可控硅
（续）
IT （ AMPS ）
@ TC （
o
C)
ITSM （ AMPS ）
1.6
4.0
55
6.0
90
35
85
30
85
30
30
20
例
VRRM （伏）
TO-18
TO-39
TO-202
TO-202-2
TO-202
50
60
100
200
300
400
500
600
800
IGT
VGT
IH
2N6605
2N6606
2N6607
2N6608
CS39-4B
CS202-4B
CS202-4B-2
C106A1
C106B1
C106C1
CS39-4D
CS39-4M
CS39-4N
200A
200A
200A
200A
200A
CS202-4D
CS202-4M
CS202-4D-2
CS202-4M-2
C106D1
C106E1
C106M1
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
181
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CS202-4B
CS202-4D
CS202-4M
CS202-4N
4.0 AMP SCR
200通800伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CS202-4B
串联式是环氧模塑可控硅
整流器设计的传感电路的应用
和控制系统。
标识代码：全型号
TO- 202晶闸管案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 85°C ）
峰值一个周期浪涌（ T = 10毫秒）
I
2
为融合吨值（T = 10毫秒）
峰值功率门控（ TP = 20μS ）
平均门功耗
栅极峰值电流（ TP = 20μS ）
通态电流临界上升率
储存温度
结温
热阻
热阻
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
IGM
的di / dt
TSTG
TJ
Θ
JA
Θ
JC
CS202
-4B
200
CS202
-4D
400
4.0
30
4.5
3.0
0.2
1.2
50
-40到+150
-40到+125
80
7.5
CS202
-4M
600
CS202
-4N
单位
800
V
A
A
A
2
s
W
W
A
A / μs的
°C
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM ，
IDRM ，
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
IRRM
IRRM
额定VDRM ，
额定VDRM ，
VRRM ， RGK = 1KΩ
VDRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
20
典型值
最大
10
200
单位
A
A
A
mA
V
V
V / μs的
VD = 12V ，RL = 10Ω
IT = 50mA时RGK = 1KΩ
VD = 12V ，RL = 10Ω
ITM = 8.0A ， TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
38
0.25
0.55
1.6
10
200
2.0
0.8
1.8
R3 （ 2004年14月）
可控硅
（续）
IT （ AMPS ）
@ TC （
o
C)
ITSM （ AMPS ）
1.6
4.0
55
6.0
90
35
85
30
85
30
30
20
例
VRRM （伏）
TO-18
TO-39
TO-202
TO-202-2
TO-202
50
60
100
200
300
400
500
600
800
IGT
VGT
IH
2N6605
2N6606
2N6607
2N6608
CS39-4B
CS202-4B
CS202-4B-2
C106A1
C106B1
C106C1
CS39-4D
CS39-4M
CS39-4N
200A
200A
200A
200A
200A
CS202-4D
CS202-4M
CS202-4D-2
CS202-4M-2
C106D1
C106E1
C106M1
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
181
0.8V
5.0mA
0.8V
5.0mA
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2880707522 复制
