CS18B
CS18D
CS18M
CS18N
可控硅整流器
1.0 AMP ， 200 THRU 800伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CS18B系列
类型是密封的硅可控
在TO- 18的情况下制造整流器，设计
为控制系统和感应电路
应用程序。
标识代码：全型号
TO- 18 CASE
最大额定值：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 90 ° C）
Nonrept 。通态电流
熔断电流（T = 10毫秒）
栅极峰值电流（ T = 10微秒）
峰门耗散（ T = 10微秒）
门耗散
储存温度
结温
热阻
热阻
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
IGM
PGM
PG （AV）
TSTG
TJ
Θ
JC
Θ
JA
CS18B CS18D CS18M CS18N
200
400
1.0
10
0.24
1.0
2.0
0.1
-40到+150
-40到+125
32
200
600
800
单位
V
A
A
A
2
s
A
W
W
°C
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM ， IRRM
IDRM ， IRRM
VTM
IGT
VGT
IH
dv / dt的
额定VDRM ， VRRM ， RGK = 1.0KΩ
额定VDRM ， VRRM ， RGK = 1.0KΩ ， TC = 125°C
IT=2.0A
VD = 12V ，RL = 10Ω
VD = 12V ，RL = 10Ω
RGK=1.0K
VD = 0.67V X VDRM ， RGK = 1.0KΩ ， TC = 125°C
25
典型值
最大
1.0
0.1
单位
A
mA
V
A
V
mA
V / μs的
1.6
20
0.65
0.5
2.15
200
0.8
5.0
R1 （ 2004年18月）
中央
TM
半导体公司
CS18B
CS18D
CS18M
CS18N
可控硅整流器
1.0 AMP ， 200 THRU 800伏
TO- 18案例 - 机械外形
前导码：
1 ）阴极
2 ） GATE
3 ）阳极
标识代码：
全部型号
尺寸
英寸
MILLIMETERS
符号最小值
最大
民
最大
A（ DIA ） 0.209 0.230 5.31
5.84
B（ DIA ） 0.178 0.195 4.52
4.95
C
-
0.030
-
0.76
D
0.170 0.210 4.32
5.33
E
0.500
-
12.70
-
F（ DIA） 0.016 0.019 0.41
0.48
0.100
2.54
G（ DIA ）
0.050
1.27
H
I
0.036 0.046 0.91
1.17
J
0.028 0.048 0.71
1.22
TO- 18 （ REV ： R1 ）
R1 （ 2004年18月）
QQ：2880707522 复制
