奈纳半导体有限公司
emiconductor
相位控制可控硅25A
晶闸管,
特点
提高玻璃钝化高可靠性
在高温时呈稳定
高di / dt和dv / dt能力
可用公制螺纹型
低热阻
25NT
电气额定值
(T
J
= 25
0
C,除非另有说明)
参数
最大通态平均电流180
0
正弦传导@ T
J
= 85 C
最大RMS通态电流
O
符号
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
TSM
It
V
RRM
,
V
DRM
V
TM
I
H
I
L
的di / dt
2
值
25
40
380
800
200
1600
1.70
150
400
200
100
单位
A
A
A
As
V
V
mA
mA
A / μs的
TO- 208AA ( TO
AA( TO- 48)
2
最大峰值,一个周期不重复
浪涌电流
2
对于融合的最大余吨
开启和关闭状态下的最高重复峰值
电压范围
0
通态电压最大峰值(T
J
= 25 C,
I
PEAK
= 79A)
最大保持电流@ T
J
最大的擎住电流@T
J
上升的导通电流最大速率,
V
DRM
≤ 600V
T
J
= T
J
最大,
100 %V临界上升率
DRM
断态电压
T
J
= T
J
最大,
67% V
DRM
最大栅极
阳极电源6 V
当前需要
阻性负载@T
J
TRIGGER
最大栅极
电压要求
TRIGGER
dv / dt的
300
I
GT
60
V / μs的
mA
V
GT
2.0
V
热和机械规格
(T
J
= 25
0
C,除非另有说明)
参数
最大工作结温范围
最大存储温度范围
最大热阻,结到外壳
安装力矩
大约重量
符号
T
J
T
英镑
R
TH (JC)
值
- 60 + 125
- 60 + 125
0.9
0.
0.2 (分) 0.3 (最大)
14
0
单位
0
C
0
C
C / W
MKG
g
1
D- 95 ,扇区63 ,诺伊达 - 201301 ,印度电话: 0120-4205450 传真: 0120
4205450
0120-4273653
sales@nainasemi.comwww.nainasemi.com
奈纳半导体有限公司
emiconductor
25NT
尺寸:mm
2
D- 95 ,扇区63 ,诺伊达 - 201301 ,印度电话: 0120-4205450 传真: 0120
4205450
0120-4273653
sales@nainasemi.comwww.nainasemi.com
CS 23
符号
I
R
, I
D
V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
R
thJC
R
thJH
d
S
d
A
a
测试条件
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
I
T
= 80 A;牛逼
VJ
= 25°C
特征值
3
1.8
1.0
10
典型值。
2.5
3.5
50
80
0.2
1
200
100
2
60
mA
V
V
mW
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
ms
ms
对于只功率损耗的计算(T
VJ
= 125°C)
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= 25°C ;吨
P
= 10
ms
I
G
= 0.15 A;迪
G
/ DT = 0.15 A / MS
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;
GK
=
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 1/2 V
DRM
I
G
= 0.15 A;迪
G
/ DT = 0.15 A / MS
T
VJ
= T
VJM
; I
T
= 25 A,T
P
= 300
女士;
的di / dt = -20 A / MS
V
R
= 100V ;的dv / dt = 20 V / ms的; V
D
= 2/3 V
DRM
直流电流
直流电流
表面爬电距离
通过空袭距离
马克斯。加速度, 50赫兹
1.0 K / W
1.61 K / W
1.5
1.5
50
mm
mm
M / S
2
附件:
M6螺母DIN 439 / SW14
锁紧垫圈DIN A6 128
4
V
3
10
2
120
A
100
C
B
B
I
GT
: T
VJ
= 0°C
I
GT
: T
VJ
= -40°C
m
s
t
gd
I
T
典型值。
廉。
V
G
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
80
10
1
B
I
GT
: T
VJ
= 25°C
2
60
廉。
10
0
40
1
典型值。
A
20
I
GD
: T
VJ
= 25°C
I
GD
: T
VJ
=125°C
0
0
25
50
75毫安
I
G
100
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A 10
1
t
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0 V 2.5
V
T
图。 1,门极电压和栅极电流
触发:
A =无; B =可能的; C =安全
版权所有2000 IXYS所有权利。
图。 2门控制延迟时间t
gd
图。 3通态特性
2-3