65纳米CMOS技术， CS200 / CS200A
描述
硅器件的小型化的进展，
富士通提供了最有竞争力的，世界级的
技术的ASIC和COT客户。富士通
65纳米技术已经通过时， 25％的缩水门
相比于90纳米技术。
富士通将开始带出接受的
科技在2006年初。
特点
在30nm的长门，只有75 ％的大小
CS100晶体管。
快20 30％的性能比90纳米
一代。
晶体管密度翻倍的比较
90纳米世代。
SRAM单元面积缩小50％，与比较
90纳米世代。
特定网络阳离子
65纳米（ CS200 ）
栅长
CORE VDD
栅氧化层厚度（物理）
栅极
源/漏电极
互连
金属1间距
间电介质
漏极电流增强
30nm
1.0V
1.1nm
镍硅/多晶硅
镍硅
11铜+ 1 -Al系
0.18m
多孔ULK （K = 2.25）
先进的压力控制
65纳米（ CS200A ）
50nm
1.2V
1.7nm
CoSi2薄膜/多晶硅
CoSi2
65纳米CMOS技术， CS200 / CS200A
技术一览
CS200A ：宽转速范围+低功耗
大
低功耗
阵容
CS200A
HS -TR
HS -TR
服务器/
网
STD -TR
UHS -TR
HV -TR
移动
计算
高端服务器
标准
VDD
UHS
HS
CORE
性病
LL
HVT
1.8V
2.5V
3.3V
3.3V的LVt
6T对称
技术科
CS200A
CS200
1.2V
x
x
x
x
x
x
x
x
0.535m2
1.0V
x
x
x
x
x
漏电流
STD -TR
数字消费
LL -TR
手机
高
性能
阵容CS200
UHS ：超高速， HS ：高速
STD ：标准， LL ：低漏电
I / O
SRAM
速度
快
0.595m2
富士通提供了两个系列的技术： CS200为
高端应用，例如高性能服务器CPU
芯片，并CS200A为低功耗或移动使用。
该CS200A技术，特别是提供了一种
种类繁多，从低泄漏晶体管（ LL ）
蜂窝手机的超高速（ UHS ）的
服务器或网络设备。客户可以混合使用
在一个芯片中的晶体管，以满足他们的需求。
65纳米系列产品包括低功耗
CS200A和高性能的CS200 ，给
客户可以灵活地选择适当的
技术来区分他们的产品。该个HVt
在CS200 （高Vth的晶体管）获得了更高的
性能。在I / O范围为1.8V至3.3V 。为
该CS200A ，1.8（ 2.5或3.3V ）的I / O晶体管可以是
嵌入在一个芯片上。 SRAM的存储单元的尺寸是
比0.6μm2少。
SPICE仿真的一些基准测试电路
表明，该新产品是2030％的速度比
以前的版本。伟大的演出
改进是富士通的先进技结果
术，这是为公司的发展
高性能服务器。的芯片尺寸
当使CS200只有60 ％ CS100 ，大小
相同规格的LSI ，它是4M门逻辑和2M
门宏。 （SRAM ： 0.5Mbit ，锁相环等）
CS200电路延迟性能（每门PS ）
CS200
CS100
逆变器
5.7
7.0
2输入与非
8.7
11.4
二输入NAND +200栅互连负载
23.1
30.8
降低延迟
77%
69%
67%
IP投资组合
富士通的代工服务提供广泛的IP
阵容强大，包括CPU内核，图像核心，
加密，接口控制器和高速I / O，
所有的65纳米ASIC准备。
富士通提供了一站式，交钥匙包装
服务，它包括包装设计，仿真，
组装和测试。封装选项包括
标准的BGA和倒装片BGA （ FC - BGA ） 。
富士通是公认的全球领导者
先进的封装技术，不断创新，专利
和制造技术。
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