
A
1.516 1.573 38.50 39.96
B( DIA ) 0.748 0.875 19.00 22.23
C
0.250 0.450 6.35 11.43
D
0.433 0.516 11.00 13.10
E
0.054 0.065 1.38 1.65
F
0.048 0.051 1.22 1.30
G
1.177 1.197 29.90 30.40
H
0.650 0.681 16.50 17.30
J
0.420 0.440 10.67 11.18
K
0.205 0.225 5.21 5.72
L( DIA ) 0.151 0.172 3.84 4.36
M
0.984 1.050 25.00 26.67
TO- 3 50 MIL ( REV : R0 )
R1 ( 2004年18月)
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